以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件具有導通電阻低、擊穿電壓高、開關速度快及熱傳導性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓撲結構，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高壓、大電流及快速開關等極限條件下長期應用時，可靠性問題頻發(fā)，嚴重制約了寬禁帶功率半導體器件的推廣應用。 本書詳細介紹了碳化硅、氮化鎵功率器件在各類雪崩、短路、高溫偏置等惡劣電熱應力下的損傷機理，并講述了相關表征方法及壽命模型，同時討論了高可靠寬禁帶器件新結構，對寬禁帶功率器件相關技術人員及學者具有較強的指導意義。