本書針對AlInN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)HEMT器件性能的熱退化問題，提出添加背勢壘層和自支撐GaN襯底的解決思路，并通過數(shù)值模擬的方法進行了驗證優(yōu)化。同時通過模擬和實驗研究了AlGaN/GaN和AlInN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)HEMT器件的pH傳感器性能，并對感測區(qū)尺寸進行了優(yōu)化，證明GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)HEMT器件具有優(yōu)異的pH值探測性能。