《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫(xiě)，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過(guò)五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、

本書(shū)首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問(wèn)題進(jìn)行研究，從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。

本書(shū)講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科，是信息、新能源（半導(dǎo)體照明、太陽(yáng)能光伏）等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書(shū)共15章，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù)，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料）的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，闡述了化合物半導(dǎo)體（包括Ⅲ-Ⅴ族

本書(shū)內(nèi)容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)際應(yīng)用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)理論及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應(yīng)用等，緊接著介紹了薄膜厚度的測(cè)量、薄膜分析檢測(cè)技術(shù)等方面的內(nèi)容，最后詳細(xì)闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線的具體工藝流程。本書(shū)敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而

本書(shū)詳細(xì)介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取，全書(shū)共分7章，內(nèi)容包括緒論、實(shí)驗(yàn)方案、鍺塵基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結(jié)論。

SMT是一門(mén)包含元器件、材料、設(shè)備、工藝以及表面組裝電路基板設(shè)計(jì)與制造的綜合電子產(chǎn)品裝聯(lián)技術(shù)，是在傳統(tǒng)THT通孔插裝元器件裝聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新一代微組裝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體材料、元器件、電子與信息技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，使SMT組裝的電子產(chǎn)品更具有體積小、性能好、功能全、價(jià)位低的綜合優(yōu)勢(shì)，適應(yīng)了數(shù)碼電子產(chǎn)品向短、小、輕

這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門(mén)類讀物。全書(shū)共分4章，包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別，以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書(shū)適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的

集成電路與等離子體裝備

本書(shū)共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書(shū)中各處開(kāi)設(shè)了專欄，用以介紹每個(gè)領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級(jí)可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考