前言
第1章 半導體量子點形貌結(jié)構(gòu)特征
引言
1．1 界面漲落量子點
1．2 自組織量子點
1．3 耦合量子點
1．4 微腔中的量子點
1．5 新型雜化量子點
參考文獻

第2章 半導體量子點基本相干特性和單量子點探測技術(shù)
引言
2．1 半導體量子點基本相干特性
2．2 單量子點探測技術(shù)
參考文獻

第3章 半導體量子點激子量子比特旋轉(zhuǎn)及其品質(zhì)因子
引言
3．1 量子比特旋轉(zhuǎn)基本概念
3．2 半導體量子點激子量子比特自由旋轉(zhuǎn)品質(zhì)因子Q0
3．3 半導體量子點激子量子比特Rabi振蕩品質(zhì)因子QR
3．4 Rabi振蕩退相干機制的分析
參考文獻

第4章 半導體量子點中的量子邏輯運算
引言
4．1 量子邏輯門和量子算法基本概念
4．2 單個半導體量子點中實現(xiàn)控制旋轉(zhuǎn)門CROT
4．3 利用量子交換操作實現(xiàn)兩個量子比特態(tài)上的粒子數(shù)交換
4．4 半導體量子點中DeutschJozsa量子邏輯運算
4．5 三量子比特Toffoli門操作
參考文獻

第5章 半導體量子點中激子自旋弛豫和自旋交換
引言
5．1 半導體量子點中能級解簡并與線偏振本征態(tài)及其激子自旋
5．2 半導體量子點中激子自旋弛豫特性
5．3 利用Uf控制門實現(xiàn)激子自旋交換
參考文獻

第6章 半導體量子點單光子發(fā)射
引言
6．1 光發(fā)射統(tǒng)計特性基本概念
6．2 連續(xù)激發(fā)下單光子發(fā)射
6．3 脈沖激發(fā)下單光子發(fā)射
6．4 脈沖激發(fā)下交叉偏振單光子發(fā)射
6．5 由脈沖激發(fā)過渡到連續(xù)激發(fā)
6．6 半導體量子點單光子發(fā)射實驗觀測
6．7 半導體量子點單光子源的研究進展
參考文獻

第7章 半導體量子點級聯(lián)多光子發(fā)射
引言
7．1 單量子點中雙激子三能級體系級聯(lián)光子對的發(fā)射特性
7．2 耦合量子點雙激子體系級聯(lián)光子對的發(fā)射特性
7．3 三激子體系級聯(lián)光子對的發(fā)射特性
參考文獻

第8章 半導體量子點中可控糾纏光子對的發(fā)射
引言
8．1 “光子對”偏振糾纏基本概念
8．2 半導體量子點精細能級結(jié)構(gòu)
8．3 簡并雙激子體系糾纏光子發(fā)射特性
8．4 非簡并雙激子體系頻譜過濾與糾纏光發(fā)射
8．5 半導體量子點糾纏光源的研究進展
參考文獻

附錄
附錄1．1 半導體量子點中量子計算和量子信息標志性實驗研究進展（2001-2019）
附錄2．1 單量子點能級結(jié)構(gòu)示意圖以及單量子點探測技術(shù)
附錄3．1 含浸潤層和雙激子等多能級躍遷的粒子數(shù)運動方程
附錄4．1 激子雙激子四能級體系激子動力學方程
附錄4．2 雙脈沖激發(fā)下V型三能級系統(tǒng)激子動力學方程
附錄5．1 含粒子數(shù)泄漏與Auger俘獲的激子自旋弛豫動力學方程
附錄6．1 量子回歸定理及其推論
附錄6．2 脈沖激發(fā)下簡單三能級體系二階相關(guān)函數(shù)運動方程
附錄6．3 脈沖激發(fā)下V型體系二階相關(guān)函數(shù)運動方程
附錄7．1 雙激子三能級體系二階相關(guān)函數(shù)運動方程
附錄7．2 脈沖激發(fā)下耦合量子點體系的二階相關(guān)函數(shù)運動方程
附錄7．3 激子雙激子三激子體系運動力學方程
附錄7．4 脈沖激發(fā)下激子雙激子三激子體系二階相關(guān)函數(shù)運動方程
附錄8．1 作者及其課題組發(fā)表的相關(guān)研究論文