本書從無機鈣鈦礦光電材料的結(jié)構(gòu)與基本性能出發(fā)，系統(tǒng)介紹了無機鈣鈦礦光電材料（量子點、薄膜和單晶）的不同制備方法與優(yōu)勢，重點闡述了該類材料在發(fā)光二極管、激光器、太陽能電池、光電探測器和電子器件等方面的應(yīng)用進展及技術(shù)瓶頸。內(nèi)容涵蓋了該領(lǐng)域理論方面的基本概念和器件工作機理的解釋，也對材料和器件的制備工藝及優(yōu)化技術(shù)進行了詳細(xì)闡述。同時，本書從無機鈣鈦礦光電材料的種類、性能和應(yīng)用等方面出發(fā)，系統(tǒng)地總結(jié)和歸納了其發(fā)展歷程，為讀者展示了近十年來該領(lǐng)域的重要進展。

本書從標(biāo)量性質(zhì)和矢量性質(zhì)兩個方面介紹激光與物質(zhì)相互作用的基本理論及其應(yīng)用。全書共9章。第1章概括介紹激光與原子、分子相互作用的機理和相關(guān)問題。第2章介紹電磁場與原子態(tài)的二次量子化理論和光吸收與光輻射理論。第3章介紹量子劉維爾方程與光學(xué)布洛赫方程及其應(yīng)用。第4章介紹量子力學(xué)微擾理論，用于描述原子或分子的多光子激發(fā)與電離過程。第5章介紹含時量子波包理論及其計算方法。第6章介紹角動量耦合與統(tǒng)計張量理論。第7章介紹光與物質(zhì)相互作用的矢量性質(zhì)，包括分子定向與取向、定向分子的光解離與光電離理論、光電子角分布

本書內(nèi)容包括：紅外成像系統(tǒng)的基本概念、工作原理、通用測試技術(shù)、專項測試技術(shù)、自動測試技術(shù)以及測試結(jié)果的不確定性分析等。其中專項測試技術(shù)包括聚焦和系統(tǒng)分辨率、系統(tǒng)響應(yīng)率、信號傳遞函數(shù)、系統(tǒng)噪聲、三維噪聲模型、NETD、對比度傳遞函數(shù)、調(diào)制傳遞函數(shù)、幾何傳遞函數(shù)、MRTD和MTD等的理論基礎(chǔ)、測試原理和測試方法等。

本書圍繞有源光纖、光纖激光器與光纖放大器，簡明闡述和研討其基本原理、典型特征及其應(yīng)用與發(fā)展。全書分為三篇，共十四章。第一篇專注于有源光纖與光纖激光基礎(chǔ)，簡要介紹光致發(fā)光、受激輻射與激光、光纖激光器與光纖放大器基本原理、激光增益介質(zhì)概況。第二篇致力于研討有源光纖的制備、特性、應(yīng)用與發(fā)展。第三篇專注于光纖激光器與光纖放大器，著重研討各類型石英玻璃光纖激光器和特種玻璃光纖激光器的典型特征、研究現(xiàn)狀與應(yīng)用、面臨挑戰(zhàn)與未來發(fā)展。

本書全面介紹課題組利用微納介質(zhì)調(diào)控太赫茲波幅度、相位、偏振等參數(shù)的研究成果。本書主要涵蓋有機材料、二維材料、硒氧化鉍材料、摻雜熒光體發(fā)光材料、電流變液材料等介質(zhì)的太赫茲傳輸特性，并且進一步詳細(xì)分析光子晶體、液晶材料、VO2、鈣鈦礦量子點微納介質(zhì)等與超材料相結(jié)合獲得各類復(fù)合微納介質(zhì)超表面，最終實現(xiàn)對太赫茲波諧振及傳輸特性的調(diào)控。微納介質(zhì)太赫茲器件主要包括太赫茲調(diào)制器、太赫茲濾波器、太赫茲移相器、太赫茲極化轉(zhuǎn)換器等。

本書緊密結(jié)合當(dāng)前武器裝備及人員面臨的光電偵察及打擊威脅，系統(tǒng)介紹了光電防護技術(shù)概述、目標(biāo)光學(xué)特性與探測原理、可見光隱身偽裝原理與技術(shù)、紅外隱身偽裝原理與防護技術(shù)、激光告警與干擾防護技術(shù)和光電防護效能評估理論與方法，內(nèi)容涵蓋了光學(xué)、紅外、激光和高光譜等波段的偵察探測、隱身偽裝及防護理論和技術(shù)。

本書針對激光與物質(zhì)相互作用的基礎(chǔ)理論、效應(yīng)機理、前沿應(yīng)用等問題進行了概述和凝練，展示了激光在精密制造、快速清洗、環(huán)境保護、激光系統(tǒng)元件應(yīng)用等領(lǐng)域的前沿成果。本書主要內(nèi)容包括飛秒激光特性及加工優(yōu)勢激光及等離子體清洗、等離子體光譜對界面檢測、激光誘導(dǎo)光學(xué)材料損傷等。本書從激光與物質(zhì)相互作用的基本原理出發(fā)，針對不同的激光參數(shù)和材料類型，對激光作用過程和效應(yīng)進行理論分析、機理研究、仿真模擬、實驗驗證、并建立了相應(yīng)的物理模型。在理論研究的基礎(chǔ)上，對激光作用效應(yīng)進行了歸納，并對其應(yīng)用的領(lǐng)域及其優(yōu)勢進行了總結(jié)

本書內(nèi)容主要基于紅外焦平面陣列探測器領(lǐng)域取得的成果，并系統(tǒng)介紹了紅外焦平面陣列探測器的設(shè)計理論及制造過程。本書分別介紹了非制冷型和制冷型兩大類紅外焦平面陣列探測器，主要具體內(nèi)容為：碲鎘汞和超晶格等熱敏材料制備；金屬、陶瓷、晶圓和像素級四類封裝工藝；線性、旋轉(zhuǎn)式等多種斯科特式制冷技術(shù)與器件；涉及各類核心器件性能的高精度檢測技術(shù)；紅外焦平面陣列探測器全生命生產(chǎn)周期管理；各類紅外焦平面陣列探測器應(yīng)用技術(shù)。

本書內(nèi)容包括：GaN量子阱的基本性質(zhì)、GaN量子阱中的電子態(tài)、GaN量子阱中的類氫雜質(zhì)態(tài)、GaN量子阱中的激子態(tài)、GaN量子阱中的電子子帶躍遷等。

本書共五章，內(nèi)容包含了光電子技術(shù)綜合實驗、應(yīng)用光譜學(xué)綜合實驗、光信息技術(shù)綜合實驗、光電探測器綜合實驗和激光原理與技術(shù)綜合實驗等實驗項目共32個，以及物理實驗報告的書寫要求，使用畫圖軟件0rigin處理實驗數(shù)據(jù)等附錄內(nèi)容。