定 價(jià)：158 元
叢書名：工信學(xué)術(shù)出版基金 集成電路產(chǎn)業(yè)知識賦能工程
- 作者：梁新夫主編
- 出版時(shí)間：2021/9/1
- ISBN：9787121421297
- 出 版 社：電子工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN405
- 頁碼：23,380頁
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開本：16K
本書介紹系統(tǒng)級封裝技術(shù)，全書共9章，主要內(nèi)容包括：系統(tǒng)集成的發(fā)展歷程，系統(tǒng)級封裝集成的應(yīng)用，系統(tǒng)級封裝的綜合設(shè)計(jì)，系統(tǒng)級封裝集成基板，封裝集成所用芯片、元器件和材料，封裝集成關(guān)鍵技術(shù)及工藝，系統(tǒng)級封裝集成結(jié)構(gòu)，集成功能測試，可靠性與失效分析。
梁新夫博士，江蘇長電科技股份有限公司高級副總裁、總工程師，畢業(yè)于西安交通大學(xué)材料科學(xué)及工程系、美國加州大學(xué)（爾灣）化學(xué)工程及材料科學(xué)系。曾在美國、德國等國際□□企業(yè)從事研發(fā)和管理工作，擁有非常豐富的半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)和管理經(jīng)驗(yàn)。在行業(yè)國際會議和國際核心學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表近□0篇高水平論文，累計(jì)申請各類知識產(chǎn)權(quán)專利78項(xiàng)，尤其在SiP多芯片微模封裝（MCM-L）的開發(fā)中有多項(xiàng)世界□□技術(shù)�！�01□年入選國家“****”，□013年入選江蘇省“雙創(chuàng)”人才，□015年起擔(dān)任中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會聯(lián)□□□。
□□章 系統(tǒng)集成的發(fā)展歷程
1．1 系統(tǒng)級封裝技術(shù)的發(fā)展
1．1．1 系統(tǒng)級封裝技術(shù)發(fā)展歷史
1．1．□ 系統(tǒng)級封裝技術(shù)的開發(fā)和專利申請
1．□ 系統(tǒng)級封裝的結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
1．□．1 □D封裝結(jié)構(gòu)
1．□．□ □．5D封裝結(jié)構(gòu)
1．□．3 3D封裝結(jié)構(gòu)
1．3 系統(tǒng)級封裝的應(yīng)用驅(qū)動(dòng)
1．3．1 系統(tǒng)級封裝的性能與功能
1．3．□ 系統(tǒng)級封裝的小型化、高□□□
1．3．3 系統(tǒng)級封裝的可靠性
1．3．4 系統(tǒng)級封裝的技術(shù)發(fā)展
參考文獻(xiàn)
第□章 系統(tǒng)級封裝集成的應(yīng)用
□．1 系統(tǒng)級封裝在高性能處理器方面的應(yīng)用
□．1．1 系統(tǒng)級封裝在內(nèi)存技術(shù)中的應(yīng)用
□．1．□ 系統(tǒng)級封裝在高性能圖像處理器與顯存技術(shù)中的應(yīng)用
□．1．3 系統(tǒng)級封裝在其他高性能處理芯片中的應(yīng)用
□．□ 系統(tǒng)級封裝在無線通信模塊中的應(yīng)用
□．□．1 系統(tǒng)級封裝應(yīng)用于無線通信模塊的優(yōu)勢
□．□．□ 系統(tǒng)級封裝應(yīng)用于無線通信系統(tǒng)
□．□．3 發(fā)展趨勢和挑戰(zhàn)
□．3 系統(tǒng)級封裝技術(shù)在固態(tài)硬盤方面的應(yīng)用
□．3．1 SSD原理
□．3．□ 3D NAND和3D封裝集成SSD
□．3．3 3D集成封裝技術(shù)在SSD中的應(yīng)用實(shí)例
□．3．4 發(fā)展趨勢
□．4 系統(tǒng)級封裝在電源模塊、功率模塊中的應(yīng)用
□．4．1 電源模塊、功率模塊的簡介
□．4．□ 電源、功率元器件半導(dǎo)體材料
□．4．3 電源模塊、功率模塊封裝結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵技術(shù)
□．4．4 電源模塊、功率模塊發(fā)展趨勢
□．5 系統(tǒng)級封裝在MEMS中的應(yīng)用
□．5．1 MEMS傳感器系統(tǒng)級封裝的結(jié)構(gòu)和先進(jìn)互連技術(shù)
□．5．□ MEMS傳感器的系統(tǒng)級封裝實(shí)例
□．5．3 MEMS系統(tǒng)級封裝發(fā)展趨勢與挑戰(zhàn)
□．6 系統(tǒng)級封裝集成在智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用
□．6．1 系統(tǒng)級封裝集成在智能手機(jī)中的應(yīng)用
□．6．□ 系統(tǒng)級封裝集成在可穿戴設(shè)備中的應(yīng)用
□．6．3 系統(tǒng)級封裝集成在物聯(lián)網(wǎng)中的應(yīng)用
□．6．4 發(fā)展展望
參考文獻(xiàn)
第3章 系統(tǒng)級封裝的綜合設(shè)計(jì)
3．1 系統(tǒng)級封裝設(shè)計(jì)導(dǎo)論
3．□ 系統(tǒng)級封裝設(shè)計(jì)概述
3．□．1 設(shè)計(jì)流程
3．□．□ 封裝設(shè)計(jì)
3．□．3 基板設(shè)計(jì)
3．□．4 高密度結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
3．□．5 可靠性設(shè)計(jì)
3．3 電性能的分析與優(yōu)化
3．3．1 傳輸線的影響分析
3．3．□ 串?dāng)_分析與優(yōu)化
3．3．3 電磁干擾分析與優(yōu)化
3．3．4 電源完整性分析與優(yōu)化
3．3．5 高速系統(tǒng)板設(shè)計(jì)的分析與優(yōu)化
3．4 熱性能的分析與優(yōu)化設(shè)計(jì)
3．4．1 熱設(shè)計(jì)
3．4．□ 散熱機(jī)理
3．4．3 JEDEC標(biāo)準(zhǔn)
3．4．4 熱仿真流程及熱仿真模型
3．4．5 封裝散熱分析優(yōu)化
3．5 機(jī)械性能的分析與優(yōu)化
3．5．1 材料常規(guī)機(jī)械屬性
3．5．□ 封裝中的應(yīng)力優(yōu)化
參考文獻(xiàn)
第4章 系統(tǒng)級封裝集成基板
4．1 陶瓷基板
4．1．1 厚膜陶瓷基板
4．1．□ 薄膜陶瓷基板
4．1．3 低溫共燒陶瓷基板
4．1．4 高溫共燒陶瓷基板
4．□ 高密度金屬引線框架基板
4．□．1 金屬引線框架材料
4．□．□ 金屬引線框架的制造工藝
4．□．3 高密度金屬引線框架
4．□．4 大功率金屬引線框架
4．3 高密度有機(jī)基板
4．3．1 有機(jī)基板材料組成
4．3．□ 多層基板
4．3．3 無芯基板
4．3．4 超薄單層基板
4．3．5 埋入式基板
4．3．6 有機(jī)基板制造工藝
4．4 預(yù)包封引線互聯(lián)系統(tǒng)基板
4．4．1 單層MIS基板
4．4．□ 多層MIS基板
4．4．3 埋入式MIS基板
4．4．4 MIS基板的制造工藝
4．5 轉(zhuǎn)接板
4．5．1 轉(zhuǎn)接板的主要類型及應(yīng)用
4．5．□ 轉(zhuǎn)接板的典型工藝流程
4．5．3 轉(zhuǎn)接板的關(guān)鍵工藝技術(shù)
4．6 扇出型晶圓級封裝無基板重布線連接
4．6．1 簡介
4．6．□ 結(jié)構(gòu)和材料
4．6．3 工藝流程及特點(diǎn)
4．6．4 FOWLP與有機(jī)基板封裝的性能對比
參考文獻(xiàn)
第5章 封裝集成所用芯片、元器件和材料
5．1 芯片
5．1．1 芯片的分類
5．1．□ 芯片的封裝形式
5．□ 無源元器件
5．□．1 貼片電阻
5．□．□ 貼片電容
5．□．3 貼片電感
5．3 集成無源器件
5．3．1 表面貼裝陶瓷集成無源器件
5．3．□ 晶圓級集成無源器件
5．3．3 無源元器件埋入式基板集成
5．4 濾波器、晶振、天線、指紋傳感器
5．4．1 信號濾波器
5．4．□ 晶振
5．4．3 天線
5．4．4 指紋傳感器
5．5 封裝關(guān)鍵材料
5．5．1 裝片膠材料
5．5．□ 凸點(diǎn)材料
5．5．3 引線鍵合材料
5．5．4 塑封料
5．5．5 錫焊球材料
參考文獻(xiàn)
第6章 封裝集成關(guān)鍵技術(shù)及工藝
6．1 表面貼裝工藝
6．1．1 SMT工藝
6．1．□ 系統(tǒng)級封裝高密度貼裝工藝
6．1．3 SMT工藝關(guān)鍵技術(shù)
6．1．4 SMT設(shè)備
6．1．5 SMT材料
6．□ 引線鍵合工藝
6．□．1 引線鍵合過程
6．□．□ 金屬絲引線鍵合的工藝難點(diǎn)
6．□．3 引線鍵合的精確控制
6．3 倒裝工藝
6．3．1 倒裝工藝背景和歷史
6．3．□ 倒裝芯片互連結(jié)構(gòu)
6．3．3 凸點(diǎn)下層金屬化
6．3．4 UBM金屬層的制備
6．3．5 凸點(diǎn)材料的選擇與制備
6．3．6 倒裝鍵合工藝
6．4 底部填充工藝
6．4．1 底部填充工藝的作用
6．4．□ 底部填充工藝和相關(guān)主要材料
6．4．3 底部填充材料的關(guān)鍵性能
6．4．4 底部填充材料的發(fā)展趨勢
6．5 硅通孔工藝
6．5．1 硅通孔制造工藝
6．5．□ 深反應(yīng)離子蝕刻
6．5．3 絕緣層沉積
6．5．4 擴(kuò)散阻擋層和種子黏附層的沉積
6．5．5 硅通孔鍍銅
6．6 重布線工藝
6．6．1 電鍍銅重布線
6．6．□ 大馬士革重布線
6．6．3 金屬蒸鍍+金屬剝除重布線
6．7 臨時(shí)鍵合與解鍵合工藝
6．7．1 熱/機(jī)械滑移式臨時(shí)鍵合與解鍵合
6．7．□ 化學(xué)浸泡式臨時(shí)鍵合與解鍵合
6．7．3 激光式臨時(shí)鍵合與解鍵合
6．8 塑封工藝
6．8．1 塑封前等離子清洗
6．8．□ 塑封工藝的分類
6．8．3 影響塑封工藝的關(guān)鍵因素
6．8．4 塑封后固化烘烤
參考文獻(xiàn)
第7章 系統(tǒng)級封裝集成結(jié)構(gòu)
7．1 陶瓷封裝集成結(jié)構(gòu)
7．1．1 陶瓷封裝的類型及工藝
7．1．□ 多腔陶瓷封裝結(jié)構(gòu)
7．1．3 采用不同基板的陶瓷封裝結(jié)構(gòu)
7．1．4 基板與外殼一體化的陶瓷封裝結(jié)構(gòu)
7．1．5 陶瓷封裝疊層結(jié)構(gòu)
7．□ 多芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)
7．□．1 封裝體內(nèi)裸芯片堆疊的方案
7．□．□ 主要相關(guān)工藝技術(shù)介紹
7．3 埋入式封裝結(jié)構(gòu)
7．3．1 埋入式基板
7．3．□ 預(yù)包封引線互聯(lián)系統(tǒng)基板封裝結(jié)構(gòu)
7．4 封裝體堆疊封裝結(jié)構(gòu)
7．4．1 PoP封裝結(jié)構(gòu)簡介
7．4．□ PoP底部封裝結(jié)構(gòu)及工藝
7．4．3 PoP結(jié)構(gòu)的現(xiàn)狀和發(fā)展
7．5 雙面封裝結(jié)構(gòu)
7．5．1 引線鍵合雙面封裝結(jié)構(gòu)
7．5．□ 雙面封裝流程
7．6 MEMS封裝結(jié)構(gòu)
7．6．1 MEMS產(chǎn)品
7．6．□ MEMS傳感器種類和應(yīng)用
7．6．3 MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)
7．6．4 晶圓級芯片封裝
7．7 □．5D封裝結(jié)構(gòu)
7．7．1 □．5D硅轉(zhuǎn)接板封裝結(jié)構(gòu)
7．7．□ □．5D封裝的工藝流程
7．7．3 □．5D埋入式多芯片橋連封裝結(jié)構(gòu)
7．7．4 □．5D無轉(zhuǎn)接板封裝結(jié)構(gòu)
7．7．5 □．5D封裝技術(shù)的現(xiàn)狀和發(fā)展
7．8 扇出型封裝結(jié)構(gòu)
7．8．1 芯片朝下的扇出型系統(tǒng)級封裝
7．8．□ 芯片朝上的扇出型系統(tǒng)級封裝
7．8．3 □．5D扇出型系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)
7．8．4 EWLB堆疊封裝結(jié)構(gòu)
7．8．5 集成扇出型堆疊封裝結(jié)構(gòu)
7．8．6 扇出型系統(tǒng)級封裝的發(fā)展趨勢
參考文獻(xiàn)
第8章 集成功能測試
8．1 系統(tǒng)級封裝測試
8．1．1 晶圓測試
8．1．□ 封裝成品測試
8．1．3 可靠性測試
8．1．4 板級系統(tǒng)測試
8．1．5 系統(tǒng)級封裝成品測試流程
8．□ 系統(tǒng)級封裝測試項(xiàng)目
8．□．1 系統(tǒng)級封裝通用測試項(xiàng)目
8．□．□ 模擬電路測試項(xiàng)目
8．□．3 數(shù)字電路測試項(xiàng)目
8．□．4 射頻電路測試項(xiàng)目
8．□．5 混合信號電路測試項(xiàng)目
8．3 測試機(jī)
8．3．1 測試機(jī)市場
8．3．□ 測試機(jī)結(jié)構(gòu)
8．3．3 測試機(jī)選型
8．4 系統(tǒng)級封裝測試技術(shù)要求
8．5 系統(tǒng)級封裝量產(chǎn)測試
8．6 系統(tǒng)級封裝測試的發(fā)展趨勢
參考文獻(xiàn)
第9章 可靠性與失效分析
9．1 系統(tǒng)級封裝可靠性
9．1．1 系統(tǒng)級封裝的可靠性要求
9．1．□ 系統(tǒng)級封裝的可靠性
9．□ 可靠性試驗(yàn)
9．□．1 塑封芯片短時(shí)間封裝可靠性試驗(yàn)
9．□．□ 塑封芯片長時(shí)間封裝可靠性測試
9．□．3 板級可靠性加速測試
9．3 失效分析
9．3．1 熱點(diǎn)分析技術(shù)
9．3．□ 無損探傷技術(shù)
9．3．3 聚焦離子束技術(shù)
9．3．4 剝層技術(shù)
9．3．5 失效分析方法與流程
9．3．6 其他失效分析手段
9．4 系統(tǒng)級封裝常見失效模式
9．4．1 芯片常見缺陷
9．4．□ 多芯片封裝集成常見失效模式
9．4．3 多芯片堆疊封裝常見失效模式
9．4．4 PoP常見失效模式
9．4．5 MEMS封裝常見失效模式
9．5 系統(tǒng)級封裝典型失效案例分析
9．5．1 板級案例分析――焊錫橋連
9．5．□ 板級案例分析――金屬殘留
9．5．3 板級案例分析――靜電釋放短路
9．5．4 板級案例分析――電氣過載開路
9．5．5 板級案例分析――焊錫流失開路
9．5．6 板級案例分析――元器件觸碰失效
9．5．7 板級案例分析――元器件錫橋連
9．6 系統(tǒng)級封裝可靠性持續(xù)改善
9．6．1 內(nèi)應(yīng)力與結(jié)合強(qiáng)度
9．6．□ 玻璃轉(zhuǎn)換溫度
9．6．3 減小潛變應(yīng)力
參考文獻(xiàn)
通用術(shù)語
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