第1章半導體二極管
1．1概述
1．2半導體材料：鍺、硅和砷化鎵
1．3共價鍵和本征材料
1．4摻雜材料：n型材料和p型材料
1．5半導體二極管
1．6理想特性與實際特性
1．7電阻水平
1．8二極管等效電路
1．9勢壘電容和擴散電容
1．10反向恢復時間
1．11二極管規(guī)格表
1．12半導體二極管符號
1．13齊納二極管
1．14發(fā)光二極管
1．15小結
1．16計算機分析
習題
第2章二極管應用
2．1概述
2．2負載線分析
2．3等效模型分析
2．4與/或門
2．5正弦波輸入、半波整流
2．6全波整流
2．7限幅電路
2．8鉗位電路
2．9齊納二極管
2．10小結
習題
第3章雙極性結型晶體管
3．1概述
3．2晶體管的結構
3．3晶體管的工作原理
3．4共基組態(tài)
3．5晶體管放大原理
3．6共射組態(tài)
3．7共集組態(tài)
3．8晶體管的工作限
3．9晶體管規(guī)格說明書
3．10晶體管外形及引腳識別
3．11小結
習題
第4章BJT電路直流偏置
4．1概述
4．2工作點
4．3固定偏置電路
4．4射極偏置
4．5分壓式偏置
4．6電壓反饋式直流偏置
4．7其他偏置電路
4．8晶體管開關電路
4．9pnp型晶體管
4．10偏置的穩(wěn)定性
4．11小結
習題
第5章BJT交流分析
5．1概述
5．2交流放大
5．3BJT管建模
5．4re晶體管模型
5．5混合等效模型
5．6混合π模型
5．7晶體管參數(shù)的變化
5．8固定偏置共射放大電路
5．9分壓式偏置共射放大電路
5．10射極偏置共射放大電路
5．11射極跟隨電路
5．12共基電路
5．13集電極反饋電路
5．14集電極直流反饋電路
5．15電流放大倍數(shù)的確定
5．16RL和RS的影響
5．17雙端口網(wǎng)絡方法
5．18總結表
5．19級聯(lián)系統(tǒng)
5．20達林頓復合管
5．21反饋對復合管
5．22鏡像電流源電路
5．23電流源電路
5．24簡化混合等效模型
5．25小結
習題
第6章場效應晶體管
6．1概述
6．2結型場效應管的構造和特性
6．3轉移特性
6．4規(guī)格清單（結型場效應管）
6．5重要關系
6．6耗盡型MOS場效應管
6．7增強型MOS場效應管
6．8互補型MOS場效應管
6．9總結表
6．10小結
習題
第7章場效應管的偏置
7．1概述
7．2固定偏置電路
7．3自偏置電路
7．4分壓偏置電路
7．5耗盡型MOSFET
7．6增強型MOSFET
7．7總結表
7．8組合電路
7．9p溝道場效應管
7．10小結
習題
第8章場效應管放大器
8．1概述
8．2場效應管的小信號模型
8．3結型場效應管固定偏置的共源放大電路
8．4結型場效應管自偏置的共源放大電路
8．5結型場效應管分壓偏置的共源放大電路
8．6結型場效應管的源極跟隨器（共漏極）電路
8．7結型場效應管的共柵極電路
8．8耗盡型MOSFET
8．9增強型MOSFET
8．10增強型MOSFET漏極反饋共源放大電路
8．11增強型MOSFET分壓偏置共源放大電路
8．12總結表
8．13RL和Rsig的影響
8．14級聯(lián)電路
8．15小結
習題
第9章BJT和FET的頻率響應
9．1概述
9．2一般的頻率因素
9．3低頻分析――伯德圖
9．4低頻響應――BJT放大器
9．5低頻響應――FET放大器
9．6密勒效應電容或密勒電容
9．7高頻響應――BJT放大器
9．8高頻響應――FET放大器
9．9多級頻率響應
9．10小結
習題
第10章運算放大器
10．1概述
10．2差分放大電路
10．3差模和共模操作
10．4BiFET， BiMOS和CMOS構成的差分放大電路
10．5運算放大器基礎
10．6運算放大器參數(shù)――直流補償參數(shù)
10．7運算放大器參數(shù)――頻率參數(shù)
10．8運算放大器規(guī)格說明書
10．9小結
習題
第11章運算放大器的應用
11．1運算電路
11．2有源濾波器
11．3比較器應用
11．4施密特觸發(fā)器
11．5小結
習題
第12章功率放大器
12．1概述――功率放大器的定義與類型
12．2串饋型甲類功率放大器
12．3變壓器耦合甲類功率放大器
12．4乙類功率放大器的工作
12．5乙類功率放大器
12．6丙類和丁類功率放大器
12．7小結
習題
第13章反饋電路
13．1反饋的概念
13．2反饋的組態(tài)類型
13．3實用反饋電路
13．4反饋放大器――相位和頻率考慮
13．5小結
習題