《半導體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、宏觀性質(zhì)間的聯(lián)系。第二部分則主要圍繞實際晶體中各種雜志與缺陷態(tài)對晶體性能的影響撰寫。第二部分擬分為四章撰寫，第六至八章分別重點介紹晶體中三個維度的缺陷類型，包括點缺陷、線缺陷和面缺陷。最后，第九章介紹了多種晶體缺陷分析技術(shù)，如X射線衍射法、透射電子顯微技術(shù)、離子微探針技術(shù)等。

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