本書共7章，主要介紹了改性鍺半導(dǎo)體物理的相關(guān)內(nèi)容，包括Ge帶隙類型轉(zhuǎn)變理論、改性鍺半導(dǎo)體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調(diào)制理論、改性鍺半導(dǎo)體光學(xué)特性理論以及改性鍺 MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過本書的學(xué)習(xí)，可為讀者以后學(xué)習(xí)改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。

本書可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關(guān)專業(yè)的學(xué)生參考。