第1章  先進(jìn)焦平面技術(shù)的基本內(nèi)涵
1.1  紅外成像探測(cè)器歷史沿革和發(fā)展趨勢(shì)
1.2  先進(jìn)焦平面技術(shù)框架
1.2.1  先進(jìn)焦平面技術(shù)內(nèi)涵
1.2.2  通過提高空間分辨率和探測(cè)靈敏度提高目標(biāo)探測(cè)和識(shí)別距離
1.2.3  通過多色、多譜段集成探測(cè)手段提高目標(biāo)識(shí)別距離
1.2.4  通過光信號(hào)傳輸、數(shù)字處理芯片手段提高集成化、智能化水平
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參考文獻(xiàn)
第2章  碲鎘汞紅外探測(cè)器數(shù)值設(shè)計(jì)方法
2.1  概述
2.2  碲鎘汞紅外探測(cè)器數(shù)值模擬和設(shè)計(jì)
2.2.1  碲鎘汞探測(cè)器基礎(chǔ)
2.2.2  碲鎘汞紅外探測(cè)器數(shù)值計(jì)算
2.3  碲鎘汞材料、芯片參數(shù)提取方法
2.3.1  碲鎘汞材料參數(shù)提取
2.3.2  基于電學(xué)方法的碲鎘汞芯片參數(shù)提取
2.3.3  基于光電方法的碲鎘汞芯片參數(shù)提取
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參考文獻(xiàn)
第3章  硅基碲化鎘復(fù)合襯底技術(shù)以及碲鎘汞外延技術(shù)
3.1  概述
3.2  硅基碲鎘汞外延的若干基礎(chǔ)模型
3.2.1  硅基表面選擇性生長(zhǎng)的物理模型（表面As鈍化的機(jī)理）
3.2.2  硅基znTe／CdTe外延的原子分布模型
3.2.3  碲鎘汞材料中的As雜質(zhì)形態(tài)
3.2.4  p型摻雜的兩性行為
3.3  硅基碲鎘汞分子束外延技術(shù)
3.3.1  硅基ZnTe／CdTe緩沖層的分子束外延技術(shù)
3.3.2  大面積硅基碲鎘汞分子束外延技術(shù)
3.3.3  碲鎘汞分子束外延摻雜技術(shù)
3.4  硅基碲鎘汞液相外延技術(shù)
3.4.1  硅基cdR復(fù)合襯底的表面處理技術(shù)
3.4.2  液相外延工藝的調(diào)整
3.4.3  碲鎘汞液相外延材料的基本性能
3.4.4  存在問題及分析
3.5  硅基碲鎘汞材料的熱應(yīng)力分析
3.5.1  硅基碲鎘汞材料光譜特性的測(cè)量
3.5.2  多層結(jié)構(gòu)材料應(yīng)力狀態(tài)的理論分析
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第4章  鋁鎵氦外延技術(shù)
4.1  概述
4.2  氮化鎵基材料的基本性質(zhì)以及主要制備基礎(chǔ)
4.2.1  氮化鎵基材料的基本性質(zhì)以及在紫外探測(cè)器中的應(yīng)用
4.2.2  MOCVD外延生長(zhǎng)系統(tǒng)以及在位監(jiān)測(cè)方法
4.3  鋁鎵氮材料MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)
4.3.1  GaN緩沖層上的鋁鎵氮外延技術(shù)
4.3.2  AlN緩沖層以及鋁鎵氮外延技術(shù)
4.3.3  氮化鎵材料的p型摻雜技術(shù)
4.4  鋁鎵氮材料綜合性能分析
4.4.1  位錯(cuò)對(duì)GaN材料的光學(xué)、電學(xué)性質(zhì)的影響
4.4.2  AlGaN材料的Al組分測(cè)量與應(yīng)變狀態(tài)確定
4.4.3  高Al組分AlGaN材料的組分均勻性
4.4.4  A1GaN材料的氧化現(xiàn)象
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第5章  碲鎘汞探測(cè)器芯片技術(shù)
5.1  概述
5.2  碲鎘汞探測(cè)器芯片加工技術(shù)
5.2.1  碲鎘汞微臺(tái)面列陣隔離技術(shù)
5.2.2  微臺(tái)面光刻技術(shù)
5.2.3  微臺(tái)面列陣的高質(zhì)量側(cè)壁鈍化技術(shù)
5.2.4  微臺(tái)面列陣的金屬化技術(shù)
5.2.5  微臺(tái)面列陣的銦柱制備與混成互連技術(shù)
5.3  雙色微臺(tái)面探測(cè)芯片
5.3.1  雙色探測(cè)芯片結(jié)構(gòu)的選型
5.3.2  雙色碲鎘汞微臺(tái)面探測(cè)器的制備
5.4  硅基碲鎘汞加工工藝技術(shù)
5.4.1  硅基碲鎘汞應(yīng)力分析以及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.4.2  硅基碲鎘汞3英寸晶圓的應(yīng)力芯片低損傷加工技術(shù)
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第6章  鋁鎵氨焦平面探測(cè)器芯片技術(shù)
6.1  概述
6.2  鋁鎵氮p—i—n型日盲紫外探測(cè)器的響應(yīng)模型及設(shè)計(jì)
6.2.1  AlGaN薄膜材料的材料參數(shù)
6.2.2  AlGaN異質(zhì)結(jié)p—i—n探測(cè)器的響應(yīng)模型及設(shè)計(jì)
6.3  鋁鎵氮共振增強(qiáng)型紫外探測(cè)器
6.3.1  共振增強(qiáng)型紫外探測(cè)器的基本結(jié)構(gòu)
6.3.2  共振增強(qiáng)型紫外探測(cè)器的設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)
6.4  鋁鎵氮探測(cè)器芯片加工技術(shù)
6.4.1  微臺(tái)面形成技術(shù)
6.4.2  芯片的鈍化
6.4.3  歐姆接觸技術(shù)
6.5  鋁鎵氮探測(cè)器的輻照效應(yīng)
6.5.1  質(zhì)子輻照效應(yīng)
6.5.2  電子輻照效應(yīng)
6.5.3  叫輻照效應(yīng)
6.5.4  GaN基紫外探測(cè)器的抗輻照研究
6.6  紫外焦平面組件的成像及其應(yīng)用
6.6.1  對(duì)氫氧焰灼燒的石英管的成像
6.6.2  對(duì)上海市區(qū)某輕軌和高架路的可見盲紫外圖像
6.6.3  對(duì)室外遠(yuǎn)景物體的成像
6.6.4  海洋溢油的航空紫外圖像
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參考文獻(xiàn)
第7章  讀出電路及焦平面測(cè)試技術(shù)
7.1  概述
7.2  讀出電路基本概念和發(fā)展趨勢(shì)
7.3  雙色讀出電路技術(shù)
7.3.1  常見的雙色信號(hào)讀出電路結(jié)構(gòu)
7.3.2  同時(shí)模式雙色信號(hào)讀出電路實(shí)現(xiàn)
7.3.3  紅外雙色讀出電路和紫外讀出電路設(shè)計(jì)示例
7.4  數(shù)字傳輸芯片技術(shù)
7.4.1  焦平面數(shù)字化的框架
7.4.2  焦平面片上ADC電路算法
7.4.3  焦平面片上ADC電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
7.5  焦平面測(cè)試技術(shù)
7.5.1  紅外焦平面參數(shù)測(cè)試
7.5.2  紫外焦平面參數(shù)測(cè)試
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第8章  系統(tǒng)級(jí)芯片技術(shù)
8.1  概述
8.2  系統(tǒng)級(jí)封裝的基本概念以及技術(shù)趨勢(shì)
8.2.1  SiP技術(shù)
8.2.2  系統(tǒng)芯片的片上智能實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)途徑
8.3  焦平面數(shù)據(jù)無(wú)線光輸出的基本概念與實(shí)現(xiàn)方法
8.3.1  焦平面無(wú)線光輸出的基本概念
8.3.2  光輸出方法概述
8.3.3  串行紅外數(shù)據(jù)通信技術(shù)
8.4  焦平面非均勻性校正及其算法實(shí)現(xiàn)
8.4.1  焦平面非均勻性校正的概述
8.4.2  基于定標(biāo)的焦平面非均勻性校正算法
8.4.3  基于場(chǎng)景的焦平面非均勻性校正算法
8.5  多波段數(shù)據(jù)融合的基本概念與算法實(shí)現(xiàn)
8.5.1  多波段數(shù)據(jù)融合概述
8.5.2  多波段圖像融合先進(jìn)算法
8.5.3  基于DsP的多波段數(shù)據(jù)融合算法的實(shí)現(xiàn)
8.5.4  基于FPGA的多波段數(shù)據(jù)融合算法的實(shí)時(shí)實(shí)現(xiàn)
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