第1章 晶體結(jié)構(gòu)
1.1 晶體的宏觀特征
1.2 晶體的微觀結(jié)構(gòu)
1.2.1 空間點(diǎn)陣
1.2.2 平移矢與晶格
1.2.3 原胞與晶胞
1.3 晶格類(lèi)型與典型結(jié)構(gòu)
1.3.1 立方晶系
1.3.2 其他晶格類(lèi)型
1.3.3 金剛石結(jié)構(gòu)
1.3.4 閃鋅礦結(jié)構(gòu)
1.3.5 密堆砌結(jié)構(gòu)
1.3.6 其他典型結(jié)構(gòu)
1.4 晶體的對(duì)稱(chēng)性
1.4.1 旋轉(zhuǎn)對(duì)稱(chēng)操作
1.4.2 中心反演
1.4.3 鏡像面
1.4.4 旋轉(zhuǎn)反演操作
1.4.5 螺旋與滑移反映操作
1.5 晶向與晶面指數(shù)
1.5.1 晶列與晶向
1.5.2 晶面與晶面指數(shù)
1.5.3 金剛石結(jié)構(gòu)硅的晶向與晶面
1.6 晶體的倒格子與布里淵區(qū)
1.6.1 倒格子的定義
1.6.2 倒格子與正格子的關(guān)系
1.6.3 布里淵區(qū)的定義
1.6.4 典型晶格倒格子及布里淵區(qū)
1.7 晶體的X射線衍射
1.7.1 晶體衍射簡(jiǎn)介
1.7.2 晶格衍射極大條件
1.7.3 厄瓦爾德反射球
1.7.4 影響衍射的因素
習(xí)題一

第2章 晶體結(jié)合與晶格振動(dòng)及缺陷
2.1 晶體內(nèi)能與性質(zhì)
2.1.1 內(nèi)能函數(shù)
2.1.2 與內(nèi)能相關(guān)的性質(zhì)
2.2 晶體結(jié)合類(lèi)型
2.2.1 離子結(jié)合
2.2.2 共價(jià)結(jié)合
2.2.3 金屬結(jié)合
2.2.4 范德瓦爾斯結(jié)合
2.2.5 氫鍵結(jié)合
2.3 一維晶格振動(dòng)
2.3.1 單原子鏈運(yùn)動(dòng)方程
2.3.2 格波的色散關(guān)系
2.3.3 關(guān)于格波與波矢的討論
2.3.4 波恩-卡曼周期性邊界條件
2.3.5 雙原子鏈的運(yùn)動(dòng)方程
2.3.6 聲學(xué)波與光學(xué)波
2.4 三維晶格振動(dòng)與聲子
2.4.1 三維晶格振動(dòng)討論
2.4.2 晶格振動(dòng)能量與諧振子
2.4.3 能量量子與聲子
2.5 晶格缺陷
2.5.1 點(diǎn)缺陷
2.5.2 線缺陷
2.5.3 面缺陷
習(xí)題二

第3章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)與雜質(zhì)
3.1 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
3.1.1 原子中的電子狀態(tài)和能級(jí)
3.1.2 晶體中的電子狀態(tài)
3.2 周期性勢(shì)場(chǎng)中的電子狀態(tài)和能帶
3.2.1 晶體的周期性勢(shì)場(chǎng)
3.2.2 薛定諤方程和布洛赫（Bloch）定理
3.2.3 Kronig-Penney模型
3.2.4 布里淵區(qū)
3.2.5 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)
3.3 半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)、有效質(zhì)量
3.3.1 半導(dǎo)體中E（k）與k的關(guān)系
3.3.2 半導(dǎo)體中電子的速度（平均速度）
3.3.3 半導(dǎo)體中電子的加速度
3.3.4 有效質(zhì)量的意義
3.4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)——空穴
3.4.1 能帶中電子的導(dǎo)電作用
3.4.2 空穴
3.5 回旋共振
3.5.1 k空間等能面
3.5.2 回旋共振的實(shí)驗(yàn)原理與方法
3.6 硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
3.6.1 硅和鍺的導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)
3.6.2 硅和鍺的價(jià)帶結(jié)構(gòu)
3.6.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
3.7 半導(dǎo)體中雜質(zhì)、缺陷及其能級(jí)
3.7.1 硅鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)
3.7.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)
3.7.3 晶體缺陷和位錯(cuò)能級(jí)
習(xí)題三

第4章 半導(dǎo)體中的載流子及其導(dǎo)電性
4.1 狀態(tài)密度
4.1.1 k空間的量子態(tài)分布
4.1.2 狀態(tài)密度
4.2 費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
4.2.1 費(fèi)米分布函數(shù)
4.2.2 玻爾茲曼分布函數(shù)
4.2.3 非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體載流子濃度
4.3 本征半導(dǎo)體
4.4 非簡(jiǎn)并雜質(zhì)半導(dǎo)體
4.4.1 雜質(zhì)能級(jí)上的電子和空穴
4.4.2 非簡(jiǎn)并雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度
4.5 一般情況下載流子的統(tǒng)計(jì)分布
4.6 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
4.6.1 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度
4.6.2 重?fù)诫s效應(yīng)
習(xí)題四

第5章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
5.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)——遷移率
5.1.1 歐姆定律的微分形式
5.1.2 載流子的漂移速度和遷移率
5.1.3 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率
5.2 載流子散射
5.2.1 載流子的散射概念
5.2.2 半導(dǎo)體的主要散射機(jī)構(gòu)
5.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5.3.1 平均自由時(shí)間和散射概率的關(guān)系
5.3.2 電導(dǎo)率，遷移率與平均自由時(shí)間的關(guān)系
5.3.3 遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5.4 電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
5.4.1 電阻率與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
5.4.2 電阻率與溫度的關(guān)系
5.5 強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)與熱載流子
5.5.1 強(qiáng)電場(chǎng)下歐姆定律的偏離
5.5.2 平均漂移速度與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系
5.6 耿氏效應(yīng)
5.6.1 多能谷散射和體內(nèi)微分負(fù)電導(dǎo)
5.6.2 高場(chǎng)疇區(qū)及耿氏振蕩
習(xí)題五

第6章 非平衡載流子及其擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
6.1 非平衡載流子的注入與復(fù)合
6.2 非平衡載流子的壽命
6.3 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
6.4 復(fù)合理論
6.4.1 直接復(fù)合
6.4.2 間接復(fù)合
6.4.3 表面復(fù)合
6.5 陷阱效應(yīng)
6.6 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、電流密度方程和愛(ài)因斯坦關(guān)系式
6.6.1 平面擴(kuò)散
6.6.2 徑向擴(kuò)散
6.6.3 電流密度方程
6.6.4 愛(ài)因斯坦關(guān)系式
6.7 連續(xù)性方程
6.7.1 連續(xù)性方程的建立
6.7.2 連續(xù)性方程的應(yīng)用
習(xí)題六

第7章 半導(dǎo)體接觸理論
7.1 pn結(jié)及其能帶圖
7.1.1 pn結(jié)的結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布
7.1.2 空間電荷區(qū)
7.1.3 pn結(jié)的能帶圖
7.1.4 接觸電勢(shì)差
7.1.5 pn結(jié)中的載流子分布
7.2 pn結(jié)電流-電壓特性
7.2.1 pn結(jié)的勢(shì)壘
7.2.2 理想電流電壓模型及方程
7.2.3 影響pn結(jié)伏安特性曲線的因素
7.3 pn結(jié)電容
7.3.1 勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容
7.3.2 突變結(jié)的勢(shì)壘電容
7.3.3 線性緩變結(jié)勢(shì)壘電容
7.3.4 擴(kuò)散電容
7.4 pn結(jié)的擊穿特性
7.4.1 雪崩擊穿
7.4.2 隧道擊穿
7.4.3 熱電擊穿
7.5 金屬-半導(dǎo)體接觸與能帶圖
7.5.1 金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)
7.5.2 接觸電勢(shì)差
7.5.3 表面態(tài)對(duì)接觸勢(shì)壘的影響
7.6 金屬和半導(dǎo)體接觸的電流-電壓特性
7.6.1 整流特性
7.6.2 少數(shù)載流子的注入效應(yīng)
7.6.3 歐姆接觸
習(xí)題七

第8章 半導(dǎo)體表面與界面理論
8.1 半導(dǎo)體表面特性
8.1.1 表面態(tài)
8.1.2 表面電場(chǎng)效應(yīng)
8.2 MIS結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性
8.2.1 理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性
8.2.2 影響MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的主要因素
8.3 硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
8.3.1 二氧化硅層中的可動(dòng)離子
8.3.2 二氧化硅層中的固定表面電荷
8.3.3 硅-二氧化硅層的界面態(tài)
8.3.4 二氧化硅中的陷阱電荷
8.4 異質(zhì)結(jié)
8.4.1 異質(zhì)結(jié)的能帶圖
8.4.2 異質(zhì)結(jié)的電流機(jī)制
8.4.3 異質(zhì)結(jié)的應(yīng)用
習(xí)題八

第9章 半導(dǎo)體光學(xué)特性
9.1 半導(dǎo)體基本光學(xué)特性
9.2 半導(dǎo)體的光吸收
9.2.1 本征吸收與帶間躍遷
9.2.2 激子吸收
9.2.3 帶內(nèi)躍遷
9.2.4 雜質(zhì)吸收
9.2.5 晶格振動(dòng)吸收
9.3 半導(dǎo)體的光電導(dǎo)
9.3.1 光電導(dǎo)現(xiàn)象的分類(lèi)
9.3.2 本征光電導(dǎo)
9.3.3 雜質(zhì)光電導(dǎo)
9.3.4 其他類(lèi)型光電導(dǎo)
9.3.5 光電導(dǎo)靈敏度及對(duì)光電導(dǎo)材料的要求
9.3.6 光電導(dǎo)效應(yīng)的影響因素
9.4 半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
9.4.1 體光生伏特效應(yīng)
9.4.2 勢(shì)壘型光生伏特效應(yīng)
9.4.3 光電二極管的伏安特性
9.4.4 太陽(yáng)能電池
9.5 半導(dǎo)體發(fā)光
9.5.1 半導(dǎo)體中的發(fā)光過(guò)程
9.5.2 發(fā)光效率
9.5.3 電致發(fā)光機(jī)構(gòu)
9.5.4 光發(fā)射器件
……