《工業(yè)結晶技術》系統(tǒng)介紹了結晶過程中涉及的概念和基礎理論、工業(yè)結晶的工藝技術和設備、結晶器的設計和應用，并通過結合工程經(jīng)驗和應用實例，加深讀者對結晶學理論的理解。同時，緊跟行業(yè)發(fā)展前沿，全面介紹了近些年新發(fā)展起來的現(xiàn)代分析、結晶過程控制技術和模擬分析結晶過程的方法，為讀者提供了創(chuàng)新的發(fā)展方向和方法�！豆�業(yè)結晶技術》共八

本書系統(tǒng)介紹了人工晶體生長的基礎理論和相圖技術，在此基礎上全面介紹了人工晶體生長主流技術如水溶液法、助熔劑法、水熱法、焰熔法、提拉法和坩堝下降法等，詳細介紹了上述人工晶體生長技術的基本原理、設備設計與構造、生長工藝以及它們的優(yōu)缺點等。同時，作者結合自身多年科研工作成果積累，選擇性介紹了幾種重要的光電子晶體材料的生長技術

傳統(tǒng)的晶體生長理論模型創(chuàng)建時，受時代限制，缺乏原位實時觀測晶體生長過程微觀結構演化的實驗基礎，難以真實、完整地反映晶體生長過程中微觀結構的演化。本書突破了晶體生長機理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線衍射等現(xiàn)代觀測技術，從微觀尺度上，原位實時觀測晶體生長過程中微觀結構的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長時，

本書主要介紹了晶體生長技術及相關晶體缺陷，結合計算流體力學數(shù)值模擬和實驗研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運、化學反應等方面闡明了晶體生長技術的要點和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書也詳細介紹了分子動力學和第一性原理的研究策略，并應用于晶體缺陷的研究。本書的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書分4篇探討晶體生長的原理與技術。第一篇為晶體生長的基本原理，分5章對晶體生長的熱力學原理、動力學原理、界面過程、生長形態(tài)及晶體生長初期的形核相關原理進行論述。第二篇為晶體生長的技術基礎，分3章進行晶體生長過程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對流)、化學基礎問題(材料的提純與合成問題)以及物理基礎(電、磁、力的作用原理)

晶體生長科學與技術(第二版）（上冊