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    在小型電池供電的手持設(shè)備中，低功耗是一個(gè)關(guān)鍵的性能指標(biāo)。移動(dòng)終端可選擇集成的無線通信模塊越來越多(包括GPS，藍(lán)牙，GSM，3G，WiFi和DVB-H)。近年來，由于電池容量提升緩慢．每種模塊總的可用功耗受到了限制，因此高效的電路顯得相當(dāng)重要。
    艾爾瓦拉多等人編著的《基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的低功耗射頻電路設(shè)計(jì)》展現(xiàn)了一些用于低功耗射頻CMOS模擬電路設(shè)計(jì)的基本技術(shù)。書中給電路設(shè)計(jì)者提供了完整的替代電路準(zhǔn)則以優(yōu)化功耗，并且講解了這些準(zhǔn)則在最常見的射頻模塊如LNA，mixers和PLLs中的運(yùn)用。
    《基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的低功耗射頻電路設(shè)計(jì)》運(yùn)用了實(shí)際的案例并提供了獨(dú)特的視角，這是因?yàn)樗淖x者是工作存有一定局限性的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下的設(shè)計(jì)者。

第1章簡介
1．1 個(gè)人通信終端的最新進(jìn)展
1．2 應(yīng)用舉例
1．3 下一代無線通信的頻率分配
1．4 當(dāng)前手持裝置的共同需求：OFDM調(diào)制
1．5 低功耗RFIC設(shè)計(jì)
    1．5．1 CMOS工藝
    1．5．2 模擬電路低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)
第2章 CMOS模擬射頻電路中的功耗考慮
2．1 功耗來源
    2．1．1 動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換功耗
    2．1．2 漏電流功耗
    2．1．3 短路電流功耗
    2．1．4 靜態(tài)偏置功耗
2．2 功耗的限制
    2．2．1 基本的限制因素
    2．2．2 實(shí)際的限制因素
2．3 VDD等比例下降
    2．3．1 閾值電壓
    2．3．2 亞閾值區(qū)域
    2．3．3 MOS晶體管速度與帶寬
    2．3．4 模擬開關(guān)
    2．3．5 晶體管堆疊
    2．3．6 動(dòng)態(tài)范圍
    2．3．7 功耗
參考文獻(xiàn)
第3章結(jié)構(gòu)選擇對(duì)射頻前端功耗的影響
3．1 前端的挑戰(zhàn)
    3．1．1 鏡像抑制
    3．1．2 直流失調(diào)
    3．1．3 I／Q失配
    3．1．4 偶數(shù)階失真
    3．1．5 閃爍噪聲(1／f噪聲)
    3．1．6 靈敏度和噪聲系數(shù)
    3．1．7 線性度
3．2 超外差結(jié)構(gòu)
3．3 二次變頻結(jié)構(gòu)
3．4 鏡像抑制(Hartley，Weaver)結(jié)構(gòu)
    3．4．1 Hartley結(jié)構(gòu)
    3．4．2 Weaver結(jié)構(gòu)
3．5 直接變頻接收機(jī)結(jié)構(gòu)
    3．5．1 零中頻結(jié)構(gòu)
3．6低中頻結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
第4章低功耗模擬設(shè)計(jì)在標(biāo)準(zhǔn)CMOS
工藝下的工藝結(jié)構(gòu)選擇
4．1 閾值電壓
    4．1．1 多閾值電壓晶體管
    4．1．2 可變閾值晶體管
4．2 柵長等比例縮小
4．3 絕緣體上硅(SOI)
    4．3．1 工藝描述
    4．3．2 SOI技術(shù)在模擬電路中的優(yōu)勢(shì)
    4．3．3 與CMOS體硅技術(shù)相比SOI技術(shù)面臨的問題
    4．3．4 射頻電路中的SOI和IC設(shè)計(jì)
參考文獻(xiàn)
第5章射頻電路低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)
5．1 電流復(fù)用
    5．1．1 工作原理
    5．1．2 基本實(shí)現(xiàn)
5．2 多電壓技術(shù)
5．3 門控電源
5．4 多溝道長度
5．5 柵極偏置
    5．5．1 強(qiáng)反型
    5．5．2 弱反型
    5．5．3 中等反型
    5．5．4 中等反型和弱反型的優(yōu)勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第6章射頻放大器設(shè)計(jì)
6．1 基本放大原理
    6．1．1 NMOS晶體管基本概念
    6．1．2 共源放大電路
    6．1．3 共漏放大結(jié)構(gòu)
    6．1．4 共柵放大結(jié)構(gòu)
    6．1．5 基本放大電路比較
6．2 放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
    6．2．1 共源共柵放大器
    6．2．2 可調(diào)諧負(fù)載：LC諧振槽
    6．2．3 有源負(fù)載
    6．2．4 負(fù)反饋結(jié)構(gòu)
6．3 低功耗LNA設(shè)計(jì)考慮
    6．3．1 電感負(fù)反饋
    6．3．2 無源元件的Q值
    6．3．3 晶體管極化
    6．3．4 電流復(fù)用
    6．3．5 阻抗匹配
    6．3．6 共源共柵
6．4 低功耗LNA設(shè)計(jì)實(shí)例
    6．4．1 實(shí)例1：針對(duì)DVB-T／H標(biāo)準(zhǔn)的低功耗LNA
    6．4．2 實(shí)例2：5GHz U-NII頻段低功耗LNA
參考文獻(xiàn)
第7章混頻器設(shè)計(jì)
7．1 混頻器基本原理
    7．1．1 轉(zhuǎn)換增益／損耗：
    7．1．2 線性度
    7．1．3 噪聲系數(shù)
    7．1．4 阻抗匹配和端口隔離度
7．2 混頻器拓?fù)?br />    7．2．1 有源混頻器
    7．2．2 無源混頻器
7．3 混頻器的設(shè)計(jì)約束
    7．3．1 增益
    7．3．2 線性度
    7．3．3 噪聲
    7．3．4 帶寬
    7．3． 5阻抗匹配和端口隔離考慮
7．4 低功耗混頻器設(shè)計(jì)的例子
    7．4．1 實(shí)例1：用于DVB—T／H的低功耗低噪聲混頻器
    7．4．2 實(shí)例2：應(yīng)用于WLAN(5GHzU-NII頻段)的低功耗混頻器
    7．4．3實(shí)例3：wLAN中極低功耗無源混頻器(5GHz U-NII Band)
參考文獻(xiàn)
第8章鎖相環(huán)設(shè)計(jì)
8．1 頻率綜合器原理
    8．1．1 鎖相環(huán)介紹
    8．1．2 鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)
8．2 鑒頻鑒相器設(shè)計(jì)約束
    8．2．1 乘法器
    8．2．2 異或邏輯門和觸發(fā)器
    8．2．3 PFD／CP
8．3 壓控振蕩器設(shè)計(jì)約束
    8．3．1 功能描述
    8．3．2 壓控振蕩器設(shè)計(jì)約束
8．4 高頻分頻器設(shè)計(jì)約束
    8．4．1分頻器基本結(jié)構(gòu)
    8．4．2高頻分頻器結(jié)構(gòu)和組成模塊
8．5 低功耗設(shè)計(jì)實(shí)例
    8．5．1 實(shí)例1：適用于DVB-H的寬帶VCO
    8．5．2 實(shí)例2：高頻VCO
    8．5．3 實(shí)例3：在WLAN(5GHzU-NII頻段)應(yīng)用的高頻分頻器和雙模預(yù)分頻器
參考文獻(xiàn)

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