本書(shū)首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

《非晶Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導(dǎo)體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質(zhì)結(jié)，從磁特性和電輸運(yùn)特性的角度進(jìn)行了研究�！斗蔷�Ge基磁性半導(dǎo)體的磁性和電輸運(yùn)

本書(shū)是作者長(zhǎng)期從事直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書(shū)中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長(zhǎng)設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測(cè)、智能優(yōu)化及

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ)，在消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國(guó)防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測(cè)試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用前景。圍繞SiC功率器件的基礎(chǔ)研究和前沿應(yīng)用，本書(shū)系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)，分析了器件的電-熱性能表征方

本書(shū)為“低維材料與器件叢書(shū)”之一。全書(shū)主要介紹低維半導(dǎo)體光子學(xué)的物理基礎(chǔ)，低維半導(dǎo)體材料制備與能帶調(diào)控、瞬態(tài)光學(xué)特性、光傳輸與光反饋、光子調(diào)控、非線性光學(xué)性質(zhì)和納米尺度光學(xué)表征與應(yīng)用，以及基于低維半導(dǎo)體材料或結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管、激光器、光調(diào)制器和非線性光學(xué)器件等，最后介紹了基于低維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)集成光子器件與技術(shù)。本書(shū)力求為

本書(shū)以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對(duì)象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎(chǔ)與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點(diǎn)，闡述寬禁帶電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)、原理與設(shè)計(jì)方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件

本書(shū)根據(jù)作者從事半導(dǎo)體材料研究所積累的理論知識(shí)、工作經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)資料，在查閱了大量的書(shū)籍和文獻(xiàn)資料的基礎(chǔ)上，將與半導(dǎo)體材料專業(yè)技術(shù)相關(guān)的知識(shí)要點(diǎn)提取出來(lái)，并根據(jù)作者的理解將相關(guān)內(nèi)容分成6個(gè)部分，即半導(dǎo)體材料概述、材料物理性能、晶體生長(zhǎng)、熱處理、材料性能測(cè)量和半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)技術(shù)。其中半導(dǎo)體材料物理性能被劃分為三大類12個(gè)方

本書(shū)梳理和總結(jié)了中國(guó)科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國(guó)院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動(dòng)的歷程。主要包括王占國(guó)院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎(jiǎng)項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國(guó)院士是我國(guó)著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對(duì)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、