第一章 GaN襯底體材料市場(chǎng)的發(fā)展
1.1 引言
1.2 III族氮化物器件的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力和展望
1.3體GaN襯底材料的優(yōu)勢(shì)和重要性
1.4 體GaN襯底上GaN器件的發(fā)展趨勢(shì)
1.5體GaN襯底的發(fā)展趨勢(shì)
1.6 小結(jié)
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第二章 GaN的氫化物氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)
2.1 引言
2.2 HVPE法生長(zhǎng)GaN的熱力學(xué)分析
2.3 GaAs(100)襯底上的立方GaN生長(zhǎng)
2.4 生長(zhǎng)在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質(zhì)的比較
2.5 GaAs(111)A和(111)B面上生長(zhǎng)GaN初始生長(zhǎng)過(guò)程的Ab Initio計(jì)算
2.6 GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長(zhǎng)
2.7 Fe摻雜半絕緣GaN襯底的制備
參考文獻(xiàn)
第三章 HVPE法在GaN單晶上生長(zhǎng)體GaN
3.1 引言
3.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
3.4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第四章利用空洞輔助分離的HVPE生長(zhǎng)自支撐GaN晶片
4.1 引言
4.2 HVPE-VAS技術(shù)概要
4.3 多孔TiN薄膜的GaN模板制備
4.4 GaN模板上多孔TiN薄膜的HVPE生長(zhǎng)
4.5 HVPE-VAS技術(shù)制備GaN晶片的性能
4.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第五章非極性/半極性GaN的HVPE生長(zhǎng)法
5.1引言
5.2 異質(zhì)外延生長(zhǎng)薄膜及襯底的選擇
5.3 極性/半極性GaN的橫向過(guò)生長(zhǎng)技術(shù)
5.4 結(jié)論及展望
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第六章 MOVPE高生長(zhǎng)速率技術(shù)
6.1 引言
6.2 傳統(tǒng)MOVPE生長(zhǎng)AlGaN和GaN的特性
6.3 氣相反應(yīng)的量子化學(xué)研究
6.4 GaN高生長(zhǎng)速率的高流速反應(yīng)器生長(zhǎng)
6.5 討論和總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第七章氨堿條件下GaN的氨熱生長(zhǎng)技術(shù)
7.1 引言
7.2 生長(zhǎng)方法
7.3 晶體表征
7.4 氨熱法同質(zhì)外延生長(zhǎng)GaN
7.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第八章氨熱法生長(zhǎng)體GaN
8.1 引言
8.2 礦化劑對(duì)氨熱法合成GaN的影響
8.3 GaN在氨堿溶液中的溶解度
8.4 金屬Ga為反應(yīng)物的GaN籽晶生長(zhǎng)
8.5 多晶GaN作為反應(yīng)物的GaN籽晶生長(zhǎng)
8.6 體GaN的生長(zhǎng)及晶圓的切片
8.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第九章酸性氨熱法生長(zhǎng)GaN工藝
9.1 簡(jiǎn)介
9.2 酸性氨熱法生長(zhǎng)GaN工藝簡(jiǎn)史
9.3 生長(zhǎng)工藝
9.4 溶液化學(xué)性質(zhì)和生長(zhǎng)機(jī)制
9.5 氨熱法制GaN的特性
9.6 氨熱法生長(zhǎng)GaN的未來(lái)發(fā)展前景
參考文獻(xiàn)
第十章高壓溶液生長(zhǎng)GaN
10.1 簡(jiǎn)介
10.2 生長(zhǎng)方法
10.3 HPS生長(zhǎng)法自發(fā)結(jié)晶
10.4 HPS法生長(zhǎng)GaN籽晶
10.5 壓生GaN襯底的應(yīng)用: TopGaN Ltd的藍(lán)激光二極管
10.6 HPS生長(zhǎng)方法綜述與展望
參考文獻(xiàn)
第十一章鈉流法生長(zhǎng)大尺寸GaN晶體的簡(jiǎn)要回顧
11.1 簡(jiǎn)介
11.2 鈉流法歷史發(fā)展簡(jiǎn)述
11.3 鈉流法液相外延生長(zhǎng)GaN的實(shí)驗(yàn)條件
11.4 生長(zhǎng)機(jī)制和位錯(cuò)
11.5 GaN屬性
11.6 鈉流法的工業(yè)潛力
參考文獻(xiàn)
第十二章低壓液態(tài)法生長(zhǎng)GaN
12.1 簡(jiǎn)介
12.2 在常壓下溶液生長(zhǎng)技術(shù)，LPSG法
12.3 GaN層的結(jié)構(gòu)和形貌演變
12.4 LPSG GaN材料的特性
12.5 總結(jié)和展望
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第十三章 GaN襯底的光學(xué)性質(zhì)
13.1 簡(jiǎn)介
13.2 金屬有機(jī)氣相外延和鹵化物氣相外延生長(zhǎng)GaN襯底的光學(xué)性質(zhì)
13.3 氨熱法極性方向生長(zhǎng)對(duì)籽晶GaN襯底光學(xué)性能的影響
13.4 位錯(cuò)彎曲對(duì)氨熱法制GaN籽晶襯底光學(xué)屬性的影響
13.5 總結(jié)
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第十四章基于正電子湮滅光譜學(xué)研究體GaN的點(diǎn)缺陷和雜質(zhì)
14.1 簡(jiǎn)介
14.2 正電子湮滅光譜學(xué)
14.3 In-Grown Defects缺陷的生長(zhǎng)
14.4 缺陷機(jī)制
14.5 總結(jié)
參考文獻(xiàn)