本書圍繞負偏置溫度不穩(wěn)定性引起的集成電路老化的預測與動態(tài)電路老化防護來展開研究,主要針對集成電路老化的預測和集成電路老化的容忍進行分析;對于高性能集成電路中常用的多米諾電路,針對其老化研究容忍方法,并提出對多米諾電路低功耗與抗老化的聯(lián)合優(yōu)化方法。
集成電路的制造工藝在不斷地進步,所使用的電源電壓得到持續(xù)降低,集成電路的集成度大大提高,帶動了集成電路產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,然而某些工藝進步也使得集成電路的老化問題變得日益嚴重。國際半導體技術(shù)路線圖(ITRS)在2011年的報告中指出,老化正成為半導體電路面臨的嚴峻挑戰(zhàn)。隨著集成電路特征尺寸的不斷減小,負偏置溫度不穩(wěn)定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)逐漸在集成電路老化效應中占據(jù)主導地位,需要科研人員進行深入研究。
本書圍繞NBTI引起的集成電路老化的預測與動態(tài)電路老化防護來展開研究。研究的內(nèi)容主要涉及:①集成電路老化的預測,包括改進了已有的預測老化的傳感器,實現(xiàn)了低開銷的多故障同時在線監(jiān)測,消除了由于結(jié)構(gòu)因素造成的誤差;②集成電路老化的容忍,尤其對于高性能集成電路中常用的多米諾電路,針對其老化,研究容忍方法,并提出對于多米諾電路低功耗與抗老化的聯(lián)合優(yōu)化方法。
本書的研究內(nèi)容和主要創(chuàng)新點如下:
、僭O計出針對多目標故障的低開銷的電路檢測結(jié)構(gòu)。多故障同時在線檢測是目前故障檢測領(lǐng)域的研究熱點之一,但多故障同時在線檢測往往在功能、面積和功耗等問題上難以取得較好折中。經(jīng)典檢測結(jié)構(gòu)采用動態(tài)電路加上大量反饋電路構(gòu)成故障檢測的穩(wěn)定性檢測器,電路面積開銷較大,同時在電路運行過程中的功耗開銷也很大。因此,設計了脈沖發(fā)生器來替代經(jīng)典電路中的穩(wěn)定性檢測器,消除了反饋電路,大大降低了電路的面積與功耗開銷。
、谔岢鰴z測能力平衡的集成電路老化在線預測/檢測方案。針對已有的結(jié)構(gòu)晶體管串聯(lián)堆棧效應造成的電路老化預測/檢測能力的不平衡,提出了一種利用對稱或非門來平衡檢測能力的老化預測/檢測方案。通過對穩(wěn)定性檢測器中或非門的改造,消除了由于晶體管串聯(lián)堆棧引起的誤差。
、坩槍BTI引起的多米諾電路老化,提出一種利用補償電路保持其性能的方案。多米諾電路常用在高性能芯片的時序關(guān)鍵路徑上,NBTI引起的電路老化會導致多米諾電路時延增加、噪聲容限降低。因此設計了帶有補償結(jié)構(gòu)的多米諾電路,在電路老化以后開啟補償電路,既延長了電路的使用壽命,又不會增加大量的能量消耗。這種低功耗、容老化的技術(shù)有廣闊的應用前景。
、芴岢隼眯菝吣J,聯(lián)合優(yōu)化多米諾電路老化和漏電流的方案。已有的對于多米諾電路漏電流進行優(yōu)化的技術(shù)加重了多米諾電路的老化。使用輸入向量控制技術(shù)和內(nèi)部節(jié)點控制技術(shù),在集成電路處于休眠狀態(tài)時強制電路進入老化恢復狀態(tài),并保證在休眠狀態(tài)下的低漏電流。實驗表明,這種考慮低功耗的抑制NBTI效應的多米諾電路技術(shù)減少了最多33%的電路老化,同時減少了最多79%的漏電流消耗,是一種有效的多目標聯(lián)合優(yōu)化技術(shù)。
本書的出版得到國家自然科學基金青年科學基金項目( 61404001),國家公派高級研究學者、訪問學者、博士后項目( 201708340035),安徽省高校省級自然科學研究重大項目( KJ2014ZD12)的資助,在此表示衷心的感謝!由于作者水平和經(jīng)驗有限,書中難免存在不足之處,懇請讀者批評、指正。
前言
第1章 引言
1.1 研究的背景和意義
1.2 集成電路可靠性相關(guān)知識介紹
1.2.1 HCI效應導致的集成電路老化
1.2.2 NBTI效應引起的集成電路老化
1.2.3 亞閾值漏電流
1.3 老化研究現(xiàn)狀及其局限性
1.4 本書的研究內(nèi)容及貢獻
1.5 本書的課題來源及組織結(jié)構(gòu)
第2章 集成電路老化的相關(guān)研究
2.1 NBTI效應的反應-擴散模型
2.2 NBTI效應引起電路衰退的預測解析模型
2.2.1 靜態(tài)NBTI效應衰退模型
2.2.2 動態(tài)NBTI效應衰退模型
2.2.3 長時NBTI效應衰退精簡模型
2.3 集成電路的老化預測方法
2.3.1 集成電路老化的在線預測/監(jiān)測方法
2.3.2 基于預兆單元的集成電路老化檢測/預測方案
2.3.3 集成電路硅前老化預測
2.4 集成電路的老化防護方法
2.4.1 基于電路拓撲結(jié)構(gòu)重構(gòu)的老化防護
2.4.2 基于向量恢復的集成電路老化防護
2.4.3 基于內(nèi)部節(jié)點控制的集成電路老化防護
2.4.4 基于動態(tài)調(diào)整技術(shù)的集成電路老化防護
第3章 低開銷的信號違規(guī)檢測結(jié)構(gòu)
3.1 目標故障
3.1.1 目標故障類型
3.1.2 目標故障在時序電路中的表現(xiàn)形式
3.2 低開銷信號違規(guī)檢測器LSVD結(jié)構(gòu)
3.3 實驗結(jié)果
3.3.1 故障檢測能力分析
3.3.2 LSVD自身抗老化分析
3.3.3 面積開銷分析
3.3.4 功耗開銷分析
3.4 結(jié)論
第4章 基于對稱或非門的老化預測/檢測改進方案
4.1 老化預測及能力不平衡的原因
4.2 改進的方案
4.3 仿真與比較
4.3.1 不同工藝尺寸下的相對誤差
4.3.2 PVT對于改進SC的影響
4.3.3 版圖比較
4.4 總結(jié)
第5章 容忍老化的多米諾門
5.1 多米諾電路及其老化
5.1.1 有足多米諾電路和無足多米諾電路
5.1.2 多米諾電路的性能
5.1.3 NBTI效應對于多米諾電路的影響
5.2 高扇人多米諾或門
5.3 帶有老化補償?shù)娜萑汤匣亩嗝字Z或門電路
5.3.1 保持器工作原理
5.3.2 輸出反相器工作原理
5.4 補償晶體管的控制電路
5.4.1 保持器補償電路控制信號KPR_ctr的產(chǎn)生
5.4.2 輸出反相器補償晶體管控制信號MP3_ctr的產(chǎn)生
5.4.3 控制電路的抗老化分析
5.5 老化程度對于補償晶體管的要求
5.6 仿真結(jié)果和性能分析
5.7 總結(jié)
第6章 低漏電流、抑制NBTI效應的多米諾電路
6.1 休眠模式對于多米諾電路老化和漏電流的影響
6.2 本章提出的多米諾邏輯電路
6.2.1 抑制NBTI效應引起的老化以及降低漏電流的基本思路
6.2.2 本章提出的電路技術(shù)
6.3 實驗結(jié)果
6.3.1 固定RAS下NBTI效應導致的多米諾電路性能衰退
6.3.2 RAS對于衰退減少量的影響
6.3.3 休眠模式下漏電流的降低
6.3.4 動態(tài)功耗與面積開銷
6.4 改進的多米諾電路技術(shù)在芯片中的實施
6.5 結(jié)論
第7章 總結(jié)與展望
7.1 總結(jié)
7.2 展望
附錄1 PTM 65 nm模型
附錄2 專有名詞縮寫對照表
參考文獻