本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長機理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點、一維GaN納米線和二維GaN生長所面臨的技術難點及對應的生長技術調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡要介紹MOSFET場效應晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎上，全面敘述了MOSFET基本電學特性和二階效應；介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設計；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導體器件SPICE模型建模平臺EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書詳細介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設計所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設計及應用、功率模塊優(yōu)化設計、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進評估技術、功率模塊退化監(jiān)測技術、功率模塊先進熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術等。本書所有章節(jié)均旨在提供關于多芯片S

"為了應對我國在集成電路領域,尤其是光刻技術方面嚴重落后于發(fā)達國家的局面,破解光刻制造設備、材料和光學鄰近效應修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負著協(xié)助光刻設備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責任,將為了應對我國在集成電路領域，尤其是光刻技術方面嚴重落后于發(fā)達國家的局

半導體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件制造中的可靠性和認定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設計的實際范例。

本書是國外學者們對寬禁帶半導體封裝技術和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預演判斷，講述寬禁帶功率半導體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件具有導通電阻低、擊穿電壓高、開關速度快及熱傳導性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓撲結(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機存儲器的電路結(jié)構(gòu)與3個關鍵技術節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標準化與

本書詳細地闡述了寬禁帶功率半導體器件的發(fā)展現(xiàn)狀、電熱行為模型建模方法與模型參數(shù)提取優(yōu)化算法、開通和關斷過電壓問題分析和抑制方法、串擾導通問題機理與抑制方法。通過LLC變換器展示了如何借助寬禁帶器件電熱行為模型完成功率變換器硬件優(yōu)化設計和控制算法的仿真驗證，并分析了平面磁集成矩陣變壓器的優(yōu)化設計方法，建立了LLC變換器小

《低維半導體材料及其信息能源器件》講述了低維半導體材料與器件的制備與構(gòu)筑及其在電子信息和綠色能源領域的新穎應用。全書共7章，涵蓋了低維材料的生長和表征、二維半導體材料在觸覺傳感器的應用、二維過渡金屬硫化合物感通融器件、二維過渡金屬硫化物的納米光子學和光電子學、二維半導體材料材料非易失性阻變存儲器和射頻開關、四/五主族二