前言
緒論
第1章半導(dǎo)體的物質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶
結(jié)構(gòu)
11半導(dǎo)體的原子結(jié)合與晶體結(jié)構(gòu)
111元素的電負(fù)性與原子的結(jié)合力
112共價(jià)結(jié)合與正四面體結(jié)構(gòu)
113主要半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
12半導(dǎo)體的電子狀態(tài)和能帶
121能級與能帶
122零勢場與周期勢場中的電子
狀態(tài)
123能帶的填充與晶體的導(dǎo)電性及
空穴的概念
13半導(dǎo)體中載流子的有效質(zhì)量
131能帶極值附近的E(k)函數(shù)
132電子和空穴的有效質(zhì)量
133各向異性半導(dǎo)體中載流子的有效
質(zhì)量
14半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級
141雜質(zhì)的施、受主作用及其能級
142深能級雜質(zhì)
143缺陷的施、受主作用及其能級
15典型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
151能帶結(jié)構(gòu)的基本內(nèi)容及其表征
152主要半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
16半導(dǎo)體能帶工程概要
161半導(dǎo)體固溶體
162利用固溶體技術(shù)剪裁能帶結(jié)構(gòu)
163能帶結(jié)構(gòu)的量子尺寸效應(yīng)
習(xí)題
第2章半導(dǎo)體中的載流子及其輸運(yùn)
性質(zhì)
21載流子的漂移運(yùn)動與半導(dǎo)體的
電導(dǎo)率
211歐姆定律的微分形式
212半導(dǎo)體的電導(dǎo)率
22熱平衡狀態(tài)下的載流子統(tǒng)計(jì)
221熱平衡狀態(tài)下的電子和空穴
222費(fèi)米分布函數(shù)與費(fèi)米能級
223費(fèi)米分布函數(shù)與玻耳茲曼分布
函數(shù)
224非簡并半導(dǎo)體的載流子密度
225本征半導(dǎo)體的載流子密度
23載流子密度對雜質(zhì)和溫度的依賴性
231雜質(zhì)電離度
232非簡并半導(dǎo)體載流子密度隨溫度
的變化
233簡并半導(dǎo)體
24載流子遷移率
241恒定電場下載流子漂移運(yùn)動的微觀
描述
242決定載流子遷移率的物理因素
243有效質(zhì)量各向異性時(shí)的載流子
遷移率
25載流子散射及其對遷移率的影響
251散射的物理本質(zhì)
252電離雜質(zhì)散射及其對遷移率的
影響
253晶格振動散射及其對遷移率的
影響
254其他散射機(jī)構(gòu)
26半導(dǎo)體的電阻率及其與摻雜濃度和
溫度的關(guān)系
261半導(dǎo)體的電阻率
262電阻率與摻雜濃度的關(guān)系
263電阻率與溫度的關(guān)系
27強(qiáng)電場中的載流子輸運(yùn)
271強(qiáng)電場效應(yīng)
272熱電子與速度飽和
273負(fù)微分遷移率
274耿氏效應(yīng)及其應(yīng)用
275強(qiáng)電場下的速度過沖和準(zhǔn)彈道
輸運(yùn)
28半導(dǎo)體的熱導(dǎo)率
281熱導(dǎo)率的定義
282半導(dǎo)體中的導(dǎo)熱機(jī)構(gòu)
283維德曼-弗蘭茨定律
習(xí)題
第3章非熱平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體
31半導(dǎo)體的非熱平衡狀態(tài)
311額外載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
312額外載流子的壽命
313準(zhǔn)費(fèi)米能級
32復(fù)合理論
321直接輻射復(fù)合
322通過單一復(fù)合中心的間接復(fù)合
323表面復(fù)合
324俄歇復(fù)合
325陷阱效應(yīng)及其對復(fù)合的影響
33額外載流子的運(yùn)動
331額外載流子的擴(kuò)散與擴(kuò)散方程
332擴(kuò)散方程在不同邊界條件下
的解
333電場中的額外載流子運(yùn)動
334愛因斯坦關(guān)系
34電流連續(xù)性方程及其應(yīng)用
341電流連續(xù)性方程
342穩(wěn)態(tài)電流連續(xù)性方程及其解
343連續(xù)性方程的應(yīng)用
35半導(dǎo)體的光吸收
351吸收系數(shù)及相關(guān)光學(xué)常數(shù)
352半導(dǎo)體的本征吸收
353其他吸收過程
36半導(dǎo)體的光電導(dǎo)和光致發(fā)光
361半導(dǎo)體的光電導(dǎo)
362半導(dǎo)體的光致發(fā)光
習(xí)題
第4章PN結(jié)
41PN結(jié)的形成及其平衡態(tài)
411PN結(jié)的形成及其雜質(zhì)分布
412熱平衡狀態(tài)下的PN結(jié)
42PN結(jié)的伏安特性
421廣義歐姆定律
422理想狀態(tài)下的PN結(jié)伏安特性
方程
423PN結(jié)伏安特性對理想方程的
偏離
43PN結(jié)電容
431PN結(jié)勢壘區(qū)的電場及電勢
分布
432勢壘電容
433擴(kuò)散電容
434用電容-電壓法測量半導(dǎo)體的雜質(zhì)
濃度
44PN結(jié)擊穿
441雪崩擊穿
442隧道擊穿
443熱電擊穿
45PN結(jié)的光伏效應(yīng)
451光生電動勢原理
452光照PN結(jié)的電流-電壓方程
453光照PN結(jié)的特征參數(shù)
46PN結(jié)發(fā)光
461發(fā)光原理
462半導(dǎo)體激光器原理
習(xí)題
第5章金屬-半導(dǎo)體接觸
51金屬-半導(dǎo)體接觸及其平衡狀態(tài)
511金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)
512有功函數(shù)差的金屬-半導(dǎo)體
接觸
513表面態(tài)對接觸電勢差的影響
514歐姆接觸
52金屬-半導(dǎo)體接觸的非平衡狀態(tài)
521不同偏置狀態(tài)下的肖特基勢壘
522正偏肖特基勢壘區(qū)中的費(fèi)米
能級
523厚勢壘金屬-半導(dǎo)體接觸的伏安
特性
524薄勢壘金屬-半導(dǎo)體接觸的伏安
特性
525金屬-半導(dǎo)體接觸的少子注入
問題
526非平衡態(tài)肖特基勢壘接觸的特點(diǎn)
及其應(yīng)用
習(xí)題
第6章異質(zhì)結(jié)和納米結(jié)構(gòu)
61異質(zhì)結(jié)的構(gòu)成及其能帶
611異質(zhì)結(jié)的構(gòu)成與類型