第1章 緒論
1.1 電力電子器件的發(fā)展
1.1.1 Si電力電子器件的發(fā)展
1.1.2 寬禁帶電力電子器件的發(fā)展
1.1.3 我國電力電子器件的發(fā)展
1.2 固態(tài)微波器件的發(fā)展
1.2.1 Si和GaAs固態(tài)微波器件與電路的發(fā)展
1.2.2 SiC固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1.2.3 GaN固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1.3 固態(tài)器件在雷達(dá)領(lǐng)域的應(yīng)用
1.3.1 si、GaAs固態(tài)微波器件與固態(tài)有源相控陣?yán)走_(dá)
1.3.2 SiC、GaN固態(tài)微波器件與T／R模塊
1.3.3 siC、GaN高頻開關(guān)功率器件與開關(guān)功率源／固態(tài)脈沖調(diào)制源
參考文獻(xiàn)
第2章 寬禁帶半導(dǎo)體材料
2.1 氮化鎵和碳化硅晶體材料
2.1.1 GaN晶體性質(zhì)和制備
2.1.2 SiC晶體性質(zhì)和制備
2.2 碳化硅材料的同質(zhì)外延生長技術(shù)
2.2.1 SiC同質(zhì)外延生長方法
2.2.2 SiC CVD同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)
2.2.3 SiC外延層缺陷
2.3 氮化物材料的異質(zhì)外延生長技術(shù)
2.3.1 氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2.3.2 用于氮化物異質(zhì)外延的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積技術(shù)
2.3.3 氮化物異質(zhì)外延生長中的幾個(gè)重要問題
2.4 寬禁帶半導(dǎo)體材料的表征方法
2.4.1 X射線衍射測試
2.4.2 原子力顯微鏡測量
2.4.3 光致發(fā)光譜測量
2.4.4 傅里葉變換紅外譜厚度測試
2.4.5 汞探針CV法測量雜質(zhì)濃度分布
參考文獻(xiàn)
第3章 碳化硅高頻功率器件
3.1 SiC功率二極管
3.1.1 siC肖特基二極管
3.1.2 siC PIN二極管
3.1.3 SiC JBS二極管
3.1.4 siC二極管進(jìn)展
3.1.5 siC二極管應(yīng)用
3.2 SiC MESFET
3.2.1 工作原理
3.2.2 SiC MESFET研究進(jìn)展
3.2.3 SiC MESFET應(yīng)用
3.3 SiC MOSFET
3.3.1 工作原理
3.3.2 關(guān)鍵工藝
3.3.3 SiC MOSFET進(jìn)展
3.3.4 SiC MOSFET應(yīng)用
3.4 siC JFET