半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬計(jì)算方法是現(xiàn)代計(jì)算數(shù)學(xué)和工業(yè)與應(yīng)用數(shù)學(xué)的重要領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬是用電子計(jì)算機(jī)模擬半導(dǎo)體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設(shè)計(jì)和研制新型半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的有效工具。本書(shū)主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導(dǎo)體問(wèn)題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導(dǎo)體瞬態(tài)問(wèn)題的塊中心差分方

本書(shū)系統(tǒng)并扼要介紹國(guó)際上從上世紀(jì)八十年代直到今天持續(xù)活躍的關(guān)于半導(dǎo)體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導(dǎo)體中氫原子與分子的最初實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國(guó)內(nèi)研究人員的貢獻(xiàn)），到硅等元素半導(dǎo)體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導(dǎo)體中氫的基本性質(zhì)和重要效應(yīng)。其中包括對(duì)材料和器件研制至關(guān)重要的含氫復(fù)合物，荷電雜質(zhì)與缺陷的中性化，氫致半導(dǎo)

本書(shū)主要描述半導(dǎo)體材料的主要測(cè)試分析技術(shù)，介紹各種測(cè)試技術(shù)的基本原理、儀器結(jié)構(gòu)、樣品制備和分析實(shí)例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質(zhì)和缺陷的測(cè)試，其測(cè)試分析技術(shù)涉及到四探針電阻率測(cè)試、無(wú)接觸電阻率測(cè)試、擴(kuò)展電阻、微波光電導(dǎo)衰減測(cè)試、霍爾效應(yīng)測(cè)試、紅外光譜測(cè)試、深能級(jí)瞬態(tài)譜測(cè)試、正電子湮滅

《半導(dǎo)體工藝與測(cè)試實(shí)驗(yàn)》主要內(nèi)容包括半導(dǎo)體工藝的6個(gè)主要單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)、半導(dǎo)體材料特性表征與器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)、工藝和器件特性仿真實(shí)驗(yàn)。并通過(guò)綜合流程實(shí)驗(yàn)整合各單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)知識(shí)和技能，著重培養(yǎng)學(xué)生的半導(dǎo)體器件的綜合設(shè)計(jì)能力。

《真空鍍膜原理與技術(shù)》闡述了真空鍍膜的應(yīng)用，真空鍍膜過(guò)程中薄膜在基體表面生長(zhǎng)過(guò)程；探討了薄膜生長(zhǎng)的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學(xué)氣相沉積的原理、特點(diǎn)、裝置及應(yīng)用技術(shù)等。力求避開(kāi)煩瑣的數(shù)學(xué)公式，盡量用簡(jiǎn)單的語(yǔ)言闡述物理過(guò)程。通俗易懂、簡(jiǎn)單易學(xué)。

《信息科學(xué)技術(shù)學(xué)術(shù)著作叢書(shū)：硅通孔3D集成技術(shù)》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術(shù)的最新進(jìn)展和未來(lái)可能的演變趨勢(shì)，同時(shí)詳盡討論三維集成關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問(wèn)題和可能的解決方案。通過(guò)介紹半導(dǎo)體工業(yè)中的納米技術(shù)和三維集成技術(shù)的起源和演變歷史，結(jié)合當(dāng)前三維集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展重點(diǎn)討論

本書(shū)主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截?cái)�、單晶硅棒與多晶硅錠開(kāi)方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線(xiàn)切割、硅片清洗、硅片檢測(cè)與包裝等。本書(shū)根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務(wù)驅(qū)動(dòng)、項(xiàng)目訓(xùn)練的方法組織教學(xué)，以側(cè)重實(shí)踐操作技能為原則，注重實(shí)踐與理論的緊密結(jié)合，以職業(yè)崗位能力為主線(xiàn)突出應(yīng)用性和實(shí)踐性。本書(shū)適合

納米半導(dǎo)體具有常規(guī)半導(dǎo)體無(wú)法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領(lǐng)域具有空前的應(yīng)用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術(shù)產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動(dòng)力�！都{米半導(dǎo)體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導(dǎo)體特殊性能及其在信息

楊樹(shù)人、王宗昌、王兢編寫(xiě)的這本《半導(dǎo)體材料(第3版)》是為大學(xué)本科與半導(dǎo)體相關(guān)的專(zhuān)業(yè)編寫(xiě)的教材，介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書(shū)共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機(jī)理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/