本書根據(jù)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)技術(shù)的**發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合團(tuán)隊(duì)多年積累的科研成果和技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)和保護(hù)技術(shù)進(jìn)行了全面的介紹。全書在介紹IGBT器件及驅(qū)動(dòng)**發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，從IGBT器件結(jié)構(gòu)、特性以及工作原理出發(fā)，詳細(xì)地分析了影響大功率IGBT開關(guān)特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數(shù)，進(jìn)而對(duì)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體中光子與電子相互作用、光能與電能相互轉(zhuǎn)換的一門科學(xué)，涉及量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理等一些基礎(chǔ)物理，也關(guān)聯(lián)著半導(dǎo)體光電子材料及其相關(guān)器件，在信息和能源等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。半導(dǎo)體光電子器件的性能改善無不是通過不斷優(yōu)化半導(dǎo)體材料和器件結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)電子與光子的相互作用、實(shí)現(xiàn)高效電能與光能相互轉(zhuǎn)換的

本書從電力電子到功率集成電路（PIC）、智能功率技術(shù)、器件等方面給電源管理和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了一個(gè)完整的描述。本書不僅介紹了集成功率半導(dǎo)體器件，如橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（LDMOSFET）、橫向絕緣柵雙極型晶體管（LIGBT）和超結(jié)LDMOSFET的內(nèi)部物理現(xiàn)象，還對(duì)電源管理系統(tǒng)進(jìn)行了一個(gè)簡單的介紹。本書

《IGBT器件——物理、設(shè)計(jì)與應(yīng)用》從IGBT發(fā)明開始，介紹了IGBT的模型和基本工作原理、各種元胞結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)與制造工藝、封裝與驅(qū)動(dòng)、安全工作區(qū)等，并給出了在多達(dá)十幾個(gè)行業(yè)中的具體應(yīng)用，包括應(yīng)用電路和參數(shù)指標(biāo)等。本書內(nèi)容深入淺出，適合電力電子、微電子、功率器件、功率IC設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域的研究人員、技術(shù)人員閱讀，也可作為高

近年來，全球OLED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)布局發(fā)展迅猛，柔性高世代OLED生產(chǎn)線陸續(xù)建設(shè)、投產(chǎn)，OLED產(chǎn)業(yè)無疑成為電子信息領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)藍(lán)海。然而與之不相匹配的是OLED專業(yè)人員和相關(guān)書籍的嚴(yán)重不足�！禣LED顯示技術(shù)導(dǎo)論》從有機(jī)電致發(fā)光二極管設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)理論著手，逐步拓展到當(dāng)前實(shí)際工程應(yīng)用到的各種發(fā)光器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用原理。涉及的內(nèi)容

本書分為八個(gè)項(xiàng)目：項(xiàng)目一、光電基礎(chǔ)電路制作與檢測；項(xiàng)目二、LED室內(nèi)照明燈具的組裝與測試；項(xiàng)目三、LED景觀照明的設(shè)計(jì)與制作；項(xiàng)目四、LED驅(qū)動(dòng)電源制作與檢測；項(xiàng)目五、LED在交通信號(hào)燈方面的應(yīng)用；項(xiàng)目六、LED在智能路燈方面的應(yīng)用；項(xiàng)目七、單色LED點(diǎn)陣顯示屏的制作與應(yīng)用；項(xiàng)目八、LED顯示屏的制作與應(yīng)用。

本書是固態(tài)電子器件的教材，全書分為固體物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件物理兩大部分，共10章。第1章至第4章介紹半導(dǎo)體材料及其生長技術(shù)、量子力學(xué)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體能帶以及過剩載流子。第5章至第10章介紹各種電子器件和集成電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及制造工藝等，包括：p-n結(jié)、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、異質(zhì)結(jié)；場效應(yīng)晶體管；雙極結(jié)型晶體管；光電子器件；

半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對(duì)材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

本書全面介紹了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測器的*技術(shù)，涵蓋不同的襯底及外延方法，InAlGaN材料的光學(xué)、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性以及各種光電子器件，如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測器。此外，綜述了紫外發(fā)光器件和探測的一些關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域，包括水凈化、光療、氣敏、熒光激發(fā)、植物生長照明和UV固化。本書含有大量翔實(shí)