碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用（原書第2版）（日本半導(dǎo)體界暢銷書，覆蓋碳化硅SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點(diǎn)）
定 價：168 元
叢書名：半導(dǎo)體與集成電路關(guān)鍵技術(shù)叢書
- 作者：[日] 松波 弘之 大谷 昇 木本 恒暢 中村 孝 等
- 出版時間：2022/7/1
- ISBN：9787111705161
- 出 版 社：機(jī)械工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN303
- 頁碼：396
- 紙張：
- 版次：
- 開本：16(B5)
以日本碳化硅學(xué)術(shù)界元老京都大學(xué)名譽(yù)教授松波弘之、關(guān)西學(xué)院大學(xué)知名教授大谷昇、京都大學(xué)實(shí)力派教授木本恒暢和企業(yè)實(shí)力代表羅姆株式會社的中村孝先生為各技術(shù)領(lǐng)域的牽頭，集日本半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學(xué)研各界中的骨干代表，在各自的研究領(lǐng)域結(jié)合各自多年的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點(diǎn)，以技術(shù)為主導(dǎo)、以應(yīng)用為目的的實(shí)用型專業(yè)指導(dǎo)書。書中從理論面到技術(shù)面層次分明、清晰易懂地展開觀點(diǎn)論述，內(nèi)容覆蓋碳化硅材料和器件從制造到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈，不僅表述了碳化硅各環(huán)節(jié)的科學(xué)原理，還介紹了各種相關(guān)的工藝技術(shù)。
本書對推動我國碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有積極意義，適合功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、工藝設(shè)備、應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃和投資領(lǐng)域人士閱讀，也可作為相關(guān)專業(yè)高年級學(xué)生的理想選修教材。
目錄
推薦序一
推薦序二
譯者序
原書前言
原書編委會成員
原書作者名單
第1章碳化硅（SiC）技術(shù)的進(jìn)展
1.1發(fā)展的歷史背景
1.2臺階控制外延生長模式的發(fā)明（SiC技術(shù)的大突破）
1.3SiC襯底結(jié)晶的研發(fā)進(jìn)展
1.4運(yùn)用于功率半導(dǎo)體的前景
1.5肖特基二極管的產(chǎn)業(yè)化
1.6晶體管的產(chǎn)業(yè)化
1.7功率器件模塊
第2章SiC的特征
第3章SiC單晶的晶體生長技術(shù)
3.1SiC晶體生長的基礎(chǔ)
3.2升華法
3.2.1使用升華法生長大尺寸SiC晶體
3.2.2RAF生長法
3.3液相法
3.3.1通過添加金屬溶媒的SiC單晶液相生長
3.3.2在六方晶襯底上進(jìn)行3C-SiC液相生長
3.3.3MSE法
3.4氣相法
3.4.1氣體生長法
3.4.2Si襯底上生長3C-SiC厚膜
3.5SiC晶體生長工藝的仿真模擬技術(shù)
3.5.1升華法生長單晶的仿真模擬
3.5.2橫向熱壁CVD生長模擬
第4章SiC單晶襯底加工技術(shù)
4.1SiC單晶多線切割
4.1.1加工設(shè)備以及工具
4.1.2各種加工方式的優(yōu)缺點(diǎn)
4.2SiC單晶襯底的研磨技術(shù)
4.2.1粗加工
4.2.2精加工
4.2.3雙面CMP
4.3SiC單晶的新加工法
4.3.1CARE法
4.3.2放電加工法
第5章SiC外延生長技術(shù)
5.1SiC外延生長的基礎(chǔ)
5.2SiC外延生長技術(shù)的進(jìn)展
5.2.1SiC外延層的高品質(zhì)化
5.2.2SiC外延層的高速生長
5.3有關(guān)SiC外延生長中晶體缺陷的研究
5.3.1擴(kuò)展缺陷
5.3.2點(diǎn)缺陷
專欄：石墨烯
第6章SiC的表征技術(shù)
6.1SiC的物理性質(zhì)評價
6.1.1光致發(fā)光
6.1.2拉曼散射評估
6.1.3霍爾效應(yīng)
6.1.4載流子壽命測量
6.2SiC的缺陷評估
6.2.1采用化學(xué)刻蝕評估位錯
6.2.2X射線形貌法下的位錯、堆垛層錯缺陷等的評估
6.2.3深能級評估
6.2.4電子自旋共振（ESR）下的點(diǎn)缺陷評估
專欄：晶圓成像評估
ⅩⅤⅠⅠⅩⅤⅠⅠⅠ第7章SiC的工藝技術(shù)
7.1離子注入
7.1.1維持SiC表面平坦化
7.1.2低電阻n型區(qū)的形成
7.1.3低電阻p型區(qū)的形成
7.1.4離子注入的Al與B的分布控制
7.2刻蝕
7.2.1反應(yīng)等離子體刻蝕
7.2.2高溫刻蝕
7.2.3濕法刻蝕
7.2.4刻蝕形狀的控制
7.3柵極絕緣層
7.3.1MOS界面基礎(chǔ)與界面物理性質(zhì)評估法
7.3.2熱氧化膜
7.3.3沉積氧化膜
7.3.4高相對介電常數(shù)絕緣膜
7.4電極
7.4.1歐姆電極
7.4.2肖特基電極
專欄：MEMS
第8章器件
8.1器件設(shè)計
8.1.1漂移層的設(shè)計與導(dǎo)通電阻
8.1.2器件的功率損耗
8.2模擬實(shí)驗(yàn)
8.2.1功率器件的等比例縮小和巴利加優(yōu)值
8.2.2SiC功率器件模擬的收斂問題
8.2.3SiC的碰撞電離系數(shù)的各向異性
8.2.4SiC器件的終端結(jié)構(gòu)
8.3二極管
8.3.1pn結(jié)二極管
8.3.2肖特基勢壘二極管
8.4單極型晶體管
8.4.1DMOSFET
8.4.2溝槽MOSFET
8.4.3DACFET
8.4.4IEMOSFET
8.4.5JFET
8.4.6嵌入溝槽型SiC JFET
8.4.7SIT
8.5雙極型晶體管
8.5.1BJT
8.5.2晶閘管，GCT
8.6高輸出功率、高頻率器件
8.6.1晶體管
8.6.2二極管
專欄：絕緣柵雙極型晶體管
第9章SiC應(yīng)用系統(tǒng)
9.1SiC器件在電路工藝上的應(yīng)用
9.1.1SiC功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域以及電路設(shè)計
9.1.2電路小型化的SiC功率器件應(yīng)用
9.1.3SiC功率器件在電路上的應(yīng)用實(shí)例
9.2在逆變電路上的應(yīng)用（1）：通用逆變器
9.2.1通用逆變器主要結(jié)構(gòu)
9.2.2逆變器單元設(shè)計、試制示例
9.3在逆變電路上的應(yīng)用（2）：車載逆變器
9.3.1車載逆變器的構(gòu)成
9.3.2車載逆變器對功率半導(dǎo)體性能的要求以及
對SiC的期待
9.3.3SiC逆變器的車載實(shí)例
9.3.4車載SiC逆變器今后的研究課題
9.4在逆變電路上的應(yīng)用（3）：鐵路用逆變器
9.4.1鐵路用逆變器與功率器件
9.4.2鐵路用逆變器的電路結(jié)構(gòu)
9.4.3鐵路用逆變器上的SiC器件應(yīng)用
9.5在逆變電路上的應(yīng)用（4）：電力用逆變器
9.5.1使用SiC二極管的混合結(jié)構(gòu)逆變器與電力穩(wěn)定裝置
9.5.2SiC MOSFET構(gòu)成的太陽能電池并網(wǎng)用三相逆變器
9.5.3帶有應(yīng)對瞬時電壓下降功能的負(fù)荷平衡裝置用
高過載三相全SiC逆變器
專欄：高耐熱模塊
ⅩⅠⅩⅩⅩ第10章各領(lǐng)域SiC應(yīng)用前景
10.1新能源汽車
10.1.1汽車行業(yè)的外部環(huán)境
10.1.2豐田HV的過去、現(xiàn)在和將來
10.1.3最新HV
10.1.4對SiC產(chǎn)業(yè)今后的期待
10.2太陽能發(fā)電
10.2.1光伏逆變器
10.2.2對下一代功率半導(dǎo)體的期待
10.3電源，UPS
10.3.1直流電源
10.3.2UPS
10.4鐵路
10.4.1鐵路列車半導(dǎo)體電力變換裝置概要
10.4.2鐵路電氣化方式
10.4.3主電路用逆變器
10.4.4交流電氣化區(qū)域的主電路
10.4.5SIV
10.4.6變電站
10.4.7市場規(guī)模
10.4.8SiC化的動向
10.5家電
10.5.1家電領(lǐng)域的電力使用
10.5.2電力電子家電的變遷及SiC的萌芽
10.5.3家電的逆變器與功率半導(dǎo)體
10.5.4SiC器件的前景
10.6電力
10.6.1功率半導(dǎo)體器件的電力系統(tǒng)適用實(shí)例及SiC適用效果
10.6.2智能電網(wǎng)
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