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晶體生長(zhǎng)微觀機(jī)理及晶體生長(zhǎng)邊界層模型

晶體生長(zhǎng)微觀機(jī)理及晶體生長(zhǎng)邊界層模型

定  價(jià):98 元

        

  • 作者:殷紹唐
  • 出版時(shí)間:2020/8/1
  • ISBN:9787030614322
  • 出 版 社:科學(xué)出版社
  • 中圖法分類(lèi):O78 
  • 頁(yè)碼:176
  • 紙張:
  • 版次:31
  • 開(kāi)本:B5
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讀者對(duì)象:本書(shū)適合于從事晶體生長(zhǎng)、固體物理等領(lǐng)域的科技工作者和研究生使用,也可作為相應(yīng)專(zhuān)業(yè)本科生的教材。

傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)理論模型創(chuàng)建時(shí),受時(shí)代限制,缺乏原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程微觀結(jié)構(gòu)演化的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ),難以真實(shí)、完整地反映晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書(shū)突破了晶體生長(zhǎng)機(jī)理研究的傳統(tǒng)思維,采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射X射線(xiàn)衍射等現(xiàn)代觀測(cè)技術(shù),從微觀尺度上,原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長(zhǎng)時(shí),熔體(高溫溶液)和晶體之間存在熔體(高溫溶液)結(jié)構(gòu)向晶體結(jié)構(gòu)過(guò)渡的晶體生長(zhǎng)邊界層,在邊界層內(nèi),生長(zhǎng)基元已具有單胞結(jié)構(gòu)。生長(zhǎng)晶面電荷靜電場(chǎng)的計(jì)算,證明了生長(zhǎng)界面上存在周期性丘狀網(wǎng)格靜電場(chǎng)。生長(zhǎng)基元在界面靜電場(chǎng)的作用下的取向獲得調(diào)整,并在靜電力的作用下準(zhǔn)確疊合到生長(zhǎng)界面的格位上。在這些研究的基礎(chǔ)上,創(chuàng)建了原創(chuàng)性的晶體生長(zhǎng)邊界層理論模型,模型對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)演化的各個(gè)環(huán)節(jié)都有實(shí)驗(yàn)和理論描述,準(zhǔn)確反映了晶體生長(zhǎng)微觀結(jié)構(gòu)演化的實(shí)際過(guò)程,并揭示了不少晶體生長(zhǎng)宏觀規(guī)律或經(jīng)驗(yàn)現(xiàn)象的微觀機(jī)制。

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