本書共七章，內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎(chǔ)研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設(shè)計(jì)以及總結(jié)和展望。

本書以寬禁帶半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學(xué)表征為主線，按照面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體前沿課題，注重先進(jìn)光電器件與材料微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)性質(zhì)和過程進(jìn)行光學(xué)表征，以提升寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能為目的的原則安排全書內(nèi)容，從應(yīng)用基礎(chǔ)研究和研發(fā)先進(jìn)光電子器件的角度出發(fā)，組織全國(guó)在該領(lǐng)域前沿進(jìn)行一線科研工作的學(xué)者進(jìn)行編寫，力爭(zhēng)用通俗易懂的語言，由淺

激光熱敏光刻具有以下特點(diǎn):1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個(gè)光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學(xué)衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強(qiáng)度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴(kuò)散并逐漸降低,

本書主要介紹了第一性原理及其在計(jì)算機(jī)模擬中各種參數(shù)的設(shè)置問題和實(shí)際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設(shè)計(jì)的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(chǎng)(電場(chǎng)或應(yīng)變場(chǎng))作用下電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)研究中的應(yīng)用,并將材料進(jìn)一步拓展到外場(chǎng)下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。

功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)

本書主要依據(jù)作者研究團(tuán)隊(duì)及國(guó)內(nèi)外金屬有機(jī)框架材料（MOFS）與半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應(yīng)用以及光催化性能機(jī)理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應(yīng)用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機(jī)框架材料及其光電

本書主要依據(jù)作者研究團(tuán)隊(duì)及國(guó)內(nèi)外金屬有機(jī)框架材料（MOFS）與半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應(yīng)用以及光催化性能機(jī)理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應(yīng)用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機(jī)框架材料及其光電

本書就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型，針對(duì)工藝技術(shù)的特點(diǎn)和要求做了較為詳細(xì)的介紹。尤其對(duì)常常困擾電路設(shè)計(jì)和工藝人員的射頻同軸電纜導(dǎo)線的使用問題進(jìn)行了全面的分析。對(duì)于手工焊接的可靠性問題、整機(jī)接地與布線處理的電磁兼容性問題、工藝文件的編制、電子裝聯(lián)檢驗(yàn)的理念和操作等內(nèi)容，本書不僅在理論上，還在

以日本碳化硅學(xué)術(shù)界元老京都大學(xué)名譽(yù)教授松波弘之、關(guān)西學(xué)院大學(xué)知名教授大谷昇、京都大學(xué)實(shí)力派教授木本恒暢和企業(yè)實(shí)力代表羅姆株式會(huì)社的中村孝先生為各技術(shù)領(lǐng)域的牽頭，集日本半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學(xué)研各界中的骨干代表，在各自的研究領(lǐng)域結(jié)合各自多年的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點(diǎn)，以技術(shù)為主導(dǎo)、以應(yīng)用為目的的實(shí)用型

近年來.以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目.第三代半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)和國(guó)防電子等產(chǎn)業(yè).已成為國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的重點(diǎn)研究方向.本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關(guān)技術(shù).內(nèi)容涵蓋垂直型和橫向功率半導(dǎo)體