本書依據(jù)《半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工國家職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)》，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工（技師、高級技師）應(yīng)具備的理論知識、實(shí)際操作技能、培訓(xùn)與管理知識。重點(diǎn)講述了芯片裝架、分立器件和集成電路鍵合、內(nèi)部目檢、封帽、封帽后處理、常用元器件檢驗(yàn)、微電子器件基礎(chǔ)工藝、厚膜混合集成電路制造工藝、電鍍技術(shù)、貼裝元器件

本書主要內(nèi)容包括認(rèn)識電子CAD軟件、繪制簡單原理圖、制作原理圖元件、設(shè)計(jì)復(fù)雜原理圖和層次原理圖、設(shè)計(jì)單面PCB、創(chuàng)建元件引腳封裝以及設(shè)計(jì)雙面PCB。

"AltiumDesigner電路板設(shè)計(jì)與3D仿真從簡單的電源電路、多聲道功率放大器電路的原理圖設(shè)計(jì)、繪制出發(fā)，講述了電路板設(shè)計(jì)的原理圖設(shè)計(jì)、原理圖庫文件的設(shè)計(jì)與編輯、PCB設(shè)計(jì)與PCB元件封裝設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)的CAD/CAM導(dǎo)出，以及3D電路板的仿真設(shè)計(jì)等內(nèi)容，各章節(jié)的項(xiàng)目載體簡單實(shí)用，闡述設(shè)計(jì)的步驟和方法由淺入深，

本書是作者在多年科研和教學(xué)工作實(shí)踐總結(jié)的基礎(chǔ)上整理編寫而成的。全書共7章，全面介紹密碼芯片設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識和關(guān)鍵技術(shù)。主要內(nèi)容包括：密碼芯片的基本概念與性能指標(biāo)，密碼芯片的總體設(shè)計(jì)與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，邏輯運(yùn)算、模加運(yùn)算、模乘運(yùn)算、有限域乘法運(yùn)算、移位操作、比特置換、查表操作、反饋移位寄存器等8類密碼處理單元設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)單元與互聯(lián)單

本書主要內(nèi)容包括：體微加工、表面微加工、CMOS-MEMS、晶圓互連、晶圓鍵合和密封、系統(tǒng)級封裝等，對MEMS器件的三維集成與封裝進(jìn)行了探索，梳理了業(yè)界前沿的MEMS芯片制造工藝，介紹了與集成電路成熟工藝兼容的MEMS技術(shù)，介紹了已被廣泛使用的硅基MEMS以及圍繞系統(tǒng)集成的技術(shù)，總結(jié)了各類MEMS三維芯片的集成工藝以及

本教材第3版曾獲首屆全國教材建設(shè)獎(jiǎng)全國優(yōu)秀教材二等獎(jiǎng)。本書是"十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材和普通高等教育"十一五”國家級規(guī)劃教材，全書遵循集成電路設(shè)計(jì)的流程，介紹集成電路設(shè)計(jì)的一系列知識。全書共12章，主要內(nèi)容包括：集成電路設(shè)計(jì)概述，集成電路材料、結(jié)構(gòu)與理論，集成電路基本工藝，集成電路器件工藝，MOS場效應(yīng)管

本書是華中科技大學(xué)“中國芯”社會(huì)實(shí)踐團(tuán)隊(duì)優(yōu)秀調(diào)研報(bào)告的合集。自2018年以來，華中科技大學(xué)四次開展“中國芯”主題社會(huì)實(shí)踐活動(dòng)，共派出4支隊(duì)伍、80余名師生，圍繞“中國芯的現(xiàn)狀如何破局”“中國芯青年人才如何培養(yǎng)”等問題，對芯片領(lǐng)域的重要企業(yè)、相關(guān)高校和政府做了深度采訪和調(diào)研，積累了大量一手調(diào)研資料和相關(guān)數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上提

本書共由4個(gè)項(xiàng)目構(gòu)成，每個(gè)項(xiàng)目通過從簡單的工作過程到復(fù)雜的工作過程，詳細(xì)介紹了AltiumDesigner軟件中原理圖設(shè)計(jì)和印制電路板設(shè)計(jì)兩部分內(nèi)容。其中,原理圖設(shè)計(jì)部分包括原理圖設(shè)計(jì)、層次原理圖設(shè)計(jì)、原理圖元器件符號設(shè)計(jì)與修改等部分；印制電路板設(shè)計(jì)部分包括雙面PCB設(shè)計(jì)、單面PCB設(shè)計(jì)、元器件封裝設(shè)計(jì)等部分。

本書分3章，共26個(gè)實(shí)驗(yàn)，第1章為基礎(chǔ)工藝，包含真空技術(shù)、硅片的清洗及氧化、光刻工藝流程實(shí)驗(yàn)教學(xué)、氧等離子體刻蝕等；第2章為檢測測量技術(shù)，包含MSFET器件特性的測量與分析、橢圓偏振儀測薄膜厚度、紫外可見分光光度計(jì)測量亞甲基藍(lán)溶液濃度等；第3章為工藝基礎(chǔ)及應(yīng)用，包含表面波等離子體放電實(shí)驗(yàn)、脈沖放電等離子體特性實(shí)驗(yàn)、低氣

當(dāng)前和今后一段時(shí)期將是我國集成電路和光電芯片技術(shù)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期，加強(qiáng)自主集成電路和光電芯片技術(shù)的研發(fā)工作，布局和突破關(guān)鍵技術(shù)并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展是我國當(dāng)前的重大戰(zhàn)略需求�！吨袊�集成電路與光電芯片2035發(fā)展戰(zhàn)略》面向2035年探討了國際集成電路與光電芯片前沿發(fā)展趨勢和中國從芯片