第1章 半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)

1.1概述

1.2平衡半導(dǎo)體

1.3載流子輸運(yùn)現(xiàn)象

1.4非平衡載流子

1.5雙極晶體管基本原理

1.6雙極晶體管類型

1.7雙極晶體管電性能及缺陷分析測(cè)試方法

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第2章空間帶電粒子輻射環(huán)境表征

2.1概述

2.2太陽(yáng)活動(dòng)對(duì)空間帶電粒子環(huán)境的影響

2.3地球輻射帶粒子環(huán)境

2.4銀河宇宙線粒子環(huán)境

2.5太陽(yáng)宇宙線粒子環(huán)境

2.6近地軌道帶電粒子能譜計(jì)算

2.7帶電粒子輻射損傷能力判據(jù)

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第3章 雙極器件電離輻射損傷效應(yīng)

3.1概述

3.2雙極器件電離損傷效應(yīng)基本特征

3.3雙極器件電離損傷缺陷表征

3.4雙極器件電離損傷影響因素

3.5電離輻射缺陷產(chǎn)生過(guò)程

3.6雙極晶體管電離損傷相關(guān)問題

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第4章雙極器件位移損傷效應(yīng)

4.1概述

4.2位移輻射損傷效應(yīng)基本特征

4.3雙極器件位移缺陷表征及演化

4.4位移損傷影響因素

4.5位移損傷效應(yīng)機(jī)理

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第5章雙極器件電離/位移協(xié)同效應(yīng)

5.1概述

5.2電離/位移協(xié)同效應(yīng)基本特征

5.3輻射損傷缺陷特征

5.4輻射損傷機(jī)理

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第6章雙極器件抗輻射加固相關(guān)問題

6.1引言

6.2雙極器件輻射損傷敏感部位界定

6.3抗輻射雙極器件工藝優(yōu)化

6.4抗輻射雙極器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)準(zhǔn)則

6.5雙極電路與晶體管損傷的關(guān)聯(lián)

6.6新型抗輻射半導(dǎo)體材料應(yīng)用前景

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第7章 雙極器件輻射損傷效應(yīng)評(píng)價(jià)方法

7.1引言

7.2雙極器件輻射損傷模擬實(shí)驗(yàn)方法

7.3低劑量率增強(qiáng)效應(yīng)地面加速試驗(yàn)方法

7.4器件在軌吸收劑量計(jì)算方法

7.5器件在軌性能退化預(yù)測(cè)方法

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