目錄
上冊(cè)
《凝聚態(tài)物理學(xué)叢書》出版說明 葛庭燧馮墻
第二版序 盧嘉錫
第一版序 陸學(xué)善
第一章晶體生長(zhǎng)熱力學(xué) 唐捸生李沈軍 1
51.1 相平衡及相變 2
1.1.1熱平衡 2
1.1.2 力學(xué)平衡 3
1.1.3 傳質(zhì)平衡 4
1.1.4 相律 5
1.1.5 相變 8
1.2相圖 13
1.2.1 單元系相圖 13
1.2.2 二元系相圖 14
1.2.3 三元系相圖 29
1.2.4 參閱或繪制相圖吋的注意事項(xiàng) 37
1.3 相圖在晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用 39
1.3.1 生長(zhǎng)配料 40
1.3.2 生長(zhǎng)方式的選擇 43
1.3.3 晶體完整性與生長(zhǎng)速率 47
1.3.4 生長(zhǎng)后的熱處理工藝 50
1.3.5 相圖在晶體生長(zhǎng)中的一個(gè)應(yīng)用實(shí)例 51
參考文獻(xiàn) 56
第二章晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué) 張克從、陳萬春57
2.1 晶體生長(zhǎng)形態(tài) 57
2.1.1 晶體生長(zhǎng)形態(tài)與生長(zhǎng)速率間的聯(lián)系 58
2.1.2 晶休生長(zhǎng)的理想形態(tài) 59
2.1.3 晶體生長(zhǎng)的實(shí)際形態(tài) 60
2.1.4晶體幾何形態(tài)與其內(nèi)部結(jié)構(gòu)間的聯(lián)系 61
2.1.5 環(huán)境相對(duì)晶體形態(tài)影響 66
2.2 晶體生長(zhǎng)的輸運(yùn)過程 70
2.2.1 輸運(yùn)的類型 71
2.2.2 邊界層理論 76
2.3 晶體生長(zhǎng)界面的穩(wěn)定性 82
2.3.1 研究界面穩(wěn)定性應(yīng)遵循的幾個(gè)原則 83
2.3.2 生長(zhǎng)界面穩(wěn)定性的判據(jù) 84
2.3.3 界面穩(wěn)定性動(dòng)力學(xué)理論 88
2.4 晶體生長(zhǎng)界面結(jié)構(gòu)理論模型 91
2.4.1 完整光滑面理論模型 92
2.4.2 非完整光滑面理論櫝型 94
2.4.3 粗糙界面理論模型 95
2.4.4 擴(kuò)散界面理論模型 99
2.5 晶體生長(zhǎng)界面動(dòng)力學(xué) 107
2.5.1 完整光滑面的生長(zhǎng) 107
2.5.2 非完整光滑面的生長(zhǎng) 112
2.5.3 粗糙界面的生長(zhǎng) 115
2.5.4 擴(kuò)散界面的生長(zhǎng) 117
2.5.5 BCF體擴(kuò)散理論和GGC體-表面耦合擴(kuò)散理論 119
2.5.6 高聚物晶體生長(zhǎng) 124
2.6 晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究實(shí)驗(yàn)方法 126
2.6.1 等組分方法 128
2.6,2原位實(shí)時(shí)觀察法 132
2-6.3 顯微照相法 137
2.6.4 光散射法 139
2.6.5 計(jì)算機(jī)模擬法* 143
2.7.2 空間微重力晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)
2.7.3 微重力狀態(tài)下的輸運(yùn)過程 154
2.7.4 微重力環(huán)境下的晶體生長(zhǎng)形態(tài) 158
2.7.5 微重力對(duì)晶體組分、結(jié)構(gòu)和完整性的影響 161
參考文獻(xiàn) 161
第三章溶液法生長(zhǎng)晶體 窗樟壽、審民華、王希教171
3.1 溶液和溶解度 172
3.1.1溶液的概念 172
3.1.2 溶解度和溶解度曲線 174
3.1.3 飽和與過飽和 178
3.1.4 溶液飽和溫度、溶解度和過飽和度的測(cè)定 182
3.1.5 溶劑的選擇和水溶液的結(jié)構(gòu) 188
3.1.6 溶液的物理性質(zhì) 191
3.2 溶液中晶體生長(zhǎng)的平衡 196
3.2.1 平衡和結(jié)晶過程的驅(qū)動(dòng)力 196
3.2.2 分E系數(shù) 198
3.2.3 相穩(wěn)定區(qū)和亞穩(wěn)相生長(zhǎng) 200
3.3 從溶液中生長(zhǎng)晶體的方法 203
3.3.1 降溫法 204
3.3.2 流動(dòng)法（溫差法） 208
3.3.3 蒸發(fā)法 209
3.3.4 電解溶劑法 211
3.4 溶液中培養(yǎng)單晶生長(zhǎng)條件的控制和單晶的完整性 217
3.4.1 籽晶 217
3.4.2 溶液的處理 219
3.4.3 介質(zhì)對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響 221
3.4.4 水溶液晶體的快速生長(zhǎng) 229
3.4.5 水溶性晶體常見的宏觀缺陷 231
3.5 凝膠法晶體生長(zhǎng) 235
3.5.1 凝膠法晶體生長(zhǎng)特點(diǎn) 235
3.5.2 凝膠的制備、性質(zhì)和結(jié)構(gòu) 236
3.5.3 凝膠法晶體生長(zhǎng)的類型 239
3.5.4成核及其控制 244
3.5.5 晶體生長(zhǎng)機(jī)制 245
3.5.6 凝膠法晶體生長(zhǎng)的最新進(jìn)展 246
參考文獻(xiàn) 247
第四章水熱法生長(zhǎng)晶體 經(jīng)和貞、賈壽泉249
4.1 水熱法生長(zhǎng)晶體的原理 251
4.2水熱結(jié)晶熱力學(xué)基礎(chǔ) 252
4.2.1 高溫高壓下水的熱力學(xué)特性 252
4.2.2 A-H2O及A-B-H2O系統(tǒng)中的PVT特性 255
4.2.3 水熱生長(zhǎng)系統(tǒng)中的相關(guān)系 260
4.2.4 水熱溶解反應(yīng) 263
4.3 水熱結(jié)晶動(dòng)力學(xué)基礎(chǔ) 269
4.3.1 生長(zhǎng)速率的各向異性 269
4.3.2 結(jié)晶溫度與溫差 271
4.3.3 壓力和溶劑填充度 274
4.3.4綬沖器 275
4.3.5 溶劑（礦化劑溶液）的化學(xué)成分及其濃度 278
4.3.6 培養(yǎng)料與籽晶 281
4.4 水熱法晶體生長(zhǎng)技術(shù) 282
4.4.1 高壓釜 282
4.4.2 高壓釜的加熱系統(tǒng)與溫控系統(tǒng) 294
4.4.3 壓力檢測(cè)與控制系統(tǒng) 297
4.5水熱法生長(zhǎng)晶體的幾個(gè)典型實(shí)例 298
4.5.1 a-SiO2晶體的水熱生長(zhǎng) 299
4.5.2 a-AlPO4晶體的水熱生長(zhǎng) 303
4.5.3 祖母綠及彩晶的水熱生長(zhǎng) 309
4.5.4 KTiOPO4晶體的水熱生長(zhǎng) 315
4.5.5 其他晶體的水熱生長(zhǎng) 326
參考文獻(xiàn) 326
第五章寓通溶液法生長(zhǎng)晶體 蔣培植、賈維義 336
5.1引言 336
5.2 助熔劑與溶液 338
5.2.1 助熔劑的類型 338
5.2.2 助熔劑的選擇原則 339
5.2.3 助熔劑和溶液的物化特性 341
5.2.4 加助熔劑的溶液中的相關(guān)系 350
5.2.5 常用助熔劑一覽 355
5.3 高溫溶液法的晶體生長(zhǎng)機(jī)理 356
5.3.1 速率決定過程 356
5.3.2 溶質(zhì)的輸運(yùn) 360
5.3.3 邊界層 362
5.3.4 界面動(dòng)力學(xué) 364
5.3.5 穩(wěn)態(tài)生長(zhǎng)條件 368
5.4 助熔劑晶體生長(zhǎng)的基本技術(shù) 370
5.4.1 方法的一般原理和分類 370
5.4.2 緩冷法 373
5.4.3 溶劑揮發(fā)法 378
5.4.4 溫差法 379
5.4.5 其它方法 382
5.5 高溫溶液生長(zhǎng)中的一些實(shí)用技術(shù) 385
5.5.1 頂部籽晶技術(shù) 385
5.5.2 球型坩堝技術(shù) 388
5.5.3 ACRT技術(shù) 390
5.5.4 誘導(dǎo)條紋技術(shù)（ISM） 393
5.5.5 熱重分折法 396
參考文獻(xiàn) 397
第六章從瑢體中生長(zhǎng)晶體 姜彥島、常英傳、任紹霞401
6.1 熔體生長(zhǎng)過程的特點(diǎn) 402
6.2 熔體生長(zhǎng)的一般原理 405
6.2.1 結(jié)晶過程的驅(qū)動(dòng)力 405
6.2.2 物質(zhì)傳輸、分凝和溶質(zhì)分布 407
6.2.3 熱傳輸、對(duì)流和溫度分布 420
6.2.4 界面穩(wěn)定性和組分過冷 436
6.3 熔體生長(zhǎng)的方法 442
6.3.1 提拉法 443
6.3.2 連續(xù)加料提拉法 445
6.3.3 泡生法. 445
6.3.4 坩堝移動(dòng)法 446
6.3.5 熱交換法 447
6.3.6 冷坩堝法 449
6.3.7 水平區(qū)熔法 449
6.3.8 浮區(qū)法 449
6.3.9 基座法 451
6.3.10 焰熔法 452
6.4 提拉法的生長(zhǎng)工藝 453
6.4.1 提拉法的一般工藝 453
6.4.2 提拉法晶體生長(zhǎng)實(shí)例一摻釹釔鋁石榷石晶體（Nd:YAG）的生長(zhǎng) 467
6.5 提拉法生長(zhǎng)中晶體缺陷的形成和控制 471
6.5.1 影響晶體完整性的主要原因和改善途徑 472
6.5.2 缺陷的形成和控制 486
6.5.3 晶體的后熱處理和摻質(zhì)退色 502
6.6 坩堝下降法的生長(zhǎng)設(shè)備、工藝及應(yīng)用 506
6.6.1 生長(zhǎng)設(shè)備 507
6.6.2 生長(zhǎng)工藝 513
6.6.3幾種典型閃爍晶體的性能與應(yīng)用 515
參考文獻(xiàn) 520
第七章半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng) 葉式中、陸大成524
7.1 熔體生長(zhǎng) 524
7.1.1 水平法生長(zhǎng)晶體 524
7.1.2 無坩堝懸浮溶區(qū)生長(zhǎng) 529
7.1.3 提拉法單晶生長(zhǎng)（CZ） 530
7.1.4 限邊法薄片狀晶體生長(zhǎng)（EJFG） 540
7.2 高溫溶液生長(zhǎng) 541
7.2.1溶液生長(zhǎng)晶片 541
7.2.2 液相外延生長(zhǎng) 541
7.2.3 飽和溶質(zhì)擴(kuò)散法晶體生長(zhǎng)（SSD） 549
7.3 氣相外延生長(zhǎng) 550
7.3.1 鹵化物氣相外延生長(zhǎng) 552
7.3.2 金厲有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng) 552
7.4 升華法晶體生長(zhǎng) 577
7.4.1 直接升華生長(zhǎng)法 577
7.4.2 氣相合成升華生長(zhǎng)法 582
7.5 離子束、離子團(tuán)束外延生長(zhǎng) 583
參考文獻(xiàn) 587
主題詞索引 589
后記 601
下冊(cè)
第八章分子束外延及相關(guān)的單晶薄膜生長(zhǎng)技術(shù) 周均銘
第九章人工寶石 張樂搞、吳星 傅林堂、葉安面、佟學(xué)禮
第十章合成云母 王國方、李明文
第十一章人造金剛石 洸主同
第十二章有機(jī)晶體 許東
第十三章新型非線性光學(xué)晶體 陳創(chuàng)天、俞琳華
第十四章晶體的品質(zhì)鑒定 劉琳、蔣培植、趙玉珍