《國外數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)經(jīng)典教材系列:低功耗驗(yàn)證方法學(xué)》分析歸納了多電壓低功耗設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證技術(shù)中幾乎所有的關(guān)鍵問題,并提出了十分重要的設(shè)計(jì)驗(yàn)證原則和規(guī)范。內(nèi)容包括:多電壓電源管理基礎(chǔ)、電源管理隱患、狀態(tài)保持、多電壓測(cè)試平臺(tái)的架構(gòu)、多電壓驗(yàn)證、動(dòng)態(tài)驗(yàn)證、規(guī)則及指導(dǎo)原則等。
《國外數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)經(jīng)典教材系列:低功耗驗(yàn)證方法學(xué)》是任何正在設(shè)計(jì)或準(zhǔn)備設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)芯片的必讀著作。
第1章 緒論
1.1 簡介
1.2 推動(dòng)電源管理的要素
1.2.1 更深入地考察電源的影響
1.2.2 市場(chǎng)對(duì)降低功耗的壓力
1.2.3 技術(shù)的進(jìn)步和功耗的減小
1.2.4 節(jié)電的規(guī)范問題
1.3 電壓控制方案的出現(xiàn)
1.3.1 CMOS和電壓
1.3.2 實(shí)踐中的多電壓設(shè)計(jì)
1.3.3 多電壓控制系統(tǒng)的形象
1.4 組件的驗(yàn)證
1.4.1 歷史的回顧和展望
1.4.2 能感知電壓的布爾分析
1.5 方法學(xué)的采用和實(shí)現(xiàn)
1.5.1 方法學(xué)的差異
1.5.2 采納的方法學(xué)
1.5.3 規(guī)則和指導(dǎo)原則
1.6 本書的結(jié)構(gòu)
第2章 多電壓電源管理基礎(chǔ)
2.1 設(shè)計(jì)元素
2.1.1 軌線/電源線網(wǎng)
2.1.2 電壓調(diào)節(jié)器
2.1.3 主軌線
2.1.4 輔助軌線
2.1.5 VDD和Vss
2.1.6 頭單元和腳單元
2.1.7 虛擬的VDD/VSS(源電壓/地電壓)
2.1.8 保持單元
2.1.9 基 極
2.1.10 島
2.1.11 阱
2.1.12 域
2.1.13 總有電源供電的區(qū)
2.1.14 立體交叉
2.1.15 時(shí)變
2.1.16 多電壓狀態(tài)或電源狀態(tài)
2.1.17 保護(hù)電路
2.1.18 隔離
2.1.19 輸入隔離(停車場(chǎng))
2.1.20 電平的換擋調(diào)節(jié)
2.1.21 電源狀態(tài)表
2.1.22 狀態(tài)的轉(zhuǎn)移
2.1.23 狀態(tài)序列
2.1.24 PMU(電源管理單元)
2.2 多電壓低功耗設(shè)計(jì)風(fēng)格
2.2.1 關(guān)機(jī)
2.2.2 待機(jī)
2.2.3 休眠/電源門控
2.2.4 保 持
2.2.5 動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)
2.2.6 離散/連續(xù)的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)
2.2.7 離散與連續(xù)電壓調(diào)節(jié)的比較
2.3 結(jié)論
第3章 電源管理隱患
3.1 前言
3.2 結(jié)構(gòu)性錯(cuò)誤
3.2.1 隔離及其相關(guān)的錯(cuò)誤
3.2.2 電平換擋及其相關(guān)錯(cuò)誤
3.2.3 其他結(jié)構(gòu)性錯(cuò)誤
3.3 控制/序列錯(cuò)誤
3.3.1 隔離控制錯(cuò)誤
3.3.2 邏輯混亂
3.4 體系架構(gòu)性錯(cuò)誤
3.4.1 電源門控錯(cuò)誤
3.4.2 待機(jī)狀態(tài)下的存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)遭到破壞
3.4.3 外部元件和軟件的建模
3.5 結(jié)論
第4章 狀態(tài)保持
第5章 多電壓測(cè)試平臺(tái)的架構(gòu)
第6章 多電壓驗(yàn)證
第7章 動(dòng)態(tài)驗(yàn)證
第8章 規(guī)則及指導(dǎo)原則
附錄A VMM-LP基礎(chǔ)類和應(yīng)用程序包
附錄B 靜態(tài)檢查
附錄C 作者簡介
索引
參考文獻(xiàn)