高性能紫外光電探測器是國防預警與跟蹤、環(huán)境監(jiān)控、生命科學等領(lǐng)域急需的關(guān)鍵部件。由于具有性能優(yōu)勢，因此寬禁帶半導體已成為制備紫外光電探測器的優(yōu)選材料，目前主要包括Ⅲ族氮化物半導體、碳化硅、氧化物半導體和金剛石材料等。

本書基于國內(nèi)外寬禁帶半導體紫外光電探測材料及器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢，從材料特性、探測器設計、器件工藝和紫外光電響應特性等方面詳述了寬禁帶半導體紫外光電探測器所面臨的關(guān)鍵科學技術(shù)問題、主要技術(shù)成果、產(chǎn)業(yè)應用情況和發(fā)展前景。

本書可為從事寬禁帶半導體紫外光電材料和器件研發(fā)、生產(chǎn)的科技工作者、企業(yè)工程技術(shù)人員和研究生提供有價值的參考，也可供從事該領(lǐng)域科研和高技術(shù)產(chǎn)業(yè)管理的政府官員和企業(yè)人員學習參考。