本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

本書面向世界科技前沿和國(guó)家重大需求，針對(duì)高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造的關(guān)鍵問(wèn)題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長(zhǎng)和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，融入國(guó)內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計(jì)與制造工藝、LED

主要內(nèi)容共6章，包括：緒論、壓接型IGBT器件失效模擬與可靠性評(píng)估、金屬化膜電容器失效模擬與可靠性評(píng)估、采用關(guān)鍵部件故障率模型的換流閥可靠性評(píng)估模型、采用關(guān)鍵部件物理場(chǎng)失效模擬的換流閥可靠性評(píng)估模型、換流閥可靠性評(píng)估軟件。全書以壓接型IGBT器件、金屬化膜電容器等柔直換流閥核心部件可靠性分析為基礎(chǔ)，系統(tǒng)闡述了柔性直流換

本書系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本理論知識(shí)體系以及各種真空鍍膜方法、設(shè)備及工藝。對(duì)最新的薄膜類型、性能檢測(cè)及評(píng)價(jià)、真空鍍膜技術(shù)及裝備等內(nèi)容也進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，如金剛石薄膜的應(yīng)用及大面積制備技術(shù)、工藝、性能評(píng)價(jià)等。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實(shí)踐性強(qiáng)，在強(qiáng)化理論的同時(shí)，重點(diǎn)突出了工程應(yīng)用，具有很強(qiáng)的實(shí)用性，

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過(guò)焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長(zhǎng)期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過(guò)程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測(cè)與返修等，其

本書首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運(yùn)特性的角度進(jìn)行了研究。《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)

本書是作者長(zhǎng)期從事直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長(zhǎng)設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測(cè)、智能優(yōu)化及