本書對半導(dǎo)體存儲器技術(shù)進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術(shù)在機器學(xué)習或深度學(xué)習中的新型應(yīng)用。

本書是由高校光電專業(yè)負責人與光電龍頭企業(yè)的高級工程師、掌握世界最新光電前沿技術(shù)的海歸博士組成的編寫團隊編寫而成，具有前沿技術(shù)與基礎(chǔ)理論并重、理論聯(lián)系實際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產(chǎn)業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學(xué)習使用。全書內(nèi)容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎(chǔ)理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LE

在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計、制造工藝的學(xué)習參考書�！稑O簡圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細介紹了ISI的開發(fā)與設(shè)計、IS

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應(yīng)進行圖形化直觀展示，并詳細推導(dǎo)了各種公式。此外，還對小尺寸場效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設(shè)計、混沌信號分析、隨機數(shù)提取等問題進行研究，從理論上對超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機理進行了研究，從實踐上實現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機數(shù)發(fā)生器設(shè)計及產(chǎn)生真隨機數(shù)的評估。

本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等，并詳細介紹了測試標準、方法和原理，同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科，是信息、新能源（半導(dǎo)體照明、太陽能光伏）等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書共15章，詳細介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù)，重點介紹了半導(dǎo)體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料）的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，闡述了化合物半導(dǎo)體（包括Ⅲ-Ⅴ族

本書內(nèi)容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實際應(yīng)用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)理論及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應(yīng)用等，緊接著介紹了薄膜厚度的測量、薄膜分析檢測技術(shù)等方面的內(nèi)容，最后詳細闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線的具體工藝流程。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而

本書詳細介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取，全書共分7章，內(nèi)容包括緒論、實驗方案、鍺塵基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結(jié)論。