本書主要內(nèi)容包括晶體生長(zhǎng)研究實(shí)例和晶體生長(zhǎng)前沿專題研究進(jìn)展上下兩篇，上篇主要收集、整理、介紹了作者團(tuán)隊(duì)有關(guān)晶體生長(zhǎng)的研究成果，包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長(zhǎng)、納米顆粒對(duì)純鋁和鋁硅合金晶體生長(zhǎng)的影響、合金元素對(duì)鎂合金表面氧化膜生長(zhǎng)的影響等有關(guān)研究實(shí)例，下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國(guó)內(nèi)外超高溫Nb-Si基合

本書為研究生教材，主要內(nèi)容包括晶體生長(zhǎng)研究實(shí)例和晶體生長(zhǎng)前沿專題研究進(jìn)展上下兩篇，上篇主要收集、整理、介紹了作者團(tuán)隊(duì)有關(guān)晶體生長(zhǎng)的研究成果，包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長(zhǎng)、納米顆粒對(duì)純鋁和鋁硅合金晶體生長(zhǎng)的影響、合金元素對(duì)鎂合金表面氧化膜生長(zhǎng)的影響等有關(guān)研究實(shí)例，下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國(guó)內(nèi)外超高溫

《工業(yè)結(jié)晶技術(shù)》系統(tǒng)介紹了結(jié)晶過(guò)程中涉及的概念和基礎(chǔ)理論、工業(yè)結(jié)晶的工藝技術(shù)和設(shè)備、結(jié)晶器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，并通過(guò)結(jié)合工程經(jīng)驗(yàn)和應(yīng)用實(shí)例，加深讀者對(duì)結(jié)晶學(xué)理論的理解。同時(shí)，緊跟行業(yè)發(fā)展前沿，全面介紹了近些年新發(fā)展起來(lái)的現(xiàn)代分析、結(jié)晶過(guò)程控制技術(shù)和模擬分析結(jié)晶過(guò)程的方法，為讀者提供了創(chuàng)新的發(fā)展方向和方法�！豆�業(yè)結(jié)晶技術(shù)》共八

本書系統(tǒng)介紹了人工晶體生長(zhǎng)的基礎(chǔ)理論和相圖技術(shù)，在此基礎(chǔ)上全面介紹了人工晶體生長(zhǎng)主流技術(shù)如水溶液法、助熔劑法、水熱法、焰熔法、提拉法和坩堝下降法等，詳細(xì)介紹了上述人工晶體生長(zhǎng)技術(shù)的基本原理、設(shè)備設(shè)計(jì)與構(gòu)造、生長(zhǎng)工藝以及它們的優(yōu)缺點(diǎn)等。同時(shí)，作者結(jié)合自身多年科研工作成果積累，選擇性介紹了幾種重要的光電子晶體材料的生長(zhǎng)技術(shù)

氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)與應(yīng)用正在快速發(fā)展，本書以作者所在團(tuán)隊(duì)多年來(lái)的研究工作為基礎(chǔ)，并作了大量擴(kuò)展和補(bǔ)充，呈現(xiàn)了該領(lǐng)域的最新研究成果。具體來(lái)說(shuō)，本書分八章內(nèi)容詳細(xì)介紹了氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)的基本原理、技術(shù)方法、發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用趨勢(shì)。本書系統(tǒng)性強(qiáng)，有較完整的專業(yè)知識(shí)講解，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)豐富。雖然本書所涉及內(nèi)容沒(méi)有涵蓋氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)

本書將礦物材料與固廢資源高效開(kāi)發(fā)利用緊密結(jié)合，闡述了脫硫石膏在酸性低鹽溶液中水熱制備晶須涉及的理論與技術(shù)。內(nèi)容包括：無(wú)機(jī)鹽添加劑對(duì)脫硫石膏溶液組成和晶須制備的影響、晶須制備宏觀參數(shù)與微觀參數(shù)之間定量關(guān)系、脫硫石膏晶須水熱生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、無(wú)機(jī)鹽陰陽(yáng)離子作用機(jī)理、晶須晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化規(guī)律、脫硫石膏晶須綠色制備與應(yīng)用探索等。

本書介紹了液封提拉法生長(zhǎng)晶體技術(shù)的特點(diǎn)及研究現(xiàn)狀、藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)技術(shù)的現(xiàn)代趨勢(shì)和應(yīng)用進(jìn)展,重點(diǎn)討論了基于液封提拉法制備藍(lán)寶石晶體、硅單晶的熱毛細(xì)對(duì)流的線性穩(wěn)定性分析方法,給出了微重力條件下、常重力條件下,5cSt硅油/HT-70、B2O3/藍(lán)寶石熔體工質(zhì)對(duì)在上部為自由表面的熱毛細(xì)對(duì)流、上部為自由表面的浮力-熱毛細(xì)對(duì)流、

本書屬Springer材料科學(xué)系列教材之一，主要內(nèi)容涉及目前蓬勃發(fā)展的高亮度可見(jiàn)光LED及照明工程等相關(guān)領(lǐng)域。包含的內(nèi)容主要有：GaN體材料的應(yīng)用前景、GaN材料的鹵化物氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)、采用GaN籽晶技術(shù)生長(zhǎng)GaN體材料、采用真空輔助技術(shù)生長(zhǎng)自支撐GaN襯底、采用鹵化物氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)生長(zhǎng)非極性與半極性GaN、GaN

傳統(tǒng)的晶體生長(zhǎng)理論模型創(chuàng)建時(shí)，受時(shí)代限制，缺乏原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程微觀結(jié)構(gòu)演化的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)，難以真實(shí)、完整地反映晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。本書突破了晶體生長(zhǎng)機(jī)理研究的傳統(tǒng)思維，采用高溫激光顯微拉曼光譜和同步輻射Ｘ射線衍射等現(xiàn)代觀測(cè)技術(shù)，從微觀尺度上，原位實(shí)時(shí)觀測(cè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中微觀結(jié)構(gòu)的演化。發(fā)現(xiàn)了晶體熔融生長(zhǎng)時(shí)，

本書用傳輸理論、熱力學(xué)、統(tǒng)計(jì)物理學(xué)和動(dòng)力學(xué)理論系統(tǒng)地總結(jié)和解釋了晶體生長(zhǎng)過(guò)程，著重討論了熔體生長(zhǎng)特別是直拉法生長(zhǎng)。結(jié)合溫場(chǎng)、溶質(zhì)分凝、液流效應(yīng)等問(wèn)題做了仔細(xì)的分析并給出相應(yīng)的物理解釋。對(duì)不同生長(zhǎng)系統(tǒng)中的的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)采用統(tǒng)一的觀點(diǎn)加以闡述。本書是一本全面論述晶體生長(zhǎng)理論的專著，既可作為高等院校學(xué)生和研究有關(guān)晶體生長(zhǎng)課程的