本書(shū)首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低維結(jié)構(gòu)的可控外延生長(zhǎng)技術(shù)，并結(jié)合豐富的硅鍺納米結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)實(shí)例，詳細(xì)討論圖形硅襯底和斜切硅襯底上低維材料的可控外延生長(zhǎng)及其生長(zhǎng)機(jī)理。最后，簡(jiǎn)要介紹可控硅鍺低維結(jié)構(gòu)的光電特性及其器件與集成應(yīng)用研究，并展望基于可控外延生長(zhǎng)量子點(diǎn)的新型器件。

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