本書(shū)詳細(xì)介紹了現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝過(guò)程中,從PCB到PCBA及最終產(chǎn)品各個(gè)工序常見(jiàn)的技術(shù)要求及對(duì)異常問(wèn)題的處理方法,包括工焊接、壓接、電批使用的每一個(gè)主要過(guò)程,如PCB清潔、印錫、點(diǎn)膠、貼片、回流、AOI檢測(cè)、三防涂覆、返修技術(shù)、各類設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng)等。同時(shí)還介紹了各個(gè)環(huán)節(jié)對(duì)從業(yè)者的基本要求,貫穿整個(gè)單板加工的工藝流程。所涉

本書(shū)主要圍繞標(biāo)準(zhǔn)編制工作展開(kāi)，涉及項(xiàng)目組研究過(guò)程中思考與推進(jìn)工作的方法，吸收和借鑒了一些國(guó)內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，還有他們?nèi)绾谓柚鷮?shí)驗(yàn)取證的方法，圍繞有爭(zhēng)議的技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行專項(xiàng)研究，如何采取求真務(wù)實(shí)的方式檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，開(kāi)展實(shí)地調(diào)研工作，以及項(xiàng)目組專家們和企業(yè)都提供了哪些前沿信息等內(nèi)容。全書(shū)共分六個(gè)章節(jié)，第一章是項(xiàng)目的整個(gè)研究總報(bào)告，主

由于石墨烯材料具有眾多的優(yōu)異特性，使其在半導(dǎo)體領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，本書(shū)詳細(xì)介紹了石墨烯材料在半導(dǎo)體中的應(yīng)用。全書(shū)共8章，包含三大部分內(nèi)容，分別為石墨烯材料簡(jiǎn)述（第1~3章）、石墨烯在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用（第4~6章）和石墨烯在半導(dǎo)體封裝散熱中的應(yīng)用（第7~8章）。石墨烯材料簡(jiǎn)述部分介紹了石墨烯材料及其發(fā)展和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，

本書(shū)首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低

本書(shū)全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書(shū)共分十一章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)，第十

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過(guò)焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長(zhǎng)期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書(shū)以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過(guò)程為主線，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測(cè)與返修等，其

本書(shū)介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類及應(yīng)用、主要制備技術(shù)及工藝，重點(diǎn)對(duì)太陽(yáng)能電池、探測(cè)器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎(chǔ)上分析了新型廣譜硅材料的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應(yīng)用。本書(shū)中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測(cè)器與太陽(yáng)能電池的研制及性能等方

本書(shū)從光的特性入手，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料光電特性以及光、電相互作用機(jī)制和基本物理過(guò)程，重點(diǎn)闡述了半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池、光電導(dǎo)器件、光電二極管、光電耦合器件、CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器等半導(dǎo)體光電子器件的工作機(jī)制、基本物理過(guò)程、基本性能曲線、關(guān)鍵參數(shù)及影響器件性能的因素等。本書(shū)既可作為微電子、光電子及相關(guān)學(xué)

GaN基寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應(yīng)用價(jià)值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導(dǎo)體材料。本書(shū)基于國(guó)內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長(zhǎng)、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細(xì)論述了GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國(guó)內(nèi)外發(fā)展動(dòng)態(tài)、面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技