第1章 緒論
1．1 引言
1．2 GaN的晶體結(jié)構(gòu)
1．3 GaN單晶的基本性質(zhì)
1．4 GaN單晶的結(jié)構(gòu)缺陷
1．4．1 GaN單晶中的點缺陷
1．4．2 GaN單晶中的線缺陷
1．4．3 GaN單晶中的面缺陷
1．4．4 GaN單晶中的體缺陷
1．5 GaN材料的制備方法
1．5．1 GaN異質(zhì)外延薄膜的制備方法
1．5．2 GaN單晶的生長方法
1．6 GaN單晶結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分析方法
1．6．1 GaN單晶的結(jié)構(gòu)分析方法
1．6．2 GaN單晶的光學(xué)分析方法
1．6．3 GaN單晶的形貌分析方法
1．6．4 GaN單晶的電學(xué)性質(zhì)分析方法
1．6．5 GaN單晶的雜質(zhì)分析方法
1．7 GaN單晶展望
1．8 本書的選題依據(jù)和主要研究內(nèi)容

第2章 V／Ⅲ對GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響
2．1 藍(lán)寶石襯底簡介
2．2 不同V／Ⅲ生長GaN單晶
2．3 V／Ⅲ對GaN單晶宏觀形貌的影響
2．4 V／Ⅲ對GaN單晶結(jié)構(gòu)的影響
2．4．1 V／Ⅲ對GaN單晶位錯密度的影響
2．4．2 V／Ⅲ對GaN單晶殘余應(yīng)力的影響
2．4．3 V／Ⅲ對GaN單晶晶體取向分布的影響
2．4．4 V／Ⅲ對GaN單晶雜質(zhì)含量的影響
2．5 V／Ⅲ對GaN單晶光電性質(zhì)的影響
2．5．1 V／Ⅲ對GaN單晶電學(xué)性質(zhì)的影響
2．5．2 V／Ⅲ對GaN單晶光學(xué)性質(zhì)的影響
2．6 本章小結(jié)

第3章 采用低溫緩沖層技術(shù)生長自支撐GaN單晶
3．1 自剝離機理
3．2 不同緩沖層處理工藝生長GaN單晶
3．3 低溫緩沖層表面形貌
3．4 緩沖層結(jié)構(gòu)對HT-GaN的影響
3．4．1 緩沖層結(jié)構(gòu)對HT-GaN形貌的影響
3．4．2 緩沖層結(jié)構(gòu)對HT-GaN晶體質(zhì)量的影響
3_4．3 緩沖層結(jié)構(gòu)對HT-GaN殘余應(yīng)力的影響
3．4．4 緩沖層結(jié)構(gòu)對HT-GaN表面的晶體質(zhì)量和晶體取向分布的影響
3．4．5 緩沖層結(jié)構(gòu)對HT-GaN光學(xué)性質(zhì)的影響
3．4．6 緩沖層的作用分析
3．5 本章小結(jié)

第4章 在SiC的C面直接生長自支撐GaN單晶
4．1 SiC襯底簡介
4．2 sic的C面上生長GaN單晶
4．3 低溫緩沖層的形貌和性質(zhì)
4．3．1 低溫緩沖層退火前形貌對比
4．3．2 低溫緩沖層退火后形貌對比
4．3．3 適合單晶生長和自剝離的低溫緩沖層研究
4．4 SiC的C面生長HT-GaN
4．4．1 無緩沖層直接生長HT-GaN
4．4．2 不進(jìn)行緩沖層退火生長HT-GaN
4．4．3 不同生長時間的緩沖層對HT-GaN的影響
4．4．4 V／Ⅲ對HT-GaN的影響
4．5 自支撐GaN單晶的性質(zhì)研究
4．5．1 自支撐GaN單晶的極性
4．5．2 自支撐GaN單晶的晶體質(zhì)量
4．5．3 自支撐GaN單晶的殘余應(yīng)力
4．5．4 自支撐GaN單晶的晶體取向分布規(guī)律
4．5．5 自支撐GaN的光學(xué)性質(zhì)
4．6 GaN單晶自剝離機理
4．7 本章小結(jié)

第5章 高溫退火法表征GaN中的位錯
5．1 高溫退火法表征位錯的機理
5．2 高溫退火法表征位錯
5．3 高溫退火襯底表面形貌
5．4 不同位錯表征方法對比
5．4．1 熔融堿腐蝕法表征位錯
5．4．2 CL表征位錯
5．5 高溫退火坑對應(yīng)的位錯類型
5．6 本章小結(jié)

第6章 采用高溫退火襯底生長自支撐GaN單晶
6．1 前言
6．2 實驗部分
6．3 多孔結(jié)構(gòu)襯底制備
6．4 采用多孔襯底制備自支撐GaN單晶
6．5 本章小結(jié)

第7章 采用兩步腐蝕襯底生長自支撐GaN單晶
7．1 前言
7．2 兩步腐蝕M0cVD-GaN襯底
7．2．1 兩步腐蝕法概述
7．2．2 電化學(xué)腐蝕MOCVD-GaN襯底
7．2．3 熱磷酸再次腐蝕M()CVD-GaN襯底
7．3 采用兩步腐蝕襯底生長自支撐GaN單晶
7．3．1 兩步腐蝕襯底用于HVPE生長概述
7．3．2 兩步腐蝕襯底的結(jié)構(gòu)
7．3．3 兩步腐蝕襯底生長自剝離GaN晶體的性能表征
7．4 本章小結(jié)

第8章 本書總結(jié)
參考文獻(xiàn)