《國(guó)外名校最新教材精選：半導(dǎo)體器件物理（第3版）》這本經(jīng)典著作在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域已經(jīng)樹(shù)立起了先進(jìn)的學(xué)習(xí)和參考典范。此書(shū)的第3版保留了重要半導(dǎo)體器件的最為詳盡的知識(shí)內(nèi)容，并做了更新和重新組織，反映了當(dāng)今器件在概念和性能等方面的巨大進(jìn)展，它可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場(chǎng)效應(yīng)、微波、光子器件和傳感器的性能特點(diǎn)。《半導(dǎo)體器件物理》（第3版）專(zhuān)為研究生教材和參考所需設(shè)計(jì)，新版本包括：以最新進(jìn)展進(jìn)行了全面更新；包括了對(duì)三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導(dǎo)體傳感器、量子級(jí)聯(lián)激光器、單電子晶體管、實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件等新型器件的敘述；對(duì)內(nèi)容進(jìn)行了重新組織和安排；各章后面配備了習(xí)題；重新高質(zhì)量地制作了書(shū)中的所有插圖。
《國(guó)外名校最新教材精選：半導(dǎo)體器件物理（第3版）》為工程師、研究人員、科技工作者、高校師生提供了解當(dāng)今應(yīng)用中最為重要的半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識(shí)，對(duì)預(yù)測(cè)未來(lái)器件性能和局限性提供了良好的基礎(chǔ)。
施敏教授的《半導(dǎo)體器件物理》自出版（1969年第l版，1981年第2版）以來(lái)，一直是該領(lǐng)域的經(jīng)典著作，始終被國(guó)內(nèi)外大學(xué)作為教科書(shū)或教學(xué)參考書(shū)，也是從事半導(dǎo)體器件研究和開(kāi)發(fā)的工程師及科學(xué)工作者的重要參考書(shū)。更新后的第3版，50％以上的內(nèi)容被修訂、更新和重新組織，既有經(jīng)典半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)及各類(lèi)傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的論述，又涵蓋了包括量子器件在內(nèi)的許多新型半導(dǎo)體器件，內(nèi)容更加豐富，更具時(shí)代氣息。各章末還附有習(xí)題，可以作為微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)、應(yīng)用物理專(zhuān)業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書(shū)和參考書(shū)，也可供相關(guān)領(lǐng)域的科學(xué)家與工程師參考。
全書(shū)共分為14章，耿莉翻譯了第1章～第4章、第12章、第13章、導(dǎo)言和附錄，張瑞智翻譯了第5章～第ll章和第14章，并對(duì)全部譯稿進(jìn)行了初審和統(tǒng)稿。感謝施敏教授的信任，將這本書(shū)的翻譯交給了譯者，在翻譯過(guò)程中也得到了他無(wú)微不至的關(guān)心和幫助，責(zé)任編輯賀峰濤和趙麗萍兩位老師為本書(shū)的出版付出了辛勤的勞動(dòng)，翻譯中還得到了陳貴燦教授、李昕和賀永寧老師的幫助，在此表示衷心的感謝。由于譯者水平及經(jīng)驗(yàn)所限，譯本中的不妥和疏漏之處在所難免，懇請(qǐng)廣大讀者批評(píng)指出。
施敏，（S.M.SZE），獲斯坦福大學(xué)電氣工程專(zhuān)業(yè)博士學(xué)位，1963-1989年在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作，1990年起在臺(tái)灣新竹交通大學(xué)（NCTU）電子工程系任教，施敏博士現(xiàn)在為NCTU的講座教授和斯坦福大學(xué)的顧問(wèn)教授，并擔(dān)任多所院校及研究機(jī)構(gòu)的客座教授，他對(duì)半導(dǎo)體器件有著基礎(chǔ)性和先驅(qū)性的貢獻(xiàn)，特別重要的是他合作發(fā)明了非揮發(fā)存儲(chǔ)器，如閃存和EEPROM。施敏博士已經(jīng)作為作者和合作作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇、專(zhuān)著12部，他的《半導(dǎo)體器件物理》（Wiley出版）一書(shū)是同時(shí)代工程和應(yīng)用科學(xué)出版物中被引用最多的著作（由ISI統(tǒng)計(jì)，引用超過(guò)15000條）。施敏博士獲得過(guò)多項(xiàng)獎(jiǎng)勵(lì)，為IEEE的終身會(huì)士、臺(tái)灣中央研究院院士和姜國(guó)國(guó)家工程院院士。伍國(guó)玨（KWOKK．NG），1979年獲哥倫比亞大學(xué)電氣工程專(zhuān)業(yè)博士學(xué)位，1975年獲羅格斯大學(xué)電氣工程專(zhuān)業(yè)學(xué)士學(xué)位。1980年進(jìn)入位于新澤西州MurrayHill的AT&T貝爾實(shí)驗(yàn)室，1996年作為朗訊科技的一部分剝離出來(lái)．后來(lái)隸屬于賓夕法尼亞州Allentown的杰爾系統(tǒng)（AgereSystems），2001年作為微電子部獨(dú)立出來(lái)。2005至2007年期間．他在加利福尼亞州SanJose的MVC和北卡羅萊納州Durham的半導(dǎo)體研究公司工作。伍國(guó)玨博士還扭任IEEEEle，ctronicLetters編輯及IEEE出版社的聯(lián)絡(luò)員，他是《半導(dǎo)體器件完全指導(dǎo)》（CompleteguidetoSereicondtIClOrDevices）第2版（Wiley出版）的作者。
譯者序
前言
導(dǎo)言
第1部分 半導(dǎo)體物理
第1章 半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體性質(zhì)概要
1.1 引言
1.2 晶體結(jié)構(gòu)
1.3 能帶和能隙
1.4 熱平衡時(shí)的載流子濃度
1.5 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象
1.6 聲子、光學(xué)和熱特性
1.7 異質(zhì)結(jié)和納米結(jié)構(gòu)
1.8 基本方程和實(shí)例
第2部分 器件的基本構(gòu)件
第2章 p-n結(jié)二極管
2.1 引言
2.2 耗盡區(qū)
2.3 電流-電壓特性
2.4 結(jié)擊穿
2.5 瞬變特性與噪聲
2.6 端功能
2.7 異質(zhì)結(jié)
第3章 金屬-半導(dǎo)體接觸
3.1 引言
3.2 勢(shì)壘的形成
3.3 電流輸運(yùn)過(guò)程
3.4 勢(shì)壘高度的測(cè)量
3.5 器件結(jié)構(gòu)
3.6 歐姆接觸
第4章 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體電容
4.1 引言
4.2 理想MIS電容
4.3 硅MOS電容
第3部分 晶體管
第5章 雙極晶體管
5.1 引言
5.2 靜態(tài)特性
5.3 微波特性
5.4 相關(guān)器件結(jié)構(gòu)
5.5 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
第6章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
6.1 引言
6.2 器件的基本特性
6.3 非均勻摻雜和埋溝器件
6.4 器件按比例縮小和短溝道效應(yīng)
6.5 MOSFET的結(jié)構(gòu)
6.6 電路應(yīng)用
6.7 非揮發(fā)存儲(chǔ)器
6.8 單電子晶體管
第7章 JFET，MESFET和MODFET器件
7.1 引言
7.2 JFET和MODFET
7.3 MODFET
第4部分 負(fù)阻器件和功率器件
第8章 隧道器件
8.1 引言
8.2 隧道二極管
8.3 相關(guān)的隧道器件
8.4 共振遂穿二極管
第9章 碰撞電離雪崩渡越時(shí)間二極管
第10章 轉(zhuǎn)移電子器件和實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件
第11章 晶閘管和功率器件
第5部分 光學(xué)器件和傳感器
第12章 發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
第13章 光電探測(cè)器和太陽(yáng)電池
第14章 傳感器
附錄
A.符號(hào)表
B.國(guó)際單位制
C.單位詞頭
D.希臘字母表
E.物理常數(shù)
F.重要半導(dǎo)體的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性
1.1引言
半導(dǎo)體器件物理學(xué)與半導(dǎo)體材料自身的物理特性有著天然的依賴(lài)關(guān)系。本章總結(jié)和回顧了半導(dǎo)體的基礎(chǔ)物理和性質(zhì)。它僅代表眾多半導(dǎo)體文獻(xiàn)的很小一部分，只有那些與器件工作相關(guān)的論題收入在這里。如果讀者想對(duì)半導(dǎo)體物理學(xué)有更為詳細(xì)的研究，可查閱Dunlap[1]、 MadelungE [2]、、MollEMossE[4]、SmithE[5]、Boer[6]、Seeger[7]及Wan[8]等人編著的標(biāo)準(zhǔn)教科書(shū)或參考書(shū)，這里也僅列出了少數(shù)幾本。
為了把大量資料濃縮在一章內(nèi)，本章匯集了來(lái)源于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的四個(gè)表格（一些在附錄中）和三十余幅圖片，重點(diǎn)講述兩種最重要的半導(dǎo)體材料：硅（Si）和砷化鎵（GaAs）。硅材料已得到了廣泛的研究并應(yīng)用于各類(lèi)商用電子產(chǎn)品中。近些年，人們對(duì)砷化鎵進(jìn)行了深入的研究，已研究清楚砷化鎵的特殊性質(zhì)是其可供光電應(yīng)用的直接帶隙能帶結(jié)構(gòu)，以及可產(chǎn)生微波的谷間載流子輸運(yùn)和高遷移率特性。
1.2晶體結(jié)構(gòu)
1.2.1原胞和晶面
晶體是具有周期性重復(fù)排列的原子的集合，將可以被重復(fù)并形成整塊晶體的最小原子排列稱(chēng)為原胞，其尺度由晶格常數(shù)a表示，圖1.1給出了一些重要原胞結(jié)構(gòu)。
許多重要的半導(dǎo)體具有屬于四面體的金剛石或閃鋅礦晶格結(jié)構(gòu)，即每個(gè)原子被位于正四面體頂角的四個(gè)等距緊鄰原子包圍，兩個(gè)緊鄰原子之間的鍵由自旋相反的兩個(gè)電子形成。金剛石和閃鋅礦晶格可認(rèn)為是兩個(gè)面心立方晶格（fee）的套構(gòu)，對(duì)于金剛石晶格，例如硅（圖1.1（d）），所有原子是相同的硅原子；而對(duì)于閃鋅礦晶格，如砷化鎵（圖1.1（e）），一個(gè)格點(diǎn)上為鎵原子，另一為砷原子，砷化鎵是Ⅲ-V族化合物，它由周期表的Ⅲ族元素和V族元素構(gòu)成。
……
書(shū)單推薦
