紫外光電子器件——氮化物技術(shù)及應(yīng)用
定 價(jià):198 元
- 作者:(德)邁克爾·尼塞爾(Michael Kneissl),延斯·拉斯(Jens Rass) 主編
- 出版時(shí)間:2018/2/1
- ISBN:9787122303592
- 出 版 社:化學(xué)工業(yè)出版社
- 中圖法分類:TN383
- 頁(yè)碼:
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開本:16開
本書全面介紹了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測(cè)器的*技術(shù),涵蓋不同的襯底及外延方法,InAlGaN材料的光學(xué)、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性以及各種光電子器件,如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測(cè)器。此外,綜述了紫外發(fā)光器件和探測(cè)的一些關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域,包括水凈化、光療、氣敏、熒光激發(fā)、植物生長(zhǎng)照明和UV固化。本書含有大量翔實(shí)的圖表和參考文獻(xiàn),可供讀者進(jìn)一步了解和認(rèn)識(shí)氮化物紫外光電器件及其應(yīng)用。本書由德國(guó)、美國(guó)、日本、愛(ài)爾蘭等國(guó)的知名專家共同執(zhí)筆,各章的作者都在相關(guān)領(lǐng)域有著豐富的經(jīng)驗(yàn),其對(duì)技術(shù)發(fā)展的獨(dú)到見(jiàn)解,能夠開拓讀者思路,為國(guó)內(nèi)氮化物紫外光電子器件的發(fā)展提供借鑒和參考。本書可供電氣工程、材料科學(xué)、物理學(xué)研究生層次的學(xué)生、研究人員和科學(xué)家,以及將紫外發(fā)光器件和探測(cè)器用到各種領(lǐng)域的開發(fā)人員參考。
1. 本書系統(tǒng)性地總結(jié)了全球紫外光電子器件的研究進(jìn)展。詳細(xì)介紹了用于紫外光電子的氮化物襯底、外延、材料物理以及紫外發(fā)光二極管、激光器以及紫外探測(cè)器的制備。
2. 由德國(guó)柏林工業(yè)大學(xué)固體物理研究所的Michael Kneissl教授和Jens Rass教授召集德國(guó)、美國(guó)、日本、愛(ài)爾蘭等近50名全球知名專家共同編寫。
3. 除基礎(chǔ)理論外,本書精心選擇紫外光電子的重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域加以詳述:(1)UVA光譜范圍內(nèi)的重要應(yīng)用包括UV固化和紫外感測(cè);(2)UV-B的關(guān)鍵應(yīng)用是光療,特別是牛皮癬和白癜風(fēng)的治療,以及植物生長(zhǎng)照明例如靶向觸發(fā)次生植物代謝物;(3)UVC的大規(guī)模應(yīng)用是水凈化例如使用端系統(tǒng),廢水處理和回收,以及醫(yī)療器械和食品的消毒。
譯者前言半導(dǎo)體領(lǐng)域中,Ⅲ族氮化物的發(fā)展一直是過(guò)去幾十年,尤其是1993年以來(lái)至關(guān)重要的方向,特別是高能量光電子器件的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用開發(fā),是半導(dǎo)體領(lǐng)域最引人關(guān)注的研究工作。2014年,隨著氮化物藍(lán)光LED發(fā)明人獲得諾貝爾獎(jiǎng),藍(lán)光LED的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到巔峰。與此對(duì)應(yīng),技術(shù)難度更大的Ⅲ族氮化物基紫外光電器件正逐步向人們走來(lái),這其中有紫外發(fā)光二極管、激光器以及相關(guān)的紫外探測(cè)器,其目標(biāo)都是向更高Al組分、更短波長(zhǎng)發(fā)展,以期實(shí)現(xiàn)AlGaN全系的高性能紫外光電器件。諾貝爾獎(jiǎng)得主,日本名古屋大學(xué)教授天野浩就在藍(lán)光之后一直從事紫外發(fā)光器件方面的研究,主要是波長(zhǎng)為250~350nm的紫外LED,這種LED除了殺菌用途外,預(yù)計(jì)還可應(yīng)用于印刷、醫(yī)療、科學(xué)等領(lǐng)域。使用AlGaN或InAlGaN制作紫外光源的主要優(yōu)點(diǎn)是:① 具有通過(guò)量子阱(QW)獲得高效率光發(fā)射的可能性;② 具有在寬帶隙光譜區(qū)域內(nèi)同時(shí)產(chǎn)生p型和n型半導(dǎo)體的可能性;③ 氮化物硬度高并且器件壽命更長(zhǎng);④ 材料中沒(méi)有砷、汞和鉛等有毒有害物質(zhì);⑤ LED固有的優(yōu)點(diǎn),開關(guān)快速、能耗低、體積小等,不需要任何預(yù)熱時(shí)間,并且可以幾十納秒或更快的切換速度開啟和關(guān)閉。根據(jù)光譜范圍,人們劃分了UVA(320~400nm),UVB(280~320nm)和UVC(200~280nm)的范圍。而LED的優(yōu)勢(shì)使得研究人員預(yù)期了很多的應(yīng)用領(lǐng)域:UVA光譜范圍內(nèi)的重要應(yīng)用包括油墨、涂料、樹脂、聚合物和黏合劑的UV固化,以及快速原型和輕型結(jié)構(gòu)的3D打印。其他應(yīng)用可以在感測(cè)領(lǐng)域找到,例如,增白劑或熒光增白劑,探測(cè)安全的功能,例如,身份證和紙幣以及醫(yī)療應(yīng)用如血液氣體分析。UVB的關(guān)鍵應(yīng)用是光療,特別是牛皮癬和白癜風(fēng)的治療,以及植物生長(zhǎng)照明,例如靶向觸發(fā)次生植物代謝物。UVC的大規(guī)模應(yīng)用是水凈化(例如末端系統(tǒng))、廢水處理和回收,以及醫(yī)療器械和食品的消毒。UVB和UVC-LED也有許多傳感應(yīng)用,因?yàn)樵S多氣體(如SO2,NOx,NH3)和生物分子在這些光譜區(qū)顯示出吸收帶,包括色氨酸、NADH、酪氨酸、DNA和RNA。UVC-LED也可以用于非視距通信,也是重力傳感器領(lǐng)域中基礎(chǔ)科學(xué)實(shí)驗(yàn)的興趣所在,例如ESA/NASA激光干涉儀空間天線(LISA)任務(wù)中,用于實(shí)現(xiàn)電荷管理系統(tǒng)。諸多優(yōu)勢(shì)需要面對(duì)的現(xiàn)實(shí)就是技術(shù)上尚未成熟,需要更多的研發(fā)和合作,讓產(chǎn)學(xué)研、產(chǎn)業(yè)鏈上下游能夠協(xié)同起來(lái),把氮化物紫外發(fā)光器件推向如藍(lán)光LED般的高度。譯者所在研發(fā)中心已有10多年深紫外LED的開發(fā)歷程,深知其長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)鏈的難度以及技術(shù)開發(fā)積累的重要性。本書主編Michael Kneissl教授和Jens Rass教授均就職于德國(guó)柏林工業(yè)大學(xué)固體物理研究所與萊布尼茨高頻技術(shù)學(xué)院,費(fèi)迪南德-布朗學(xué)院。本書非常及時(shí)而且全面地總結(jié)了目前氮化物紫外發(fā)光器件的最新進(jìn)展,對(duì)于我們進(jìn)一步研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化是很好的借鑒。希望本書的翻譯出版能使更多的人了解這個(gè)領(lǐng)域,更多的人參與到這個(gè)領(lǐng)域,從而實(shí)現(xiàn)廣泛的技術(shù)交流和應(yīng)用開發(fā),能夠?yàn)棰笞宓镒贤夤怆娖骷a(chǎn)業(yè)提供幫助。因本書原著中采用英制學(xué)非國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的計(jì)量單位,為了保持原書中數(shù)據(jù)的直觀性,翻譯時(shí)并未對(duì)單位進(jìn)行改變,讀者使用數(shù)據(jù)時(shí)請(qǐng)用本書列出的單位換算表進(jìn)行換算即可。鑒于專業(yè)所限以及文學(xué)修養(yǎng)不足,書中疏漏難免,希望讀者海涵并能夠指正為盼。這里要感謝中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心的全體同事在氮化物材料、器件、封裝、應(yīng)用方面的工作,尤其是他們?cè)谧贤馄骷矫娴墓ぷ,也讓譯者能夠更貼切地表達(dá)出原文的專業(yè)術(shù)語(yǔ)。謝海忠老師等對(duì)翻譯進(jìn)行了校對(duì),在此一并致謝。段瑞飛 王軍喜 李晉閩中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心2018年于北京前言過(guò)去的二十年中,Ⅲ族氮化物基紫外發(fā)光二極管(UV-LED)及其應(yīng)用經(jīng)歷了飛速的發(fā)展。這可以通過(guò)許多方面來(lái)說(shuō)明。例如,在紫外LED領(lǐng)域發(fā)表的文章數(shù)量正穩(wěn)步上升,并在2014年時(shí)達(dá)到幾乎每年1000篇期刊文章(圖1)。然而,我們發(fā)現(xiàn),這樣快速增長(zhǎng)使得人們很難對(duì)所有研究進(jìn)展有全面的概述。很多時(shí)候,當(dāng)半導(dǎo)體材料和光電子器件領(lǐng)域的研究人員描述紫外發(fā)光器件的應(yīng)用時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)這些信息的系統(tǒng)性不夠。另一方面,在各個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用紫外發(fā)光器件和探測(cè)器的開發(fā)人員和工程師往往不理解材料和器件開發(fā)的復(fù)雜性。本書的目的就是把所有這些進(jìn)展置于同一背景下,提供Ⅲ族氮化物材料、紫外光電器件及其應(yīng)用的最新技術(shù)的全面綜述。目標(biāo)讀者為研究人員和電氣工程師,材料科學(xué)、物理學(xué)研究生以及科學(xué)家,將紫外發(fā)光器件和探測(cè)器應(yīng)用到各領(lǐng)域的開發(fā)人員。本書提供了Ⅲ族氮化物材料的概述,包括其結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)以及各種光電元器件,如UV-LED、紫外激光器和光電探測(cè)器的關(guān)鍵性能。本書還提供了一些關(guān)鍵紫外發(fā)光器件和探測(cè)器應(yīng)用的介紹,包括水凈化、光療、氣敏傳感、熒光激發(fā)、植物生長(zhǎng)照明和UV固化。雖然每個(gè)章節(jié)都是獨(dú)立的,并可以不需其他章節(jié)的知識(shí)來(lái)理解,但對(duì)各章的組織也是有意選擇的。首先集中于基礎(chǔ)材料的屬性,隨后章節(jié)集中在紫外器件,而最后幾個(gè)章節(jié)描述紫外發(fā)光器件和探測(cè)器的關(guān)鍵應(yīng)用。在第1章,Michael Kneissl介紹了Ⅲ族氮化物紫外發(fā)光器件的技術(shù)及其應(yīng)用。第2章Matthias Bickermann回顧了氮化鋁體襯底的生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)特性。第3章中,Eberhard Richter,Sylvia Hagedorn,Arne Knauer和Markus Weyers回顧了使用藍(lán)寶石作為襯底用于UV范圍內(nèi)氮化物基發(fā)光器件,尤其是氫化物氣相外延生長(zhǎng)低缺陷密度的AlGaN模板。第4章中,Hideki Hirayama討論了藍(lán)寶石襯底上低缺陷密度的AlN以及AlGaN層晶體生長(zhǎng)技術(shù),并給出最先進(jìn)的藍(lán)寶石DUV-LED性能特性。第5章中,Shigefusa F. Chichibu,Hideto Miyake,Kazumasa Hiramtsu和Akira Uedono深入討論了位錯(cuò)和點(diǎn)缺陷對(duì)近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響。第6章理解缺陷對(duì)UV-LED IQE的作用對(duì)于提高紫外LED效率和輸出功率至關(guān)重要。器件方面,UV-LED的光偏振和光提取等由Jens Rass和Neysha Lobo-Ploch給予綜述。AlN體襯底上UVC-LED的同質(zhì)外延生長(zhǎng)及其在水消毒中應(yīng)用由James R.Grandusky,Rajul V. Randive,Therese C. Jordan和Leo J. Schowalter在第7章綜述。Noble M.Johnson,John E.Northrup和Thomas Wunderer在第8章討論了AlGaN量子阱激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的光學(xué)增益,并展示了AlGaN基紫外激光二極管發(fā)展現(xiàn)狀。而在第9章,日盲和可見(jiàn)光盲紫外光電探測(cè)器由Moritz Brendel,Enrico Pertzsch,Vera Abrosimova和Torsten Trenkler進(jìn)行了回顧。第10章中,Marlene A.Lange,Tim Kolbe和Martin Jekel檢查了UVC-LED的水消毒應(yīng)用,同時(shí)第11章中,Uwe Wollina,Bernd Seme,Armin Scheibe和Emmanuel Gutmann描述了紫外發(fā)光器件在皮膚病光療中的應(yīng)用。第12章中,Hartmut Ewald和Martin Degner回顧了紫外發(fā)光器件在氣體傳感中的應(yīng)用,而第13章Emmanuel Gutmann,F(xiàn)lorian Erfurth,Anke Drewitz,Armin Scheibe和Martina C.Meinke討論了化學(xué)和生命科學(xué)領(lǐng)域的紫外熒光檢測(cè)和光譜系統(tǒng)應(yīng)用。第14章,Monika Schreiner,Inga Mewis,Susanne Neugart,Rita Zrenner,Melanie Wiesner,Johannes Glaab和Marcel.A.K. Jansen綜述了UV LED的植物生長(zhǎng)照明應(yīng)用,特別是適用UVB光譜的次生植物代謝物誘導(dǎo)。最后一章中,UV LED固化應(yīng)用由Christian Dreyer和Franziska Mildner綜述。我們要感謝各章的所有作者及時(shí)且準(zhǔn)備充分的貢獻(xiàn)。沒(méi)有他們的付出,辛勤工作和持之以恒,不可能會(huì)有這本書。我們也要特別感謝施普林格科學(xué)出版社的Claus Ascheron,他提供我們編輯這本書的機(jī)會(huì)并在此期間給予持續(xù)支持。Michael KneisslJens Rass德國(guó)柏林
段瑞飛,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所博士,北京中科優(yōu)唯科技有限公司副總經(jīng)理,氮化物半導(dǎo)體物理、材料、器件以及應(yīng)用十多年研究經(jīng)驗(yàn),致力于氮化物深紫外LED的產(chǎn)業(yè)化。王軍喜,研究員,博導(dǎo),中國(guó)科學(xué)半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在國(guó)內(nèi)首先制備出深紫外LED專用設(shè)備,開拓性實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)300nm以下毫瓦級(jí)LED器件,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。李晉閩,原中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng),科技部半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,國(guó)家半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)主席兼聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)主任。半導(dǎo)體照明外延、芯片及應(yīng)用集成技術(shù)團(tuán)隊(duì)的發(fā)起人和領(lǐng)導(dǎo)者。
第1章氮化物紫外光電子器件技術(shù)及應(yīng)用概述/001
摘要001
1.1背景002
1.2UV發(fā)光器件及其應(yīng)用003
1.3UV-LED的最新技術(shù)和未來(lái)挑戰(zhàn)004
1.4UV-LED的主要參數(shù)和器件性能007
1.5缺陷對(duì)UV-LED IQE的作用008
1.6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
1.7UV-LED的光提取011
1.8UV-LED的熱管理與退化012
1.9展望013
1.10小結(jié)014
致謝015
參考文獻(xiàn)015
第2章AlN體襯底的生長(zhǎng)與性能/025
摘要025
2.1AlN晶體的特性與歷史026
2.2PVT法生長(zhǎng)AlN體單晶:理論027
2.3PVT法生長(zhǎng)AlN體單晶:技術(shù)029
2.4籽晶生長(zhǎng)與晶體長(zhǎng)大031
2.5PVT生長(zhǎng)AlN體單晶的結(jié)構(gòu)缺陷033
2.6AlN襯底的雜質(zhì)及相應(yīng)性質(zhì)034
2.7結(jié)論與展望037
致謝038
參考文獻(xiàn)038
第3章藍(lán)寶石襯底上氮化物UV發(fā)光器件用AlGaN層氣相外延/044
摘要044
3.1簡(jiǎn)介045
3.2MOVPE生長(zhǎng)Al(Ga)N緩沖層046
3.3減少M(fèi)OVPE生長(zhǎng)Al(Ga)N層TDD的技術(shù)048
3.4HVPE生長(zhǎng)AlGaN層050
3.4.1HVPE技術(shù)基礎(chǔ)050
3.4.2襯底的選擇053
3.4.3HVPE選擇生長(zhǎng)AlGaN層結(jié)果054
3.5小結(jié)062
致謝063
參考文獻(xiàn)063
第4章AlN/AlGaN生長(zhǎng)技術(shù)和高效DUV-LED開發(fā)/067
摘要067
4.1簡(jiǎn)介068
4.2DUV-LED研究背景068
4.3藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN的生長(zhǎng)技術(shù)073
4.4內(nèi)量子效率(IQE)的顯著提高076
4.5222~351nm AlGaN和InAlGaN
DUV-LED080
4.6電注入效率(EIE)通過(guò)MQB的增加086
4.7未來(lái)高光提取效率(LEE)的LED設(shè)計(jì)092
4.8小結(jié)098
參考文獻(xiàn)098
第5章位錯(cuò)和點(diǎn)缺陷對(duì)近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響/101
摘要101
5.1簡(jiǎn)介103
5.2實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)104
5.3雜質(zhì)和點(diǎn)缺陷對(duì)AlN近帶邊發(fā)光動(dòng)力學(xué)的影響107
5.4AlxGa1-xN薄膜的近帶邊有效輻射壽命112
5.5硅摻雜及引起的陽(yáng)離子空位形成對(duì)AlN模板上生長(zhǎng)Al0.6Ga0.4N薄膜近帶邊發(fā)光的發(fā)光動(dòng)力學(xué)影響113
5.6小結(jié)117
致謝118
參考文獻(xiàn)118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6.1紫外LED光提取123
6.2光偏振125
6.2.1影響AlGaN層光偏振開關(guān)的因素127
6.2.2光學(xué)偏振與襯底方向的關(guān)系130
6.2.3光學(xué)偏振對(duì)光提取效率的影響132
6.3改善光提取的概念134
6.3.1接觸材料與設(shè)計(jì)134
6.3.2表面制備138
6.3.3封裝144
參考文獻(xiàn)145
第7章半導(dǎo)體AlN襯底上高性能UVC-LED的制造及其使用點(diǎn)水消毒系統(tǒng)的應(yīng)用前景/151
摘要151
7.1簡(jiǎn)介153
7.1.1UVC光源類型153
7.1.2什么是UVC光?153
7.1.3紫外殺菌如何工作?155
7.2AlN襯底上UVC LED的制造156
7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7.3.1UVT效應(yīng)162
7.3.2設(shè)計(jì)靈活性164
7.3.3流動(dòng)單元建模165
7.3.4流動(dòng)分析案例165
7.3.5UVC光的使用168
參考文獻(xiàn)169
第8章AlGaN基紫外激光二極管/171
摘要171
8.1簡(jiǎn)介172
8.2AlN體材上的最高材料質(zhì)量生長(zhǎng)174
8.2.1AlN體襯底174
8.2.2同質(zhì)外延AlN174
8.2.3AlGaN激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)175
8.2.4多量子阱有源區(qū)176
8.3寬帶隙AlGaN材料的大電流能力177
8.4大電流水平下的高注入效率180
8.5光泵浦UV激光器183
8.6緊湊深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8.6.1電子束泵浦激光器186
8.6.2InGaN基VECSEL 二次諧波產(chǎn)生187
8.7小結(jié)187
致謝188
參考文獻(xiàn)188
第9章日盲和可見(jiàn)光盲AlGaN探測(cè)器/192
摘要192
9.1簡(jiǎn)介193
9.2光電探測(cè)器基礎(chǔ)195
9.2.1特征參數(shù)與現(xiàn)象195
9.2.2各種類型的半導(dǎo)體光電探測(cè)器202
9.3Ⅲ族氮化物用于固態(tài)UV光電檢測(cè)211
9.3.1AlGaN基光電導(dǎo)體213
9.3.2AlGaN基MSM光電探測(cè)器213
9.3.3AlGaN基肖特基勢(shì)壘光電二極管214
9.3.4AlGaN基PIN光電二極管215
9.3.5AlGaN基雪崩光電探測(cè)器217
9.3.6AlGaN基光陰極219
9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9.4寬禁帶光電探測(cè)器現(xiàn)狀221
9.5小結(jié)223
參考文獻(xiàn)224
第10章紫外LED水消毒應(yīng)用/234
摘要234
10.1簡(jiǎn)介235
10.2紫外消毒的基本原則235
10.2.1影響紫外能流的因素237
10.2.2紫外反應(yīng)器性能的建模與驗(yàn)證239
10.3案例分析240
10.3.1測(cè)試紫外LED的實(shí)驗(yàn)設(shè)置提案241
10.3.2測(cè)試條件243
10.3.3使用紫外LED測(cè)試的結(jié)果246
10.4紫外LED水消毒應(yīng)用潛力251
致謝252
參考文獻(xiàn)252
第11章紫外發(fā)光器件皮膚病光療應(yīng)用/256
摘要256
11.1簡(jiǎn)介257
11.2紫外光療的光源257
11.2.1自然日光258
11.2.2氣體放電燈259
11.2.3激光器261
11.2.4UV-LED261
11.3皮膚紫外光療的變化262
11.3.1補(bǔ)骨脂素加UVA(PUVA)治療262
11.3.2寬譜UVB(BB-UVB)治療263
11.3.3窄譜UVB(NB-UVB)治療264
11.3.4UVA-1治療265
11.3.5靶向紫外光療265
11.3.6體外光化學(xué)治療(ECP)266
11.4主要皮膚適應(yīng)證的作用機(jī)制267
11.4.1牛皮癬268
11.4.2特應(yīng)性皮炎268
11.4.3白癜風(fēng)269
11.4.4皮膚T細(xì)胞淋巴瘤269
11.4.5扁平蘚和斑禿269
11.4.6全身性硬化癥和硬斑病270
11.4.7移植體抗宿主病270
11.4.8多形性日光疹270
11.5采用新型UV發(fā)光器件的臨床研究271
11.5.1使用無(wú)極準(zhǔn)分子燈的研究271
11.5.2使用紫外LED的研究272
11.6總結(jié)與展望273
參考文獻(xiàn)273
第12章紫外發(fā)光器件氣體傳感應(yīng)用/281
摘要281
12.1簡(jiǎn)介282
12.2吸收光譜284
12.3吸收光譜系統(tǒng)288
12.4紫外光譜儀光源291
12.5光譜儀用LED的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)295
12.6UV-LED吸收光譜儀的應(yīng)用298
12.6.1臭氧傳感器299
12.6.2臭氧傳感器設(shè)計(jì)299
12.6.3測(cè)量配置300
12.6.4結(jié)果300
12.6.5SO2和NO2傳感器301
12.6.6SO2/NO2氣體排放傳感器設(shè)計(jì)301
12.6.7測(cè)量配置302
12.7結(jié)論與展望303
參考文獻(xiàn)304
第13章化學(xué)與生命科學(xué)中的紫外熒光探測(cè)和光譜儀/306
摘要306
13.1簡(jiǎn)介307
13.2熒光檢測(cè)和光譜儀的基礎(chǔ)和裝置308
13.3實(shí)驗(yàn)室分析儀器用熒光313
13.4環(huán)境監(jiān)測(cè)和生物分析用熒光化學(xué)傳感315
13.5用自發(fā)熒光探測(cè)微生物322
13.6皮膚病醫(yī)療診斷用熒光326
13.7總結(jié)與展望329
參考文獻(xiàn)329
第14章UVB誘導(dǎo)次生植物代謝物/339
摘要339
14.1次生植物代謝物的本質(zhì)和形成340
14.2次生植物代謝物的營(yíng)養(yǎng)生理學(xué)341
14.3水果蔬菜消費(fèi)與慢性病的關(guān)系342
14.4植物-環(huán)境相互作用中的次生植物代謝物342
14.4.1植物的UVB感知和信令342
14.4.2UVB應(yīng)激源及植物生長(zhǎng)調(diào)節(jié)劑344
14.5結(jié)構(gòu)分化UVB響應(yīng)345
14.5.1類黃酮和其他酚類346
14.5.2硫代葡萄糖苷349
14.6定制的UVB-LED次生植物代謝物UVB誘導(dǎo)351
14.6.1研究現(xiàn)狀:UVB-LED用于植物照明351
14.6.2UVB-LED針對(duì)性植物屬性觸發(fā)的優(yōu)勢(shì)352
14.6.3UVB-LED針對(duì)性植物屬性觸發(fā)實(shí)驗(yàn)裝置353
14.7展望354
參考文獻(xiàn)354
第15章紫外LED固化應(yīng)用/365
摘要365
15.1簡(jiǎn)介366
15.2光源367
15.3化學(xué)機(jī)制368
15.4動(dòng)力學(xué)371
15.5醫(yī)學(xué)應(yīng)用372
15.6涂層、油墨和印刷375
15.7光固化快速成型377
15.8結(jié)論與展望378
參考文獻(xiàn)379
專業(yè)術(shù)語(yǔ)中英文對(duì)照表383
單位換算表400