彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

擬申報(bào)中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)一流規(guī)劃教材。本書專為高年級(jí)本科生以及研究生的教學(xué)所需設(shè)計(jì)，主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識(shí)內(nèi)容，反映當(dāng)今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進(jìn)展，可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場(chǎng)效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點(diǎn)。

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級(jí)證書（高級(jí)）考核配套題庫(kù)，以職業(yè)技能等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和培訓(xùn)教材（高級(jí)）為依據(jù)進(jìn)行編寫。題庫(kù)重點(diǎn)圍繞生產(chǎn)管理與準(zhǔn)備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動(dòng)接觸式與非接觸式檢測(cè)、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進(jìn)行。題庫(kù)分為知識(shí)要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識(shí)要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點(diǎn)介紹了SiC材料生長(zhǎng)、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開(kāi)關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻(xiàn)，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢(shì)。《碳化硅器

本書不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對(duì)每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對(duì)應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實(shí)際使用的刻蝕設(shè)備的類型和等離子體產(chǎn)生機(jī)理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應(yīng)用中不同類型的器件結(jié)構(gòu)，同時(shí)詳細(xì)地討論了SiC和GaN功率器件的設(shè)計(jì)、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細(xì)節(jié)。也討論了寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，以及SiC和GaN功率器件的應(yīng)用。最后對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的未來(lái)發(fā)展進(jìn)行了展望。

本書主要介紹了基于光學(xué)超晶格的光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)，首先介紹了光學(xué)超晶格的基本概念以及基于光學(xué)超晶格的光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換基本原理，其中包括基于不同效應(yīng)的光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換原理及實(shí)現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫(kù)塔解法、遺傳算法在光學(xué)超晶格結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用；然后分別講解了均勻分段結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格、階梯分段結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格、啁啾結(jié)構(gòu)光學(xué)超晶格及其在光波長(zhǎng)

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導(dǎo)體的全貌、功率半導(dǎo)體的基本原理、各種功率半導(dǎo)體的原理和作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場(chǎng)、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅片、功率半導(dǎo)體制造工藝的特點(diǎn)、功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化

本書基于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)制造過(guò)程中存在的問(wèn)題，介紹了多種改進(jìn)的批間控制和過(guò)程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導(dǎo)體制造過(guò)程概述，包括國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過(guò)程監(jiān)控。第4～7章討論機(jī)臺(tái)干擾、故障、度量時(shí)延對(duì)系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

集成電路制造向幾納米節(jié)點(diǎn)工藝的發(fā)展，需要具有原子級(jí)保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生�！栋雽�(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應(yīng)離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進(jìn)展�！栋�