如果“芯片”是電子設(shè)備的大腦的話，那么功率半導(dǎo)體器件以及所構(gòu)成的系統(tǒng)就是電子設(shè)備的心臟，為大腦提供能源，二者缺一不可。
作為電力電子技術(shù)核心器件的功率半導(dǎo)體器件，自1956年第一只晶閘管誕生以來(lái)，得到了迅速的發(fā)展。如今的功率半導(dǎo)體器件種類繁多，相關(guān)文獻(xiàn)大量涌現(xiàn)，很多著作都非常具有代表性，其中，《功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》（美，B�盝�盉aliga著，韓鄭生等譯，2013年2月由電子工業(yè)出版社出版），內(nèi)容全面、系統(tǒng)，既包含理論基礎(chǔ)，又包含各種功率半導(dǎo)體器件的工作原理，并有對(duì)理論模型的仿真驗(yàn)證，但對(duì)于學(xué)時(shí)有限的讀者來(lái)說(shuō)，篇幅過(guò)大�！峨娏Π雽�(dǎo)體新器件及其制造技術(shù)》（王彩琳編著，2015年6月由機(jī)械工業(yè)出版社出版），內(nèi)容新穎，對(duì)功率半導(dǎo)體器件制造技術(shù)進(jìn)行了較詳細(xì)的介紹，非常適合專業(yè)人士閱讀學(xué)習(xí)�！豆β拾雽�(dǎo)體器件——原理、特性和可靠性》（德，J�盠utz著，卞抗譯，2013年6月由機(jī)械工業(yè)出版社出版），分析透徹，尤其是對(duì)功率半導(dǎo)體器件損壞機(jī)理的分析非常精彩，翻譯準(zhǔn)確，但更適合有一定專業(yè)基礎(chǔ)的專業(yè)人士閱讀學(xué)習(xí)，對(duì)初學(xué)者有一定難度�！豆β拾雽�(dǎo)體器件與應(yīng)用》（瑞士，S�盠inder著，肖曦、李虹等譯，2009年5月由機(jī)械工業(yè)出版社出版），語(yǔ)言簡(jiǎn)練，篇幅雖然不大，但包含的內(nèi)容很有實(shí)用性，更適合專業(yè)人士閱讀學(xué)習(xí)。為了方便初學(xué)讀者系統(tǒng)、全面地學(xué)習(xí)功率半導(dǎo)體器件的相關(guān)知識(shí)，需要一本全面系統(tǒng)介紹各種功率半導(dǎo)體器件工作原理，內(nèi)容由淺入深，而且篇幅適中的圖書。
為適應(yīng)這種需求，作者綜合了諸多相關(guān)文獻(xiàn)，結(jié)合多年的教學(xué)和科研工作經(jīng)驗(yàn)，完成了本書。書中包括以下幾個(gè)方面的內(nèi)容：
1. 功率半導(dǎo)體器件的分類及發(fā)展歷程
功率半導(dǎo)體器件分為功率二極管和功率開(kāi)關(guān)器件。功率二極管分單極型和雙極型兩大類。功率開(kāi)關(guān)器件從結(jié)構(gòu)上可分為晶閘管類開(kāi)關(guān)器件和晶體管類開(kāi)關(guān)器件，從時(shí)間上可分為傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)器件（以晶閘管及派生器件為主）和現(xiàn)代開(kāi)關(guān)器件（以功率MOSFET和IGBT為主）。這一部分內(nèi)容為讀者介紹了功率半導(dǎo)體器件這個(gè)“大家族”的主要成員，及各自的特點(diǎn)和發(fā)展歷程。
2.功率二極管
功率二極管分單極型和雙極型進(jìn)行討論和分析。單極型二極管以傳統(tǒng)的單極型二極管——肖特基二極管為基礎(chǔ)，在此基礎(chǔ)上，介紹JBS等改進(jìn)型的單極型二極管。雙極型二極管以傳統(tǒng)的雙極型二極管——PiN二極管為基礎(chǔ)，在此基礎(chǔ)上，介紹MPS等改進(jìn)型雙極型二極管。
3.功率開(kāi)關(guān)器件
功率開(kāi)關(guān)器件分為傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)器件和現(xiàn)代開(kāi)關(guān)器件。傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)器件以晶閘管為主，在此基礎(chǔ)上，介紹以GTO晶閘管為主的晶閘管派生器件�，F(xiàn)代功率開(kāi)關(guān)器件以功率MOSFET和IGBT為主。
4.功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用綜述
以脈沖寬度調(diào)制（PWM）為例說(shuō)明如何根據(jù)器件的額定電壓和電路的開(kāi)關(guān)頻率選擇適合應(yīng)用的最佳器件。
本書特點(diǎn)：
1）功率二極管的內(nèi)容更加豐富。隨著高性能功率開(kāi)關(guān)器件的出現(xiàn)（如功率MOSFET和IGBT），功率二極管的性能成為限制功率電路性能的主要因素。本書在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基整流器和PiN整流器）的基礎(chǔ)上，增加了結(jié)勢(shì)壘控制肖特基（JBS）二極管、溝槽肖特基勢(shì)壘控制肖特基（TSBS）二極管、溝槽MOS勢(shì)壘控制肖特基（TMBS）二極管等先進(jìn)的單極型二極管，以及MPS等新型雙極型二極管的內(nèi)容。
2）增加了仿真案例。對(duì)器件特性進(jìn)行仿真，將器件外部特性和器件內(nèi)部微觀機(jī)制建立可視化的對(duì)應(yīng)關(guān)系，不僅能夠佐證理論模型，還可以幫助讀者加深對(duì)所學(xué)理論的理解。
3）設(shè)置了設(shè)計(jì)案例。對(duì)于經(jīng)典器件，如晶閘管，書中給出了實(shí)際設(shè)計(jì)案例，將所學(xué)理論內(nèi)容，以設(shè)計(jì)案例的形式連接在一起，形成整體化的知識(shí)體系。
4）增加了應(yīng)用綜述內(nèi)容，這一內(nèi)容的增加旨在讓讀者了解電路系統(tǒng)對(duì)功率器件特性的要求。沒(méi)有完美的器件，只有更合適的器件，不同的應(yīng)用場(chǎng)合，需要不同的器件。
本書由關(guān)艷霞、劉斌、吳美樂(lè)和盧雪梅合作完成，第2章由劉斌編寫，第3章由吳美樂(lè)編寫，第6章由盧雪梅編寫，其他章節(jié)由關(guān)艷霞編寫。
在本書的編寫過(guò)程中，我們得到了已故潘福泉老師的無(wú)私幫助，尤其在晶閘管設(shè)計(jì)方面。潘老師將實(shí)際案例和理論設(shè)計(jì)相結(jié)合，對(duì)理論設(shè)計(jì)提出了修正建議，謹(jǐn)以此書對(duì)潘老師表示深切懷念。
本書在正式出版之前，已在沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué)作為校內(nèi)教材使用多年，很多畢業(yè)生為此書提出了寶貴意見(jiàn)，在此表示深深的感謝。