本書分3章,共26個實驗,第1章為基礎(chǔ)工藝,包含真空技術(shù)、硅片的清洗及氧化、光刻工藝流程實驗教學(xué)、氧等離子體刻蝕等;第2章為檢測測量技術(shù),包含MSFET器件特性的測量與分析、橢圓偏振儀測薄膜厚度、紫外可見分光光度計測量亞甲基藍溶液濃度等;第3章為工藝基礎(chǔ)及應(yīng)用,包含表面波等離子體放電實驗、脈沖放電等離子體特性實驗、低氣壓容性耦合等離子體特性實驗等。
■ 章基礎(chǔ)工藝
實驗11真空技術(shù)/2
實驗12硅片的清洗及氧化 /10
實驗13光刻工藝流程實驗教學(xué)/16
實驗14氧等離子體刻蝕/20
實驗15等離子體增強化學(xué)氣相沉積/27
實驗16磁控濺射法制備金屬薄膜/33
實驗17原子層沉積法制備納米薄膜的實驗原理及
工藝流程/38
■ 第二章檢測測量技術(shù)
實驗21MOSFET器件性的測量與分析/45
實驗22橢圓偏振儀測薄膜厚度/51
實驗23紫外可見分光光度計測量亞甲基藍溶液濃度/56
實驗24傅立葉變換紅外光譜法(FTIR)
測定硅中雜質(zhì)氧的含量/62
實驗25等離子體朗繆爾探針診斷技術(shù)/68
附錄/74
實驗26等離子體發(fā)射光譜診斷技術(shù)/78
附錄/83
實驗27質(zhì)譜法測定氧氣放電組成成份及能量實驗/84
實驗28半導(dǎo)體二極管的伏安性及溫度性/90
實驗29ICCD器件的性研究及應(yīng)用/95
實驗210四探針法測量相變材料的變溫電阻線/104
實驗211薄膜厚度和形貌測量/111
■ 第三章工藝基礎(chǔ)及應(yīng)用
實驗31表面波等離子體放電實驗/118
實驗32脈沖放電等離子體性實驗/125
實驗33低氣壓容性耦合等離子體性實驗/130
附錄/135
實驗34低氣壓感性耦合等離子體(ICP)性實驗/137
實驗35等離子體晶格/141
實驗36等離子體功能材料制備與光學(xué)性能檢測/147
實驗37低溫等離子體染料廢水處理實驗/151
實驗38低溫等離子體產(chǎn)生O3及其應(yīng)用的實驗探索/160
■ 參考文獻/164