本書系統(tǒng)介紹電子束制備物理氣相沉積硅的機理，從數(shù)值模擬角度提出氬氣調(diào)控制備氣相沉積硅的技術(shù)，分析氣態(tài)硅遷移、沉積行為及氣相沉積硅的微觀結(jié)構(gòu)，并通過研磨法制備納米硅氧化硅顆粒。在此基礎(chǔ)上，利用自組裝法制備了納米硅碳負(fù)極材料及硅碳石墨負(fù)極材料，分析其微觀結(jié)構(gòu)和物化狀態(tài)，通過循環(huán)測試分析了電化學(xué)性能，并闡明硅烷偶聯(lián)劑對納米硅碳負(fù)極材料微觀結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的影響。從微觀結(jié)構(gòu)和物相變化角度論述納米硅碳負(fù)極材料嵌脫鋰穩(wěn)定性，闡明了納米硅顆粒與碳層的破壞、Li15Si4合金生長的電極電位以及對嵌脫鋰穩(wěn)定性的影響。本書可供